Growth and characterization of PZT films with different grain sizes

Integrated Ferroelectrics

Volumn 84, Issue 1, 2006, Pages 99-105

  Zhang, Shuren ^a   Liu, Jingsong ^a   Yang, Chengtao ^a  

^a UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA   (China)

Author keywords

Coercive field; Crystalization; Ferroelectrics thin films; Grain size; PZT

Indexed keywords

EID: 66949138169     PISSN: 10584587     EISSN: 16078489     Source Type: Journal    
DOI: 10.1080/10584580601085313     Document Type: Conference Paper

References (15)

1. C. H. Ahn, K. M. Rabe, and J.-M. Triscone, Science 303, 488 (2004).
2. J. Hong, H. W. Song, S. Hong, H. Shin, and K. No, J. Appl. Phys. 92, 7434 (2002).
3. J. R. Cheng, W. Y. Zhu, N. Li, and L. E. Cross, Appl. Phys. Lett. 81, 4805 (2002).
4. N. A. Spaldin, Science 304, 1606 (2004).
5. D. Fong, G. Stephenson, S. Streiffer, J. Eastman, O. Auciello, P. Fuoss, and C. Thompson, Science 304, 1650 (2004).
6. W. L. Zhong, Y. G. Wang, P. L. Zhang, and B. D. Qu, Phys. Rev. B 50, 698 (1994).
7. K. Ishikawa and T. Uemori, Phys. Rev. B 60, 11841 (1999).
8. L.-H. Ong, J. Osman, and D. R. Tilley, Phys. Rev. B 63, 144109 (2001).
9. T. Yu, Z. X. Shen, W. S. Toh, J. M. Xue, and J. Wang, J. Appl. Phys. 94, 618(2003).
10. Z. Zhao, V. Buscaglia, M. Viviani, M. T. Buscaglia, L. Mitoseriu, A. Testino, M. Nygren, M. Johnsson, and P. Nanni, Phys. Rev. B 70, 024107 (2004).
11. B. Jiang, J. L. Peng, L. A. Bursill, W. L. Zhong, J. Appl. Phys. 87, 3462 (2000).
12. S. H. Hu, G. J. Hu, X. J. Meng, G. S. Wang, J. L. Sun, S. L. Guo, J. H. Chu, and N. Dai, J. Crystal Growth 260, 109 (2004).
13. S.-Y. Chen and I.-W. Chen, J. Am. Ceram. Soc. 77, 2337 (1994).
14. G. Abbruzzese, I. Heckelmann, and K. Lucke, Acta Metallurgica et Materillia 40, 519 (1992).
15. S. B. Ren, J. L. C, J. S. liu, H. M. Shen, and Y. N. Wang, Phys. Rev. B 54, 14337 (1996).