Characteristics of a band edge p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors fabricated with a high-k / WAlx /TiSiN gate stack

Applied Physics Letters

Volumn 97, Issue 2, 2010, Pages

  Park, Chang Seo ^a   Hussain, Muhamad M ^a   Bersuker, Gennadi ^a   Kirsch, Paul D ^a   Jammy, Raj ^a  

^a SEMATECH   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND EDGE; CAPPING LAYER; EFFECTIVE WORK FUNCTION; EQUIVALENT OXIDE THICKNESS; FLAT-BAND VOLTAGE; GATE STACKS; INTERFACIAL OXIDE LAYERS; METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS; METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR; METAL/HIGH-K GATE; NEGATIVE BIAS TEMPERATURE INSTABILITY; P-MOSFETS; P-TYPE; SI SUBSTRATES;

DIELECTRIC DEVICES; LOGIC GATES; MOSFET DEVICES;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 77955129115     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3464167     Document Type: Article

References (10)

1. H. N. Alshareef, H. R. Harris, H. C. Wen, C. S. Park, C. Huffman, K. Choi, H. F. Luan, P. Majhi, B. H. Lee, R. Jammy, D. J. Lichtenwalner, J. S. Jur, and A. I. Kingon, Dig. Tech. Pap.-Symp. VLSI Technol. DTPTEW 0743-1562 2006, 7.
2. L. -A. Ragnarsson, V. S. Chang, H. Y. Yu, H. -J. Cho, T. Conard, K. M. Yin, A. Delabie, J. Swerts, T. Schram, S. De Gendt, and S. Biesemans, IEEE Electron Device Lett. EDLEDZ 0741-3106 28, 486 (2007). 10.1109/LED.2007.896900 (Pubitemid 46850586)
3. T. Lee, S. J. Rhee, C. Y. Kang, F. Zhu, H. -S. Kim, C. Choi, I. Ok, M. Zhang, S. Krishnan, G. Thareja, and J. C. Lee, IEEE Electron Device Lett. EDLEDZ 0741-3106 27, 640 (2006). 10.1109/LED.2006.879023 (Pubitemid 44132623)
4. P. D. Kirsch, M. A. Quevedo-Lopez, S. A. Krishnan, C. Krug, H. AlShareef, C. S. Park, R. Harris, N. Moumen, A. Neugroschel, G. Bersuker, B. H. Lee, J. G. Wang, G. Pant, B. E. Gnade, M. J. Kim, R. M. Wallace, J. S. Jur, D. J. Lichtenwalner, A. I. Kingon, and R. Jammy, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. TDIMD5 0163-1918 2006, 639.
5. H. -S. Jung, S. K. Han, H. Lim, Y. -S. Kim, M. J. Kim, M. Y. Yu, C. -K. Lee, M. S. Lee, Y. -S. You, Y. Chung, S. Kim, H. S. Baik, J. -H. Lee, N. -I. Lee, and H. -K. Kang, Dig. Tech. Pap.-Symp. VLSI Technol. DTPTEW 0743-1562 2006, 162.
6. S. C. Song, Z. B. Zhang, M. M. Hussain, C. Huffman, J. Barnett, S. H. Bae, H. J. Li, P. Majhi, C. S. Park, B. S. Ju, H. K. Park, C. Y. Kang, R. Choi, P. Zeitzoff, H. H. Tseng, B. H. Lee, and R. Jammy, Dig. Tech. Pap.-Symp. VLSI Technol. DTPTEW 0743-1562 2006, 13.
7. T. Schram, S. Kubicek, E. Rohr, S. Brus, C. Vrancken, S. -Z. Chang, V. S. Chang, R. Mitsuhashi, Y. Okuno, A. Akheyar, H. -J. Cho, J. C. Hooker, V. Paraschiv, R. Vos, F. Sebai, M. Ercken, P. Kelkar, A. Delabie, C. Adelmann, T. Witters, L. -A. Ragnarsson, C. Kerner, T. Chiarella, M. Aoulaiche, M. -J. Cho, T. Kauerauf, K. De Meyer, A. Lauwers, T. Hoffmann, P. P. Absil, and S. Biesemans. Dig. Tech. Pap.-Symp. VLSI Technol. DTPTEW 0743-1562 2006, 44.
8. H. -C. Wen, S. C. Song, C. S. Park, C. Burham, G. Bersuker, K. Choi, M. A. Quevedo-Lopez, B. S. Ju, H. N. Alshareef, H. Niimi, H. B. Park, P. S. Lysaght, P. Majhi, B. H. Lee, and R. Jammy, Dig. Tech. Pap.-Symp. VLSI Technol. DTPTEW 0743-1562 2007, 160.
9. G. Brown, G. Smith, J. Saulters, K. Matthews, H. C. Wen, P. Majhi, and B. H. Lee, IEEE SISC Conference (IEEE, New York, 2004), p. 15.
10. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981), p. 396.