First-principles study of ethylene on Ge(001)-electronic structures and STM images

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 114, Issue 34, 2010, Pages 14473-14481

  Fan, X L ^a   Cheng, Q ^a   Chi, Q ^a   Zhang, Y F ^b   Lau, W M ^c  

^a NORTHWESTERN POLYTECHNICAL UNIVERSITY   (China)

^b FUZHOU UNIVERSITY   (China)

^c UNIVERSITY OF WESTERN ONTARIO   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ADSORPTION SITE; ADSORPTION STRUCTURES; BRIDGE CONFIGURATION; ETHYLENE ADSORPTION; FIRST-PRINCIPLES DENSITY FUNCTIONAL THEORY; FIRST-PRINCIPLES STUDY; GE ATOM; LOW BIAS VOLTAGE; SI(0 0 1); STM IMAGES; SURFACE STATE; TUNNELING DISTANCE; TUNNELING PATHS;

ADSORPTION; ATOMS; CHEMICAL BONDS; CRYSTAL ATOMIC STRUCTURE; DENSITY FUNCTIONAL THEORY; ELECTRONIC STATES; ELECTRONIC STRUCTURE; ETHYLENE; MOLECULAR ORBITALS; SILICON;

GERMANIUM;

EID: 77956138030     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp101275j     Document Type: Article

References (36)

1. Wolkow, R. A. Annu. Rev. Phys. Chem. 1999, 50, 413.
2. Rolfing, M.; Kruger, P.; Pollmann, J. Phys. Rev. B 1996, 54, 13759.
3. Zandvielt, H. J. W. Phys. Rep. 2003, 388, 1.
4. Gurlu, O.; Zandvliet, H. J. W.; Poelsma, B. Phys. Rev. Lett. 2004, 93, 066101.
5. Houselt, A. V.; Gastel, R. V.; Poelsma, B.; Zandvliet, H. J. W. Phys. Rev. Lett. 2006, 97, 266104.
6. Loscutoff, P. W.; Bent, S. F. Annu. Rev. Phys. Chem. 2006, 57, 467.
7. Cho, Y. E.; Maeng, J. Y.; Kim, S.; Hong, S. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 7514.
8. Filler, M. A.; Mui, C.; Musgrave, C. B.; Bent, S. F. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 4928.
9. Hwang, Y. J.; Hwang, E.; Kim, D. H.; Kim, A.; Hong, S.; Kim, S. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 1426.
10. Cho, J. H.; Morikawa, E. J. Chem. Phys. 2006, 124, 024716.
11. Kim, D. H.; Choi, D. S.; Hong, S.; Kim, S. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 7412.
12. Shimomura, M.; Munakata, M.; Iwasaki, A.; Ikeda, M.; Abukawa, T.; Sato, K.; Kawawa, T.; Shimizu, H.; Nagashima, N.; Kono, S. Surf. Sci. 2002, 504, 19.
13. Matsui, F.; Yeom, H. W.; Matsuda, I.; Ohta, T. Phys. Rev. B 2000, 62, 5036.
14. Hennies, F.; Fohlisch, A.; Wurth, W.; Witkowski, N.; Nagasono, M.; Piancastelli, M. N. Surf. Sci. 2003, 529, 144.
15. Widdra, W.; Fink, A.; Gokhale, S.; Trischberger, P.; Menzel, D.; Birkenheuer, U.; Gutdeutsch, U.; Rösch, N. Phys. Rev. Lett. 1998, 80, 4269.
16. Xu, S. H.; Keeffe, M.; Yang, Y.; Chen, C.; Yu, M.; Lapeyre, G. J.; Rotenberg, E.; Denlinger, J.; Yates, J. T. Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 939.
17. Marsili, M.; Witkowski, N.; Pulci, O.; Pluchery, O.; Silverstreli, P. L.; Sole, R. D.; Borensztein, Y. Phys. Rev. B 2008, 77, 125337.
18. Cho, J. H.; Kleinman, L. Phys. Rev. B 2004, 69, 075303.
19. Zhang, Q. J.; Fan, X. L.; Lau, W. M.; Liu, Z. F. Phys. Rev. B 2009, 79, 195303.
20. Fan, X. L.; Sun, C. C.; Zhang, Y. F.; Lau, W. M. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 2200.
21. Lal, P.; Teplyakov, A. V.; Noah, Y.; Kong, M. J.; Wang, G. T.; Bent, S. F. J. Chem. Phys. 1999, 110, 10545.
22. Fink, A.; Huber, R.; Widdra, W. J. Chem. Phys. 2001, 115, 2768.
23. Kim, A.; Choi, D. S.; Lee, J. Y.; Kim, S. J. Phys. Chem. B 2004, 118, 3256.
24. Miotto, R.; Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P. Surf. Sci. 2002, 12, 507.
25. Tersoff, T.; Hamann, D. R. Phys. Rev. B 1985, 31, 805.
26. Kresse, G.; Hafner, J. Phys. Rev. B 1993, 47, R558.
27. Kresse, G.; Hafner, J. Phys. Rev. B 1994, 49, 14251.
28. Kresse, G.; Furthmüller, J. Phys. Rev. B 1996, 54, 11169.
29. Kresse, G.; Furthmüller, J. Comput. Mater. Sci. 1996, 6, 15.
30. Vanderbilt, D. Phys. Rev. B 1990, 41, 7892.
31. Kresse, G.; Hafner, J. J. Phys.: Condens. Matter 1994, 6, 8245.
32. Kresse, G.; Hafner, J. Phys. Rev. B 1993, 48, 13115.
33. Perdew, J. P. In Electronic Structure of Solids '91; Ziesche, P., Eschrig, H., Eds.; Academie Verlag: Berlin, 1991; p 11.
34. Radny, M. W.; Schofiled, G. A.; Smith, P. V.; Curson, N. J. Phys. Rev. Lett. 2008, 100, 246807.
35. Nakatsuji, K.; Takagi, Y.; Komori, F.; Kusuhara, H.; Ishii, A. Phys. Rev. B 2005, 72, 241308.
36. Fan, X. L.; Lau, W. M.; Liu, Z. F. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 8786.