Surface localization of buried III-V semiconductor nanostructures

Nanoscale Research Letters

Volumn 4, Issue 8, 2009, Pages 873-877

  Alonso Gonzalez P ^a   Gonzalez L ^a   Fuster, D ^a   Martin Sanchez J ^a   González, Yolanda ^a  

^a INSTITUTO DE MICROELECTRÓNICA DE MADRID   (Spain)

Author keywords

Droplet epitaxy; III V Semiconductor nanostructures; MBE

Indexed keywords

CAP LAYER THICKNESS; DROPLET EPITAXY; GAAS; GROWTH CONDITIONS; II-IV SEMICONDUCTORS; III-V SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES; INAS QUANTUM DOTS; MBE; SURFACE LOCALIZATION; TOP SURFACE;

CRYSTAL GROWTH; DROP FORMATION; EPITAXIAL GROWTH; INDIUM ARSENIDE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MOLECULAR BEAMS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

NANOSTRUCTURES;

EID: 70349991483     PISSN: 19317573     EISSN: 1556276X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/s11671-009-9329-3     Document Type: Article

References (21)

1. A. Badolato, K. Hennessy, M. Atatüre, J. Dreiser, E. Hu, P.M. Petroff, A. Imamouglu, Science 308, 1158 (2005). doi:10.1126/science.1109815.
2. R.M. Stevenson, R.J. Young, P. Atkinson, K. Cooper, D.A. Ritchie, A.J. Shields, Nature 439, 179 (2006). doi:10.1038/nature04446.
3. K. Henessy, A. Badolato, M. Wigner, D. Gerace, M. Atatüre, S. Gulde, D. Fält, E.L. Hu, A. Imamoglu, Nature 445, 896 (2007). doi:10.1038/nature05586.
4. P.M. Intallura, M.B. Ward, O.Z. Karimov, Z.L. Yuan, P. See, A.J. Shields, P. Atkinson, D.A. Ritchie, Appl. Phys. Lett. 91, 161103 (2007). doi:10.1063/1.2799756.
5. H.Z. Song, T. Usuki, Y. Nakata, N. Yokoyama, H. Sasakura, S. Muto, Phys. Rev. B 73, 115327 (2006). doi:10.1103/PhysRevB.73.115327.
6. S. Kiravittaya, M. Benyoucef, R. Zapf-Gottwick, A. Rastelli, O.G. Schmidt, Appl. Phys. Lett. 89, 233102 (2006). doi:10.1063/1.2399354.
7. P. Atkinson, M.B. Ward, S.P. Bremner, D. Anderson, T. Farrow, G.A.C. Jones, A.J. Shields, D.A. Ritchie, Jpn J. Appl. Phys. 45(Part 1), 2519 (2006). doi:10.1143/JJAP.45.2519.
8. J. Martín-Sánchez, Y. González, L. González, M. Tello, R. García, D. Granados, J.M. García, F. Briones, J. Cryst. Growth 284, 313 (2005). doi:10.1016/j.jcrysgro.2005.06.055.
9. P. Alonso-González, L. González, Y. González, D. Fuster, I. Fernández-Martínez, J. Martín-Sánchez, L. Abelmann, Nanotechnology 18, 355302 (2007). doi:10.1088/0957-4484/18/35/355302.
10. T. Mano, K. Watanabe, S. Tsukamoto, H. Fujioka, M. Oshima, N. Koguchi, J. Cryst. Growth 209, 504 (2000). doi:10.1016/S0022-0248(99)00606-5.
11. Z.M. Wang, B.L. Liang, K.A. Sablon, G.J. Salamo, Appl. Phys. Lett. 90, 113120 (2007). doi:10.1063/1.2713745.
12. J.H. Lee, Z.M. Wang, N.W. Strom, Y.I. Mazur, G.J. Salamo, Appl. Phys. Lett. 89, 202101 (2006). doi:10.1063/1.2388049.
13. P. Alonso-González, B. Alén, D. Fuster, Y. González, L. González, J. Martínez-Pastor, Appl. Phys. Lett. 91, 163104 (2007). doi:10.1063/1.2799736.
14. P. Alonso-González, D. Fuster, L. González, J. Martín-Sánchez, Y. González, Appl. Phys. Lett. 93, 183106 (2008). doi:10.1063/1.3021070.
15. G. Constantini, A. Rastelli, C. Manzano, P. Acosta-Diaz, R. Songmuang, G. Katsaros, O.G. Schmidt, K. Kern, Phys. Rev. Lett. 96, 226106 (2006). doi:10.1103/PhysRevLett.96.226106.
16. A. Ballestad, B.J. Ruck, M. Adamcyk, T. Pinnington, T. Tiedje, Phys. Rev. Lett. 86, 2377 (2001). doi:10.1103/PhysRevLett.86.2377.
17. K.A. Sablon, Z.M. Wang, G.J. Salamo, L. Zhou, D.J. Smith, Nanoscale Res. Lett. 3, 530 (2008). doi:10.1007/s11671-008-9194-5.
18. F. Briones, L. González, A. Ruiz, Appl. Phys. A 49, 729 (1989). doi:10.1007/BF00617001.
19. B. Yang, F. Liu, M.G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 92, 025502 (2004). doi:10.1103/PhysRevLett.92.025502.
20. P. Alonso-González, L. González, D. Fuster, Y. González, A.G. Taboada, J.M. Ripalda, A.M. Beltrán, D.L. Sales, T. Ben, S.I. Molina, Cryst. Growth Des. 9(2), 1216 (2009). doi:10.1021/cg801186w.
21. C.F. Wang, A. Badolato, I. Wilson-Rae, P.M. Petroff, E. Hu, J. Urayama, A. Imamoglu, Appl. Phys. Lett. 85, 3423 (2004). doi:10.1063/1.1806251.