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Volumn , Issue , 2009, Pages 112-113

Impact of uniaxial strain on channel backscattering characteristics and drain current variation for nanoscale PMOSFETs

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BALLISTIC EFFICIENCY; CHANNEL BACKSCATTERING; CHANNEL BACKSCATTERING CHARACTERISTICS; CHANNEL JUNCTIONS; COMPRESSIVE STRAIN; DRAIN VOLTAGE; ELECTROSTATIC POTENTIALS; GATE LENGTH; GATE VOLTAGES; NANO SCALE; P-MOSFETS; TEMPERATURE DEPENDENT; UNI-AXIAL STRAINS;

EID: 70350050088     PISSN: 07431562     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.