Anisotropic wet etched silicon substrates for reoriented and selective growth of ZnO nanowires and enhanced hydrophobicity

Langmuir

Volumn 27, Issue 11, 2011, Pages 6549-6553

  Li, Sisi ^a   Hu, Jie ^a   Li, Junjun ^a   Tian, Jinghua ^a   Han, Zhitao ^a   Zhou, Xiongtu ^a   Chen, Yong ^a,b  

^a ECOLE NORMALE SUPÉRIEURE   (France)

^b KYOTO UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANISOTROPY; CONTACT ANGLE; GOLD DEPOSITS; II-VI SEMICONDUCTORS; NANOWIRES; POTASSIUM HYDROXIDE; SUBSTRATES; WETTING; ZINC OXIDE;

GROWTH CONDITIONS; HYDROTHERMAL GROWTH; NANOSTRUCTURED SURFACE; ORIENTED SILICON; SELECTIVE GROWTH; SILICON SUBSTRATES; WATER DROPLETS; WETTING PROPERTY;

SILICON WAFERS;

EID: 79957993264     PISSN: 07437463     EISSN: 15205827     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/la201157m     Document Type: Article

References (44)

1. Nakajima, A.; Hashimoto, K.; Watanabe, T.; Takai, K.; Yamauchi, G.; Fujishima, A. Langmuir 2000, 16, 7044-7047
2. Lam, P.; Wynne, K. J.; Wnek, G. E. Langmuir 2002, 18, 948-951
3. Guo, S.; Sun, M.; Shi, J.; Liu, Y.; Huang, W.; Combellas, C.; Chen, Y. Microelectron. Eng. 2007, 84, 1673-1676
4. Ratner, B. D.; Hoffman, A. S.; Hanson, S. R.; Harker, L. A.; Whiffen, J. D. J. Polym. Sci. Pol. Sym. 1979, 66, 363-375
5. Wenzel, R. N. Ind. Eng. Chem. 1936, 28, 988-994
6. Cassie, A.; Baxter, S. Trans. Faraday Soc. 1944, 40, 546-551
7. Dettre, R. H.; Johnson, R. Adv. Chem. Ser. 1964, 43, 136-144
8. Ogawa, K.; Soga, M.; Takada, Y.; Nakayama, I. Jpn. J. Appl. Phys. 1993, 32, L614-L615
9. Murase, H.; Nanishi, K.; Kogure, H.; Fujibayashi, T.; Tamura, K.; Haruta, N. J. Appl. Polym. Sci. 1994, 54, 2051-2062
10. Onda, T.; Shibuichi, S.; Satoh, N.; Tsujii, K. Langmuir 1996, 12, 2125-2127
11. Yamauchi, G.; Miller, J.; Saito, H.; Takai, K.; Ueda, T.; Takazawa, H.; Yamamoto, H.; Nislhi, S. Colloids Surf., A 1996, 116, 125-134
12. Hozumi, A.; Takai, O. Thin Solid Films 1997, 303, 222-225
13. Tadanaga, K.; Katata, N.; Minami, T. J. Am. Ceram. Soc. 1997, 80, 1040-1042
14. Bico, J.; Marzolin, C.; Quere, D. Europhys. Lett. 1999, 47, 220
15. Chen, W.; Fadeev, A. Y.; Hsieh, M. C.; ner, D.; Youngblood, J.; McCarthy, T. J. Langmuir 1999, 15, 3395-3399
16. Nakajima, A.; Fujishima, A.; Hashimoto, K.; Watanabe, T. Adv. Mater. 1999, 11, 1365-1368
17. Nakajima, A.; Abe, K.; Hashimoto, K.; Watanabe, T. Thin Solid Films 2000, 376, 140-143
18. Oner, D.; McCarthy, T. J. Langmuir 2000, 16, 7777-7782
19. Callies, M.; Chen, Y.; Marty, F.; Pepin, A.; Quere, D. Microelectron. Eng. 2005, 78, 100-105
20. Martines, E.; Seunarine, K.; Morgan, H.; Gadegaard, N.; Wilkinson, C. D. W.; Riehle, M. O. Nano Lett. 2005, 5, 2097-2103
21. Pozzato, A.; Zilio, S. D.; Fois, G.; Vendramin, D.; Mistura, G.; Belotti, M.; Chen, Y.; Natali, M. Microelectron. Eng. 2006, 83, 884-888
22. Reyssat, M.; Pepin, A.; Marty, F.; Chen, Y.; Quere, D. Europhys. Lett. 2006, 74, 306
23. Lei, L.; Li, H.; Shi, J.; Chen, Y. Langmuir 2009, 26, 3666-3669
24. Roach, P.; Shirtcliffe, N.; Newton, M. Soft Matter 2008, 4, 224-240
25. Tuteja, A.; Choi, W.; Ma, M.; Mabry, J. M.; Mazzella, S. A.; Rutledge, G. C.; McKinley, G. H.; Cohen, R. E. Science 2007, 318, 1618
26. Shirtcliffe, N. J.; McHale, G.; Newton, M. I.; Chabrol, G.; Perry, C. C. Adv. Mater. 2004, 16, 1929-1932
27. Lau, K. K. S.; Bico, J.; Teo, K. B. K.; Chhowalla, M.; Amaratunga, G. A. J.; Milne, W. I.; McKinley, G. H.; Gleason, K. K. Nano Lett. 2003, 3, 1701-1705
28. Shi, J.; Wang, L.; Chen, Y. Langmuir 2009, 25, 6015-6018
29. Gao, L.; McCarthy, T. J. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 9052-9053
30. Quere, D. Annu. Rev. Mater. Res. 2008, 38, 71-99
31. Herminghaus, S. Europhys. Lett. 2000, 52, 165
32. Minko, S.; Muller, M.; Motornov, M.; Nitschke, M.; Grundke, K.; Stamm, M. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 3896-3900
33. Patankar, N. A. Langmuir 2004, 20, 8209-8213
34. Shirtcliffe, N. J.; McHale, G.; Newton, M. I.; Chabrol, G.; Perry, C. C. Adv. Mater. 2004, 16, 1929-1932
35. Shirtcliffe, N.; McHale, G.; Newton, M.; Perry, C. Langmuir 2005, 21, 937-943
36. Bhushan, B.; Jung, Y. C. Nanotechnology 2006, 17, 2758
37. Gao, L.; McCarthy, T. J. Langmuir 2006, 22, 2966-2967
38. Nosonovsky, M. Langmuir 2007, 23, 3157-3161
39. Sun, M.; Luo, C.; Xu, L.; Ji, H.; Ouyang, Q.; Yu, D.; Chen, Y. Langmuir 2005, 21, 8978-8981
40. Xu, S.; Lao, C.; Weintraub, B.; Wang, Z. L. J. Mater. Res. 2008, 23, 2072-2077
41. Morin, S. A.; Bierman, M. J.; Tong, J.; Jin, S. Science 2010, 328, 476-480
42. Morin, S. A.; Jin, S. Nano Lett. 2010, 10, 3459-3463
43. Tianfghj, J. H.; Hu, J.; Li, S. S.; Zhang, F.; Liu, J.; Shi, J.; Li, X.; Tian, Z. Q.; Chen, Y. Nanotechnology 2011, 22, 5601-5609
44. Okamoto, H.; Nejo, H. J. Vac. Sci. Technol., B 1998, 16, 3013-3014