Effect of the seed crystallographic orientation on AlN bulk crystal growth by PVT method

Crystal Research and Technology

Volumn 46, Issue 5, 2011, Pages 455-458

  Wang, W J ^a   Zuo, S B ^a   Bao, H Q ^b   Wang, J ^a   Jiang, L B ^a   Chen, X L ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

^b Beijing Tankeblue Semiconductor Co Ltd   (China)

Author keywords

AlN; growth from vapour; nitrides; single crystal growth

Indexed keywords

ALN; ALN BULK CRYSTAL; ALN SINGLE CRYSTALS; CRYSTALLOGRAPHIC ORIENTATIONS; FAST GROWTH RATE; GROWTH FROM VAPOUR; PARTICULAR CONDITION; SELF-SEEDED; TEMPERATURE RANGE;

CRYSTAL GROWTH; CRYSTALLINE MATERIALS; CRYSTALLIZATION; NITRIDES; SINGLE CRYSTALS;

CRYSTAL ORIENTATION;

EID: 79955592362     PISSN: 02321300     EISSN: 15214079     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/crat.201100035     Document Type: Article

References (18)

1. Y. Taniyasu, M. Kasu, and, T. Makimoto, Nature 441, 325 (2006).
2. H. Tsuzuki, F. Mori, K. Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Yoshida, M. Kuwabara, Y. Yamashita, and, H. Kan, J. Cryst. Growth 311, 2860 (2009).
3. Y. Taniyasu, and, M. Kasu, Appl. Phys. Lett. 96, 221110 (2010).
4. A. S. Segal, S. Yu. Karpov, Yu. N. Makarov, E. N. Mokhov, A. D. Roenkov, M. G. Ramm, and, Yu. A. Vodakov, J. Cryst. Growth 211, 68 (2000).
5. G. Bu, D. Ciplys, M. Shur, L. J. Schowalter, S. Schujman, and, R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 84, 4611 (2004).
6. G. A. Slack, and, T. F. McNelly, J. Cryst. Growth 34, 263 (1976).
7. J. H. Edgar, L. Liu, B. Liu, D. Zhuang, J. Chaudhuri, M. Kuball, and, S. Rajiasingam, J. Cryst. Growth 246, 187 (2002).
8. B. M. Epelbaum, M. Bickermann, and, A. Winnacker, J. Cryst. Growth 275, e479 (2005).
9. D. Zhuang, Z. G. Herro, R. Schlesser, and, Z. Sitar, J. Cryst. Growth 287, 372 (2006).
10. E. N. Mokhov, O. V. Avdeev, I. S. Barash, T. Y. Chemekova, A. D. Roenkov, A. S. Segal, A. A. Wolfson, Y. N. Makarov, M. G. Ramm, and, H. Helava, J. Cryst. Growth 281, 93 (2005).
11. Y. N. Makarov, O. V. Avdeev, I. S. Barash, D. S. Bazarevskiy, T. Y. Chemekova, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. D. Roenkov, A. S. Segal, Y. A. Vodakov, M. G. Ramm, S. Davis, G. Huminic, and, H. Helava, J. Cryst. Growth 310, 881 (2008).
12. S. B. Schujman, L. J. Schowalter, R. T. Bondokov, K. E. Morgan, W. Liu, J. A. Smart, and, T. Bettles, J. Cryst. Growth 310, 887 (2008).
13. V. Noveski, R. Schlesser, B. Raghothamachar, M. Dudley, S. Mahajan, S. Beaudoin, and, Z. Sitar, J. Cryst. Growth 279, 13 (2005).
14. B. M. Epelbaum, M. Bickermann, S. Nagata, P. Heimann, O. Filip, and, A. Winnacker, J. Cryst. Growth 305, 317 (2007).
15. P. Lu, R. Collazo, R. F. Dalmau, G. Durkaya, N. Dietz, B. Raghothamachar, M. Dudley, and, Z. Sitar, J. Cryst. Growth 312, 58 (2009).
16. H. Q. Bao, X. L. Chen, H. Li, G. Wang, B. Song, and, W. J. Wang, Appl. Phys. A 94, 173 (2009).
17. K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi, and, T. Noro, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 7448 (2004).
18. Z. G. Herro, D. Zhuang, R. Schlesser, R. Collazo, and, Z. Sitar, J. Cryst. Growth 286, 205 (2006).