Raman characterization of B and Ge distribution in individual B-doped Si1-xGex alloy nanowires

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 113, Issue 14, 2009, Pages 5467-5471

  Nishimura, Chiharu ^a   Imamura, Go ^a   Fujii, Minoru ^a   Kawashima, Takahiro ^b   Saitoh, Tohru ^b   Hayashi, Shinji ^a  

^a KOBE UNIVERSITY   (Japan)

^b PANASONIC CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

B-DOPED SI; CONFORMAL DEPOSITIONS; CORE-SHELL STRUCTURES; GE DISTRIBUTIONS; MICRO-RAMAN SPECTROSCOPIES; RAMAN CHARACTERIZATIONS; RAMAN DATUM; STRONG CORRELATIONS; VAPOR-LIQUID-SOLID PROCESS;

CONCENTRATION (PROCESS); ELECTRIC WIRE; NANOWIRES; SILICON ALLOYS;

GERMANIUM;

EID: 65249164923     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp811406y     Document Type: Article

References (27)

1. Whang, S. J.; Lee, S. J.; Yang, W. F.; Cho, B. J.; Kwong, D. L. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 072105.
2. Kim, C.-J.; Yang, J.-E.; Lee, H.-S.; Jang, M.; Jo, M.-H.; Park, W.-H.; Kim, Z. H.; Maeng, S. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 033104.
3. Cui, Y.; Wei, Q.; Park, H.; Lieber, C. M. Science 2001, 293, 1289.
4. Hahm, J.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2004, 4, 51.
5. Peng, K.; Xu, Y.; Wu, Y.; Yan, Y.; Lee. S.-T.; Zhu. J. Small 2005, 1, 1062.
6. Shim, H.-S.; Na, S.-L; Nam, S. H.; Ahn, H.-J.; Kim, H. J.; Kim, D.-Y.; Kim, W. B. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 183107.
7. Cheng, Y.; Fang, G.; Li, C.; Yuan, L.; Ai, L.; Chen, B.; Zhao, X.; Chen, Z.; Bai, W.; Zhan, C. J. Appl. Phys. 2007, 102, 083516.
8. Peng, K.; Wang, X.; Lee, S.-T. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 163103.
9. Tian, B.; Zheng, X.; Kempa, T. J.; Fang, Y.; Yu, N.; Yu, G.; Huang, J.; Lieber, C. M. Nature 2007, 449, 885.
10. Tsakalakos. L.; Balch, J.; Fronheiser. J.; Korevaar, B. A.; Sulima, O.; Rand, J. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 233117.
11. Mori, K.; Shoda, K.; Kohno, H. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 083111.
12. Tutuc, E.; Guha, S.; Chu, J. O. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 043113.
13. Morales, A.; Lieber, C. Science 1998, 279, 208-211.
14. Sutter, E.; Sutter, P. Nano Lett. 2008, 8, 411.
15. Kodambaka, S.; Tersoff, J.; Reuter, M. C.; Ross, F. M. Science 2007, 316, 729.
16. Zhang, X.; Lew. K.-K.; Nimmatoori, P.; Redwing, J. M.; Dickey, E. C. Nano Lett. 2007, 7, 3241.
17. Lew, K.-K.; Pan, L.; Dickey, E. C.; Redwing, J. M. Adv. Mater. 2003, 15, 2073.
18. Yang, J.-E.; Jin, C.-B.; Kim, C.-J.; Jo, M.-H. Nano Lett. 2006, 6, 2679.
19. Kawashima, T.; Imamura, G.; Saitoh, T.; Komori, K.; Fujii, M.; Hayashi, S. J. Appl. Phys. 2007, 102, 124307.
20. Nishimura, C.; Imamura, G.; Fujii, M.; Kawashima, T.; Saitoh, T.; Hayashi, S. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 203101.
21. Mori, K.; Shoda, K.; Kohno, H. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 083111.
22. Imamura, G.; Kawashima, T.; Fujii, M.; Nishimura, C.; Saitoh, T.; Hayashi, S.Nano Lett. 2008, 8, 2620.
23. Kawashima, T.; Imamura, G.; Saitoh, T.; Komori, K.; Fujii, M.; Hayashi, S. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 15160.
24. Tsang, J. C.; Mooney, P. M.; Dacol, F.; Chu, J. O. J.Appl. Phys. 1994, 75, 8098.
25. Alonso, M. I.; Winter, K. Phys. Rev. B 1989, 39, 10056.
26. Fano, U. Phys. Rev. 1961, 124, 1866.
27. Jang, S. M. K.; Reif, R. J. Electrochem. Soc. 1995, 142, 3513.