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Volumn 94, Issue 9, 2009, Pages

Dependence of resistance drift on the amorphous cap size in phase change memory arrays

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DYNAMICS; GERMANIUM; SEMICONDUCTOR STORAGE; SYSTEM THEORY; TELLURIUM COMPOUNDS;

CRYSTALLIZATION PROCESS; DRIFT DYNAMICS; IN-PHASE; MULTI-LEVEL PROGRAMMING; RESISTANCE LEVELS; RESISTANCE STATE; STATISTICAL ANALYSIS;

PHASE CHANGE MEMORY;

EID: 62149120875 PISSN: 00036951 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1063/1.3088859 Document Type: Article

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.