Indirect optical transition due to surface band bending in ZnO nanotubes

Journal of Applied Physics

Volumn 108, Issue 10, 2010, Pages

  Yang, L L ^a,b   Zhao, Q X ^a   Israr, M Q ^a   Sadaf, J R ^a   Willander, M ^a   Pozina, G ^a   Yang, J H ^b  

^a LINKÖPING UNIVERSITY   (Sweden)

^b JILIN NORMAL UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL-ETCHING PROCESS; DIRECT TRANSITION; EMISSION PROCESS; LUMINESCENCE INTENSITY; NON-RADIATIVE; ROOM TEMPERATURE; ROOM-TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE; STRONG ENHANCEMENT; SURFACE BAND BENDING; TEMPERATURE DEPENDENT; TIME-RESOLVED; UV EMISSIONS; ZNO NANOROD; ZNO NANOTUBE;

NANORODS; NANOTUBES; ZINC OXIDE;

LUMINESCENCE;

EID: 78650296349     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3511345     Document Type: Conference Paper

References (57)

1. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Q. Yan, Y. Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. D. Yang, Science SCIEAS 0036-8075 292, 1897 (2001). 10.1126/science.1060367 (Pubitemid 32538361)
2. Z. L. Wang and J. H. Song, Science SCIEAS 0036-8075 312, 242 (2006). 10.1126/science.1124005
3. M. Law, L. E. Greene, J. C. Johnson, R. Saykally, and P. D. Yang, Nature Mater. NMAACR 1476-1122 4, 455 (2005). 10.1038/nmat1387 (Pubitemid 40774050)
4. X. Zhang, Y. Zhang, J. Xu, Z. Wang, X. Chen, D. Yu, P. Zhang, H. Qi, and Y. Tian, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 87, 123111 (2005). 10.1063/1.2053370 (Pubitemid 41717387)
5. H. Faber, M. Burkhardt, A. Jedaa, D. Kalblein, H. Klauk, and M. Halik, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) ADVMEW 0935-9648 21, 3099 (2009). 10.1002/adma.200900440
6. C. H. Liu, J. A. Zapien, Y. Yao, X. M. Meng, C. S. Lee, S. S. Fan, Y. Lifshitz, and S. T. Lee, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) ADVMEW 0935-9648 15, 838 (2003). 10.1002/adma.200304430
7. M. Willander, L. L. Yang, A. Wadeasa, S. U. Ali, M. H. Asif, Q. X. Zhao, and O. Nur, J. Mater. Chem. JMACEP 0959-9428 19, 1006 (2009). 10.1039/b816619f
8. L. Vayssieres, K. Keis, A. Hagfeldt, and S. E. Linquist, Chem. Mater. CMATEX 0897-4756 13, 4395 (2001). 10.1021/cm011160s
9. H. D. Yu, Z. P. Zhang, M. Y. Han, X. T. Hao, and F. R. Zhu, J. Am. Chem. Soc. JACSAT 0002-7863 127, 2378 (2005). 10.1021/ja043121y (Pubitemid 40327787)
10. L. F. Xu, Q. Liao, J. P. Zhang, X. C. Ai, and D. S. Xu, J. Phys. Chem. C JPCCCK 1932-7447 111, 4549 (2007). 10.1021/jp068485m (Pubitemid 46573494)
11. G. W. She, X. H. Zhang, W. S. Shi, X. Fan, J. C. Chang, C. S. Lee, S. T. Lee, and C. H. Liu, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 92, 053111 (2008). 10.1063/1.2842386 (Pubitemid 351230037)
12. J. Elias, R. Tena-Zaera, G. Y. Wang, and C. Ĺvy-Cĺment, Chem. Mater. CMATEX 0897-4756 20, 6633 (2008). 10.1021/cm801131t
13. Q. J. Yu, W. Y. Fu, C. L. Yu, H. B. Yang, R. H. Wei, M. H. Li, S. K. Liu, Y. M. Sui, Z. L. Liu, M. X. Yuan, G. T. Zou, G. R. Wang, C. L. Shao, and Y. C. Liu, J. Phys. Chem. C JPCCCK 1932-7447 111, 17521 (2007). 10.1021/jp076159g (Pubitemid 350247226)
14. Y. H. Tong, Y. C. Liu, C. L. Shao, Y. X. Liu, C. S. Xu, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Phys. Chem. B JPCBFK 1089-5647 110, 14714 (2006). 10.1021/jp056654h (Pubitemid 44325047)
15. Y. J. Xing, Z. H. Xi, Z. Q. Xue, X. D. Zhang, J. H. Song, R. M. Wang, J. Xu, Y. Song, S. L. Zhang, and D. P. Yua, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 83, 1689 (2003). 10.1063/1.1605808
16. L. Vayssieres, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) ADVMEW 0935-9648 15, 464 (2003). 10.1002/adma.200390108
17. Z. W. Pan, Z. R. Dai, and Z. L. Wang, Science SCIEAS 0036-8075 291, 1947 (2001). 10.1126/science.1058120 (Pubitemid 32216991)
18. W. Z. Wang, B. Q. Zeng, J. Yang, B. Poudel, J. Y. Huang, M. J. Naughton, and Z. F. Ren, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) ADVMEW 0935-9648 18, 3275 (2006). 10.1002/adma.200601274 (Pubitemid 46080227)
19. Y. Qiu and S. Yang, Adv. Funct. Mater. AFMDC6 1616-301X 17, 1345 (2007). 10.1002/adfm.200601128 (Pubitemid 46847651)
20. X. Fan, M. L. Zhang, I. Shafiq, W. J. Zhang, C. S. Lee, and S. T. Lee, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) ADVMEW 0935-9648 21, 2393 (2009). 10.1002/adma.200802049
21. Q. F. Zhang, C. S. Dandeneau, X. Y. Zhou, and G. Z. Cao, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) ADVMEW 0935-9648 21, 4087 (2009). 10.1002/adma.200803827
22. K. Yang, G. W. She, H. Wang, X. M. Ou, X. H. Zhang, C. S. Lee, and S. T. Lee, J. Phys. Chem. C JPCCCK 1932-7447 113, 20169 (2009). 10.1021/jp901894j
23. Z. H. Jing and J. H. Zhan, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) ADVMEW 0935-9648 20, 4547 (2008). 10.1002/adma.200800243
24. L. L. Yang, Q. X. Zhao, and M. Willander, J. Alloys Compd. JALCEU 0925-8388 469, 623 (2009). 10.1016/j.jallcom.2008.08.002
25. L. L. Yang, Q. X. Zhao, M. Willander, and J. H. Yang, J. Cryst. Growth JCRGAE 0022-0248 311, 1046 (2009). 10.1016/j.jcrysgro.2008.12.028
26. Q. X. Zhao, L. L. Yang, M. Willander, B. E. Sernelius, and P. O. Holtz, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 104, 073526 (2008). 10.1063/1.2991151
27. L. L. Yang, Q. X. Zhao, M. Willander, J. H. Yang, and I. Ivanov, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 105, 053503 (2009). 10.1063/1.3073993
28. L. L. Yang, Q. X. Zhao, M. Willander, X. J. Liu, M. Fahlman, and J. H. Yang, Appl. Surf. Sci. ASUSEE 0169-4332 256, 3592 (2010). 10.1016/j.apsusc.2009. 12.160
29. L. L. Yang, Q. X. Zhao, M. Willander, X. J. Liu, M. Fahlman, and J. H. Yang, Cryst. Growth Des. CGDEFU 1528-7483 10, 1904 (2010). 10.1021/cg100017b
30. Y. Chen, N. T. Tuan, Y. Segawa, H. Ko, S. Hong, and T. Yao, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 78, 1469 (2001). 10.1063/1.1355665
31. W. I. Park, S. J. An, G. C. Yi, and H. M. Jang, J. Mater. Res. JMREEE 0884-2914 16, 1358 (2001). 10.1557/JMR.2001.0190
32. B. P. Zhang, N. T. Binh, K. Wakatsuki, Y. Segawa, Y. Kashiwaba, and K. Haga, Nanotechnology NNOTER 0957-4484 15, S382 (2004). 10.1088/0957-4484/15/6/ 012
33. K. Maejima, M. Ueda, and S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 JAPNDE 0021-4922 42, 2600 (2003). 10.1143/JJAP.42.2600
34. Q. X. Zhao, M. Willander, R. E. Morjan, Q. H. Hu, and E. E. B. Campbell, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 83, 165 (2003). 10.1063/1.1591069
35. W. I. Park, Y. H. Jun, S. W. Jung, and G. C. Yi, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 82, 964 (2003). 10.1063/1.1544437
36. Q. X. Zhao, P. Klason, M. Willander, H. M. Zhong, W. Lu, and J. H. Yang, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 87, 211912 (2005). 10.1063/1.2135880 (Pubitemid 41643351)
37. T. M. Børseth, B. G. Svensson, A. Y. Kuznetsov, P. Klason, Q. X. Zhao, and M. Willander, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 89, 262112 (2006). 10.1063/1.2424641 (Pubitemid 46058025)
38. P. Klason, T. M. Børseth, Q. X. Zhao, B. G. Svensson, A. Y. Kuznetsov, P. J. Bergman, and M. Willander, Solid State Commun. SSCOA4 0038-1098 145, 321 (2008). 10.1016/j.ssc.2007.10.036 (Pubitemid 350297326)
39. T. Heinzel, Mesoscopic Electronics in Solid State Nanostructures (Wiley-VCH, Weinheim, 2007), p. 76.
40. I. Shalish, H. Temkin, and V. Narayanamurti, Phys. Rev. B PLRBAQ 0556-2805 69, 245401 (2004). 10.1103/PhysRevB.69.245401
41. J. D. Ye, S. L. Gu, F. Gin, S. M. Zhu, S. M. Liu, X. Zhou, W. Liu, L. Q. Hu, R. Zhang, Y. Shi, and Y. D. Zheng, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. APAMFC 0947-8396 81, 759 (2005). 10.1007/s00339-004-2996-0 (Pubitemid 40963698)
42. X. L. Wu, G. G. Siu, C. L. Fu, and H. C. Ong, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 78, 2285 (2001). 10.1063/1.1361288
43. B. Lin, Z. Fu, and Y. Jia, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 79, 943 (2001). 10.1063/1.1394173
44. Z. M. Liao, K. J. Liu, J. M. Zhang, J. Xu, and D. P. Yu, Phys. Lett. A PYLAAG 0375-9601 367, 207 (2007). 10.1016/j.physleta.2007.03.006
45. Z. M. Liao, H. Z. Zhang, Y. B. Zhou, J. Xu, J. M. Zhang, and D. P. Yu, Phys. Lett. A PYLAAG 0375-9601 372, 4505 (2008). 10.1016/j.physleta.2008.04.013
46. K. Vanheusden, W. L. Warren, C. H. Seager, D. R. Tallant, and J. A. Voigt, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 79, 7983 (1996). 10.1063/1.362349
47. D. W. Hamby, D. A. Lucca, M. J. Klopfstein, and G. Cantwell, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 93, 3214 (2003). 10.1063/1.1545157
48. B. K. Meyer, H. Alves, D. M. Hofmann, W. Kriegseis, D. Forster, F. Bertram, J. Christen, A. Hoffmann, M. Straburg, M. Dworzak, U. Haboeck, and A. V. Rodina, Phys. Status Solidi B PSSBBD 0370-1972 241, 231 (2004). 10.1002/pssb.200301962 (Pubitemid 39307710)
49. J. Grabowska, A. Meaney, K. K. Nanda, J. P. Mosnier, M. O. Henry, J. R. Duclere, and E. McGlynn, Phys. Rev. B PLRBAQ 0556-2805 71, 115439 (2005). 10.1103/PhysRevB.71.115439 (Pubitemid 40771253)
50. S. S. Lin, H. P. He, Z. Z. Ye, B. H. Zhao, and J. Y. Huang, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 104, 114307 (2008). 10.1063/1.3033560
51. J. Y. Shi, J. Chen, Z. C. Feng, T. Chen, X. L. Wang, P. L. Ying, and C. Li, J. Phys. Chem. B JPCBFK 1089-5647 110, 25612 (2006). 10.1021/jp060439z (Pubitemid 46133266)
52. C. P. Li, L. Guo, Z. Y. Wu, L. R. Ren, X. C. Ai, J. P. Zhang, Y. Z. Lv, H. B. Xu, and D. P. Yu, Solid State Commun. SSCOA4 0038-1098 139, 355 (2006). 10.1016/j.ssc.2006.06.029 (Pubitemid 44093673)
53. X. H. Zhang, S. J. Chua, A. M. Yong, H. Y. Yang, S. P. Lau, S. F. Yu, X. W. Sun, L. Miao, M. Tanemura, and S. Tanemura, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 90, 013107 (2007). 10.1063/1.2429019 (Pubitemid 46068358)
54. S. K. Mohanta, S. Tripathy, X. H. Zhang, D. C. Kim, C. B. Soh, A. M. Yong, W. Liu, and H. K. Cho, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 94, 041901 (2009). 10.1063/1.3074366
55. C. Bekeny, T. Voss, B. Hilker, J. Gutowski, R. Hauschild, H. Kalt, B. Postels, A. Bakin, and A. Waag, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 102, 044908 (2007). 10.1063/1.2773632 (Pubitemid 47352487)
56. I. C. Robin, B. Gauron, P. Ferret, C. Tavares, G. Feuillet, L. S. Dang, B. Gayral, and J. M. Ǵrard, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 91, 143120 (2007). 10.1063/1.2794790 (Pubitemid 47531563)
57. U. Cebulla, A. Forchel, G. Trankle, S. Subbanna, G. Griffiths, and H. Kroemer, Phys. Scr. PHSTBO 0031-8949 35, 517 (1987). 10.1088/0031-8949/35/4/019