Perfectly ordered, free-standing nanowire arrays with controllable geometry

Advanced Engineering Materials

Volumn 11, Issue 11, 2009, Pages 907-911

  Robinson, Adam Philip ^a   Burnell, Gavin ^b   Sahonta, Suman Lata ^a   MacManus Driscoll, Judith ^a  

^a Department of Materials Science and Metallurgy ^*  (United Kingdom)

^b UNIVERSITY OF LEEDS   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ION BEAMS; NANOWIRES;

NANOPOROUS TEMPLATES; NANOWIRE ARRAYS; ORDERED NANOWIRE ARRAYS; PORE FORMATION; PORE GEOMETRY; ULTRA-THIN;

SUBSTRATES;

EID: 72449152760     PISSN: 14381656     EISSN: 15272648     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adem.200900150     Document Type: Article

References (28)

1. B. L. Cao, Y. Jiang, C. Wang, W. H. Wang, L. Z. Wang, M. Niu, W. J. Zhang, Y. Q. Li, S. T7 Lee, Adv. Fund. Mater. 2007, 17, 1501.
2. Y. Lei, Z. Jiao, M. H. Wu, G. Wilde, Adv. Eng. Mater. 2007, 9, 343.
3. Y. N. Xia, P. D. Yang, Y. G. Sun, Y. Wu, B. Mayers, B. Gates, Y. Yin, F. Kim, H. Yan, Adv. Mater. 2003, 15, 353.
4. J. Mallet, K. Yu-Zhang, S. Matefi-Tempfli, L. Piraux, J. Phys. D: Appl. Phys. 2005, 38, 909.
5. X. R. Zhang, Y. F. Hao, G. W. Meng, L. D. Zhang, J. Electrochem. Soc. 2005, 152, C664.
6. X. Wang, X. Y. Sun, M. Fairchild, S. D. Hersee, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 233115.
7. Y. W. Wang, C. H. Liang, G. Z. Wang, T. Gao, S. X. Wang, J. C. Fan, L. D. Zhang, J. Mater. Sci. Lett. 2001, 20, 1687.
8. G. M. Whitesides, B. Grzybowski, Science 2003, 295, 2418.
9. D. Y. Ryu, K. Shin, E. Drockenmueller, C. J. Hawker, T. P. Russell, Science 2005, 308, 236.
10. a) S. Y. Chou, P. R. Krauss, L. Kong, J. Appl. Phys. 1996, 79, 6101.
11. b) H. Masuda, K. Fukuda, Science 1995, 268, 1466.
12. T. Thurn-Albrecht, J. Schotter, G. A. Kästle, N. Emley, T. Shibauchi, L. Krusin-Elbaum, K. Guarini, C. T. Black, M. T. Tuominen, T. P. Russell, Science 2000, 290, 2126.
13. S. Y. Chou, P. R. Krauss, P. J. Renstrom, Science 1996, 272, 85.
14. F. Keller, M. S. Hunter, D. L. Robinson, J. Electrochem. Soc. 1953, 200, 411.
15. J. W. Diggle, T. C. Downie, C. W. Goulding, Chem. Rev. 1969, 69, 365.
16. Z. F. Zhou, Y. C. Zhou, Y. Pan, X. G. Wang, Mater. Lett. 2008, 62, 3419.
17. W. Lee, R. Ji, U. Gösele, W. Nielsch, Nat. Mater. 2006, 5, 741.
18. H. Masuda, H. Yamada, M. Satoh, H. Asoh, M. Nakao, T. Tamamura, Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 2770.
19. H. Masuda, K. Fukuda, Science 1995, 268, 1466.
20. W. Lee, R. Ji, C. A. Ross, U. Gosele, K. Nielsch, Small 2006, 2, 978.
21. J. Choi, Y. B. Park, A. Scherer, Nanotechnology 2005, 16, 1655.
22. C. Y. Liu, A. Datta, Y. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 120.
23. A. P. Robinson, G. Burnell, M. Hu, J. L. MacManusDriscoll, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 143123.
24. T. Shimizu, M. Nagayanagi, T. Ishida, O. Sakata, T. Oku, H. Sakaue, T. Takahagi, S. Shingubara, Electrochem. Solid State Lett. 2006, 9, J13.
25. H. Shiraki, Y. Kimura, H. Ishii, S. Ono, K. Itaya, M. Niwano, Appl. Surf. Sci. 2004, 237, 369.
26. H. Asoh, M. Matsuo, M. Yoshihama, S. Ono, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 4408.
27. P. F. Schmidt, W. Michel, J. Electrochem. Soc. 1957, 104, 230.
28. K. P. Musselman, G. J. Mulholland, A. P. Robinson, L. Schmidt-Mende, J. L. MacManus-Driscoll, Adv. Mater. 2008, 20, 4470.