Fabrication of Coaxial Si 1-xGe x Heterostructure Nanowires by O 2 Flow-Induced Bifurcate Reactions

Nanoscale Research Letters

Volumn 5, Issue 10, 2010, Pages 1535-1539

  Kim, Ilsoo ^a   Lee, Ki Young ^a   Kim, Ungkil ^a   Park, Yong Hee ^a   Park, Tae Eon ^a   Choi, Heon Jin ^a  

^a Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

Bifurcate reactions; Coaxial heterostructure; Diffusion controlled reaction; Interfacial reaction; Kinetics of gas diffusion; Self limiting oxidation; Si 1 xGe x nanowires

Indexed keywords

BIFURCATE REACTIONS; DIFFUSION-CONTROLLED REACTION; HETEROSTRUCTURES; INTERFACIAL REACTIONS; SELF-LIMITING OXIDATION; SI 1-XGE X NANOWIRES;

ARCH BRIDGES; DIFFUSION IN GASES; FABRICATION; GERMANIUM; NANOWIRES; OXIDATION; OXYGEN; REACTION KINETICS; SILICON; SILICON COMPOUNDS; VAPORS;

SURFACE REACTIONS;

EID: 77958473906     PISSN: 19317573     EISSN: 1556276X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/s11671-010-9673-3     Document Type: Article

References (28)

1. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd edn. (A Wiley-Interscience Publication, New York, 1981).
2. Y. Xia, P. Yang, Y. Sun, Y. Wu, B. Mayers, B. Gates, Y. Yin, F. Kim, H. Yan, Adv. Mater. 15, 353 (2003).
3. Y. Cui, C. M. Lieber, Science 291, 851 (2001).
4. C. M. Lieber, Z. L. Wang, MRS Bull. 32, 99 (2007).
5. Y. Cui, Z. Zhong, D. Wang, W. U. Wang, C. M. Lieber, Nano Lett. 3, 149 (2003).
6. Y. Cui, Q. Wei, H. Park, C. M. Lieber, Science 293, 1289 (2001).
7. B. Tian, X. Zheng, T. J. Kempa, Y. Fang, N. Yu, G. Yu, J. Huang, C. M. Lieber, Nature 449, 885 (2007).
8. L. J. Lauhon, M. S. Gudlksen, D. Wang, C. M. Lieber, Nature 420, 57 (2002).
9. F. Qian, S. Gradečak, Y. Li, C. Y. Wen, C. M. Lieber, Nano Lett. 5, 2287 (2005).
10. Y. Xia, Y. Yin, Y. Lu, J. McLellan, Adv. Funct. Mater. 13, 907 (2003).
11. H. J. Choi, J. C. Johnson, R. He, S. K. Lee, F. Kim, P. Pauzauskie, J. Goldberger, R. J. Saykally, P. Yang, J. Phys. Chem. B 107, 8721 (2003).
12. R. S. Wagner, W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
13. M. H. Kim, I. S. Kim, Y. H. Park, T. E. Park, J. H. Shin, H. J. Choi, Nanoscale Res. Lett. 5, 286 (2009).
14. H. K. Seong, E. K. Jeon, M. H. Kim, H. Oh, J. O. Lee, J. J. Kim, H. J. Choi, Nano Lett. 8, 3656 (2008).
15. S. Fukatsu, K. Fujita, H. Yaguchi, Y. Shiraki, R. Ito, Appl. Phys. Lett. 59, 2103 (1991).
16. Y. Li, G. G. Hembree, J. A. Venables, Appl. Phys. Lett. 67, 276 (1995).
17. H. K. Liou, P. Mei, U. Gennser, E. S. Yang, Appl. Phys. Lett. 59, 1200 (1991).
18. F. K. LeGoues, R. Rosenberg, T. Nguyen, F. Himpsel, B. S. Meyerson, J. Appl. Phys. 65, 1724 (1989).
19. S. Margalit, A. Bar-Lev, A. B. Kuper, H. Aharoni, A. Neugroschel, J. Cryst. Growth 17, 288 (1972).
20. E. Hasegawa, A. Ishitani, K. Akimoto, M. Tsukiji, N. Ohta, J. Electrochem. Soc. 142, 273 (1995).
21. A. E. Pap, K. Kordás, G. Tóth, J. Levoska, A. Uusimäki, J. Vähäkangas, S. Leppävuori, T. F. George, Appl. Phys. Lett. 86, 041501 (2005).
22. D. Shir, B. Z. Liu, A. M. Mohammad, K. K. Lew, S. E. Mohney, J. Vac. Sci. Technol. B 24, 1333 (2006).
23. H. I. Liu, D. K. Biegelsen, F. A. Ponce, N. M. Johnson, R. F. W. Pease, Appl. Phys. Lett. 64, 1383 (1994).
24. H. Cui, C. X. Wang, G. W. Yang, Nano Lett. 8, 2731 (2008).
25. L. H. Shendalman, J. Chem. Phys. 51, 2483 (1969).
26. J. F. De La Mora, Phys. Rev. A 25, 1108 (1982).
27. J. Xiang, W. Lu, Y. Hu, Y. Wu, H. Yan, C. M. Lieber, Nature 441, 489 (2006).
28. N. Singh et al., IEEE Electron Device Lett. 27, 383 (2006).