P -type conduction in nitrogen-doped ZnS nanoribbons

Applied Physics Letters

Volumn 93, Issue 21, 2008, Pages

  Yuan, G D ^a   Zhang, W J ^a   Zhang, W F ^a   Fan, X ^a,b   Bello, I ^a   Lee, C S ^a   Lee, S T ^a  

^a CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

^b TECHNICAL INSTITUTE OF PHYSICS AND CHEMISTRY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ARGON; FIELD EFFECT TRANSISTORS; INERT GASES; TRANSISTORS; TRANSPORT PROPERTIES;

AMMONIA GASSES; ARGON AMBIENT; H BONDINGS; NANORIBBONS; P-TYPE CONDUCTIONS;

ZINC SULFIDE;

EID: 57049124874     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3025846     Document Type: Article

References (20)

1. T. K. Tran, W. Park, W. Tong, M. M. Kyi, B. K. Wagner, and C. J. Summers, J. Appl. Phys. 81, 2803 (1977).
2. R. N. Bhargava, D. Gallagher, X. Hong, and A. Nurmikko, Phys. Rev. Lett. 72, 416 (1994).
3. H. C. Ong and R. P. H. Chang, Appl. Phys. Lett. 79, 3612 (2001).
4. C. Ma, D. Moore, J. Li, and Z. L. Wang, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 15, 1195 (2003).
5. M. Bredol and J. Merikhi, J. Mater. Sci. 33, 471 (1998).
6. S. Gupta, J. S. Meclure, and V. P. Singh, Thin Solid Films 33, 299 (1997).
7. A. K. Verna, T. B. Ranchfuss, and S. R. Wilson, Inorg. Chem. 34, 3072 (1995).
8. Y. K. Liu, C. Y. Geng, J. A. Zapien, Y. Y. Shan, C. S. Lee, Y. Lifshitz, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 85, 3241 (2004).
9. Y. Q. Li, J. A. Zapien, Y. Y. Shan, Y. K. Liu, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 88, 013115 (2006).
10. Z. Wang, L. L. Daemen, Y. Zhao, C. S. Zha, R. T. Downs, X. Wang, Z. L. Wang, and R. J. Hemley, Nature Mater. 4, 922 (2005).
11. J. A. Zapien, Y. Jiang, X. M. Meng, W. Chen, F. C. K. Au, Y. Lifshitz, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 84, 1189 (2004).
12. X. M. Meng, Y. Jiang, J. Liu, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 83, 2244 (2003).
13. Y. Jiang, X. M. Meng, J. Liu, Z. Y. Xie, C. S. Lee, and S. T. Lee, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 15, 323 (2003).
14. G. D. Yuan, W. J. Zhang, J. S. Jie, X. Fan, J. A. Zapien, Y. H. Leung, L. B. Luo, P. F. Wang, C. S. Lee, and S. T. Lee, Nano Lett. 8, 2591 (2008).
15. G. D. Yuan, W. J. Zhang, J. S. Jie, X. Fan, J. X. Tang, I. Shafiq, Z. Z. Ye, C. S. Lee, and S. T. Lee, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 20, 168 (2008).
16. G. D. Yuan, Z. Z. Ye, L. P. Zhu, Q. Qian, B. H. Zhao, R. X. Fan, Craig L. Perkins, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 86, 202106 (2005).
17. S. J. Xu, S. J. Chua, B. Liu, L. M. Gan, C. H. Chew, and G. Q. Xu, Appl. Phys. Lett. 73, 478 (1998).
18. R. M. M. L. Dai, H. B. Huo, W. Q. Yang, G. G. Qin, P. H. Tan, C. H. Huang, and J. Zheng, Appl. Phys. Lett. 89, 203120 (2006).
19. Z. Zhong, F. Qian, D. Wang, and C. M. Lieber, Nano Lett. 3, 343 (2003).
20. K. I. Ogata, D. Kawaguchi, T. Kera, S. Fujita, and S. Fujita, J. Cryst. Growth 159, 312 (1996).