Structural analysis of nitride-based LEDs grown on micro- and nano-scale patterned sapphire substrates

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics

Volumn 7, Issue 7-8, 2010, Pages 1784-1786

  Su, Y K ^a   Chen, J J ^a   Lin, C L ^b   Kao, C C ^a  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b KUN SHAN UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

Defects; Electrical properties; Etching; GaN; LEDs; Nanopatterning; Structure

Indexed keywords

ELECTRICAL PROPERTY; GAN; LEDS; NANOPATTERNING; STRUCTURE;

ASPECT RATIO; CRYSTALLINE MATERIALS; DEFECTS; ELECTRIC PROPERTIES; EPITAXIAL FILMS; ETCHING; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; NANOSTRUCTURED MATERIALS; SAPPHIRE; STRUCTURAL ANALYSIS; X RAY DIFFRACTION;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 77955838671     PISSN: 18626351     EISSN: 16101642     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssc.200983551     Document Type: Conference Paper

References (14)

1. E. F. Schubert and J. K. Kim, Science 308, 1274 (2005).
2. M. R. Krames, O. B. Shchekin, R. Mueller-Mach, G. O. Mueller, L. Zhou, G. Harbers, and M. George Craford, J. Display Technol. 3, 160 (2007).
3. K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Imada, M. Kato, and T. Taguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L583 (2001).
4. M. Yamada, T. Mitani, Y. Narukawa, S. Shioji, I. Niki, S. Sonobe, K. Deguchi, M. Sano, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 41, L1431 (2002).
5. W. K. Wang, D. S. Wuu, S. H. Lin, P. Han, R. H. Horng, T. C. Hsu, D. T. C. Huo, M. J. Jou, Y. H. Yu, and A. Lin, IEEE J. Quantum Electron. 41, 1403 (2005).
6. P. C. Tsai, R. W. Chuang, and Y. K. Su, J. Lightwave Technol. 25, 591 (2007).
7. J.-H. Lee, J. T. Oh, Y. C. Kim, and J.-H. Lee, IEEE Photon.Technol. Lett. 20, 1563 (2008).
8. Y. J. Lee, J. M. Hwang, T. C. Hsu, M. H. Hsieh, M. J. Jou, B. J. Lee, T. C. Lu, H. C. Kuo, and S. C. Wang, IEEE Photon. Technol. Lett. 18, 1152 (2006).
9. H. Gao, F. Yan, Y. Zhang, J. Li, Y. Zeng, and G. Wang, J. Appl. Phys. 103, 014314 (2008).
10. C. L. Cheung, R. J. Nikolic, C. E. Reinhardt, and T. F. Wang, Nanotechnology 17, 1339 (2006).
11. T. S. Kim, S. M. Kim, Y. H. Jang, and G. Y. Jung, Appl. Phys. Lett. 91, 171114 (2007).
12. H. Heinke, V. Kirchner, S. Einfeldt, and D. Hommel, Appl. Phys. Lett. 77, 2145 (2000).
13. D. G. Zhao, H. Yang, J. J. Zhu, D. S. Jiang, Z. S. Liu, S. M. Zhang, Y. T. Wang, and J. W. Liang, Appl. Phys. Lett. 89, 112106 (2006).
14. S. W. Lee, D. C. Oh, H. Goto, J. S. Ha, H. J. Lee, T. Hanada, M. W. Cho, T. Yao, S. K. Hong, H. Y. Lee, S. R. Cho, J. W. Choi, J. H. Choi, J. H. Jang, J. E. Shin, and J. S. Lee, Appl. Phys. Lett. 89, 132117 (2006).