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Volumn , Issue , 2008, Pages 69-72

Level shifts and gate interfaces as vital ingredients in modeling of charge trapping

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CHARGE STATE; DETAILED MODELING; FIRST-PRINCIPLES CALCULATION; GATE CONTACT; GATE INTERFACE; GENERAL DESCRIPTION; LEVEL SHIFT; NANO METER RANGE; RIGOROUS MODEL; TRAP LEVELS;

EID: 67650348357     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1109/SISPAD.2008.4648239     Document Type: Conference Paper
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.