Epitaxial calcium and strontium fluoride films on highly mismatched oxide and metal substrates by MOCVD: Texture and morphology

Chemistry of Materials

Volumn 22, Issue 1, 2010, Pages 175-185

  Blednov, Andrey V ^a   Gorbenko, Oleg Yu ^a   Samoilenkov, Sergey V ^b   Amelichev, Vadim A ^a   Lebedev, Vasiliy A ^a   Napolskii, Kirill S ^a   Kaul, Andrey R ^a  

^a MOSCOW STATE UNIVERSITY   (Russian Federation)

^b JOINT INSTITUTE FOR HIGH TEMPERATURES   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALKALINE EARTH; BIAXIALLY TEXTURED; C-AXIS ORIENTATIONS; COMPREHENSIVE STUDIES; CRYSTALLOGRAPHIC ORIENTATIONS; DEPOSITION CONDITIONS; ELECTRON BACK SCATTER DIFFRACTION; EPITAXIAL RELATIONS; FIELD EMISSION SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; FUNCTIONAL LAYER; GROWTH CONDITIONS; IN-PLANE ORIENTATION; LOW TEMPERATURES; METAL SUBSTRATE; MOCVD; NANOGRID STRUCTURES; POLYCRYSTALLINE; POST DEPOSITION TREATMENT; SINGLE-CRYSTALLINE; STRONTIUM FLUORIDE; SUBSTRATE INTERACTION; SUBSTRATE LATTICE;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; ATOMIC SPECTROSCOPY; BACKSCATTERING; CALCIUM; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ELECTRON DIFFRACTION; EPITAXIAL FILMS; FILM GROWTH; FLUORINE; LATTICE MISMATCH; MORPHOLOGY; OXIDE FILMS; RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SINGLE CRYSTALS; STRONTIUM; THREE DIMENSIONAL; X RAY DIFFRACTION; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

SUBSTRATES;

EID: 74949123099     PISSN: 08974756     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cm902788s     Document Type: Article

References (65)

1. Rainer, F.; Lowdermilk, W. H.; Milam, D.; Carniglia, C. K.; Hart, T. T.; Lichtenstein, T. L. Appl. Opt. 1985, 24,496.
2. Mademann, D.; Raupach, L.; Weissbrodt, P.; Hacker, E.; Kaiser, U.; Kaiser, N. Fresenius J. Anal. Chem. 1993, 346, 173.
3. Tsai, R. Y.; Shiau, S. C.; Lin, D.; Ho, F. C.; Hua, M. Y. Appl. Opt. 1999, 38, 5452.
4. Fujihara, S.; Kadota, Y.; Kimura, T. J. Sol-Gel Sci. Technol. 2002, 24, 147.
5. Fork, D. K.; ArmaniLeplingard, F.; Lui, M.; McFarlane, R. A. J. Lightwave Technol. 1996, 14, 611.
6. McFarlane, R. A.; Lui, M.; Yap, D. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 1995, 1, 82.
7. Tiwari, A. N.; Blunier, S.; Zogg, H.; Lerch, P.; Marcenat, F.; Martinoli, P. J. Appl. Phys. 1992, 71, 5095.
8. Hung, L. S.; Mason, G. M.; Pazpujalt, G. R.; Agostinelli, J. A.; Mir, J. M.; Lee, S. T.; Blanton, T. N.; Ding, G. J. Appl. Phys. 1993, 74, 1366.
9. Moon, B. K.; Ishiwara, H. Jpn. J. Appl. Phys. 1994, 33, 5911.
10. Fergus, J. W. Sens. Actuators B 1997, 42, 119.
11. Watanabe, M.; Suemasu, T.; Muratake, S.; Asada, M. Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 300.
12. Kobayashi, K.; Suemasu, T.; Kuwano, N.; Hara, D.; Akinaga, H. Thin Solid Films 2007, 515, 8254.
13. Okiji, A.; Kasai, H. Surf. Sci. 1979, 86, 529.
14. Kiguchi, M.; Katayama, M.; Yoshikawa, G.; Saiki, K.; Koma, A. Appl. Surf. Sci. 2003, 212-213, 701.
15. Farrow, R. F. C.; Sullivan, P. W.; Williams, G. M.; Jones, G. R.; Cameron, D. C. J. Vac. Sci. Technol. 1981, 19,415.
16. Schowalter, L. J.; Fathauer, R. W.; Goehner, R. P.; Turner, L. G.; Deblois, R. W.; Hashimoto, S.; Peng, J. L.; Gibson, W. M.; Krusius, J. P. J. Appl. Phys. 1985, 58, 302.
17. Ishiwara, H.; Asano, T. Appl. Phys. Lett. 1982, 40, 66.
18. Siskos, S.; Fontaine, C.; Munozyague, A. J. Appl. Phys. 1984, 56, 1642.
19. Rao, V. J.; Chaudhari, G. N. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 1992, 54, 284.
20. Sinharoy, S.; Hoffman, R. A.; Rieger, J. H.; Warner, J. D.; Bhasin, K. B. J. Vac Sci. Technol, A 1986, 4, 897.
21. Weiss, W.; Kasper, K.; Herrmann, K. H.; Schmeisser, D.; Göpel, W. Surf. Sci. 1992, 268, 319.
22. Omori, S.; Ishii, H.; Nihei, Y. Appl. Surf. Sci. 1998, 130, 67.
23. Calleja, F.; Hinarejos, J. J.; de Parga, A. L. V.; Suturin, S. M.; Sokolov, N. S.; Miranda, R. Surf. Sci. 2005, 582, 14.
24. Barkai, M.; Grünbaum, E.; Deutscher, G. Vacuum 1990, 41, 847.
25. Haag, M.; Dabringhaus, H. J. Cryst. Growth 1997, 178, 298.
26. Sullivan, P. W.; Farrow, R. F. C.; Jones, G. R. J. Cryst. Growth 1982, 60, 403.
27. Schowalter, L. J.; Fathauer, R. W. J. Vac Sci. Technol. A 1986, 4, 1026.
28. Heral, H.; Bernard, L.; Rocher, A.; Fontaine, C.; Munozyague, A. J. Appl. Phys. 1987, 61, 2410.
29. Sokolov, N. S.; Suturin, S. M. Appl. Surf. Sci. 2001, 175, 619.
30. Pasquali, L.; Suturin, S. M.; Ulin, V. P.; Sokolov, N. S.; Selvaggi, G.; Giglia, A.; Mahne, N.; Pedio, M.; Nannarone, S. Phys. Rev. B 2005, 72, 045448.
31. Chaudhari, G. N.; Rao, V. J. Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 852.
32. Chaudhari, G. N.; Rao, V. J. Semicond. Sci. Technol. 1993, 8, 412.
33. Pasquali, L.; D'Addato, S.; Selvaggi, G.; Nannarone, S.; Sokolov, N. S.; Suturin, S. M.; Zogg, H. Nanotechnology 2001, 12, 403.
34. Shushtarian, S. S.; Ogale, S. B.; Chaudhari, G. N.; Singh, P.; Rao, V. J. Mater. Lett. 1991, 12, 335.
35. Maki, T.; Okamoto, K.; Sugiura, M.; Hosomi, T.; Kobayashi, T. Appl. Surf. Sci. 2002, 197, 448.
36. Klust, A.; Kayser, R.; Wollschlager, J. Phys. Rev. B 2000, 62, 2158.
37. Kruschwitz, J. D. T.; Pawlewicz, W. T. Appl. Opt. 1997, 36, 2157.
38. Ylilammi, M.; Rantaaho, T. J. Eletrochem. Soc. 1994, 141, 1278.
39. Pilvi, T.; Arstila, K.; Leskela, M.; Ritala, M. Chem. Mater. 2007, 19, 3387.
40. Purdy, A. P.; Berry, A. D.; Holm, R. T.; Fatemi, M.; Gaskill, D. K. Inorg. Chem. 1989, 28, 2799.
41. Fragalà, M. E.; Toro, R. G.; Rossi, P.; Dapporto, P.; Malandrino, G. Chem. Mater. 2009, 21, 2062.
42. Malandrino, G.; Castelli, F.; Fragalà, I. L. Inorg. Chim. Acta 1994, 224, 203.
43. Brooks, J.; Davies, H. O.; Leedham, T. J.; Jones, A. C.; Steiner, A. Chem. Vap. Deposition 2000, 6, 66.
44. Fromm, K. M.; Gueneau, E. D. Polyhedron 2004, 23, 1479.
45. Sato, R.; Takahashi, K.; Yoshino, M.; Kato, H.; Ohshima, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1993, 32, 1590.
46. Drozdov, A. A.; Troyanov, S. I.; Kuzmina, N. P.; Martynenko, L. I.; Alikhanyan, A. S.; Malkerova, I. P. J. Phys. IV 1993, 3, 379.
47. Hammond, G. S.; Nonhebel, D. C.; Chin-Hua, S. W. Inorg. Chem. 1963, 2, 73.
48. Zeng, Z.; Natesan, K. Fusion Eng. Des. 2004, 70, 87.
49. Graboy, I. E.; Markov, N. V.; Maleev, V. V.; Kaul, A. R.; Polyakov, S. N.; Svetchnikov, V. L.; Zandbergen, H. W.; Dahmen, K. H. J. Alloys Compd. 1997, 251, 318.
50. Sathyamurthy, S.; Paranthaman, M.; Bhuiyan, M. S.; Payzant, E. A.; Lee, D. F.; Goyal, A.; Li, X.; Kodenkandath, T.; Schoop, U.; Rupich, M. IEEE Trans. Appl. Supercond. 2005, 15, 2974.
51. Bhuiyan, M. S.; Paranthaman, M.; Sathyamurthy, S.; Aytug, T.; Kang, S.; Lee, D. F.; Goyal, A.; Payzant, E. A.; Salama, K. Supercond. Sci. Technol. 2003, 16, 1305.
52. Fathauer, R. W.; Schowalter, L. J. Appl. Phys. Lett. 1984, 45, 519.
53. Tasker, P. W. J. Phys. Coll. 1980, 47, C6-488.
54. White, G. K.; Roberts, R. B. High Temperatures-High Pressures 1983 15, 321.
55. Wachtman, J. B., Jr; Scuderi, T. G.; Cleek, G. W. J. Am. Ceram. Soc. 1962, 45, 319.
56. Roberts, R. B.; White, G. K. J. Phys. C: Solid State Phys. 1986, 19, 7167.
57. Benson, G. C.; Claxton, T. A. Can. J. Phys. 1963, 41, 1287.
58. Tasker, P. W. J. Phys. C: Solid State Phys. 1979, 12,4977.
59. Gilman, J. J. J. Appl. Phys. 1960, 31, 2208.
60. Tasker, P. W. Surf. Sci. 1979, 87, 315.
61. Deuster,V.; Schick, M.; Kayser, T.; Dabringhaus, H.; Klapper, H.; Wandelt, K. J. Cryst. Growth 2003, 250, 313.
62. Wee, S. H.; Goyal, A.; More, K. L.; Specht, E. Nanotechnology 2009, 20, 215608.
63. Pasquali, L.; Suturin, S. M.; Kaveev, A. K.; Ulin, V. P.; Sokolov, N. S.; Doyle, B. P.; Nannarone, S. Phys. Rev. B 2007, 75, 075403.
64. Costa-Nunes, O.; Gorte, R. J.; Vohs, J. M. J. Mater. Chem. 2005, 15, 1520.
65. Murugesan, M.; Obara, H.; Nakagawa, Y.; Yamasaki, H.; Kosaka, S. J. Cryst. Growth 2007, 304, 118.