An FTIR study of the surface chemistry of the dynamic Si(100) surface during etching in alkaline solution

Faraday Discussions

Volumn 121, Issue 1, 2002, Pages 167-180

  Haiss, Wolfgang ^a   Raisch, Philipp ^a   Schiffrin, David J ^a   Bitsch, Lennart ^a   Nichols, Richard J ^a  

^a UNIVERSITY OF LIVERPOOL   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 57249095597     PISSN: 13596640     EISSN: 13645498     Source Type: Journal    
DOI: 10.1039/b200408a     Document Type: Article

References (35)

1. C. Strandman L. Rosengren H. G. A. Elderstig Y. Backlund J. Microelectromech. Syst. 1995 4 213.
2. J. B. Price, in Semiconductor Silicon, 2nd International Symposium on Silicon Material Science and Technology, The Electrochemical Society, Princeton, NJ, 1973, p. 339.
3. I. Zubel Sens. Actuators, A 1998 70 260.
4. O. J. Glembocki E. D. Palik G. R. De Guel D. L. Kendall J. Electrochem. Soc. 1991 138 1055.
5. O. J. Glembocki R. E. Stahlbush M. Tomkiewicz J. Electrochem. Soc. 1985 132 145.
6. X. H. Xia J. J. Kelly Phys. Chem. Chem. Phys. 2001 3 5304.
7. L. M. Peter D. J. Blackwood S. Pons Phys. Rev. Lett. 1989 62 308.
8. O. M. R. Chyan J. J. Wu J. J. Chen Appl. Spectrosc. 1997 51 1905.
9. K. Sawara T. Yasaka S. Miyazaki M. Hirose Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 1992 31 L931.
10. C. Mazzara J. Jupille W. Q. Zheng M. Tanguy A. Tadjeddine P. Dumas Surf. Sci. 1999 428 208.
11. C. H. Bjorkman M. Fukuda T. Yamazaki S. Miyazaki M. Hirose Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 1995 34 722.
12. P. Dumas Y. J. Chabal G. S. Higashi J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1990 54 103.
13. Y. J. Chabal Physica B 1991 170 447.
14. P. Jakob Y. J. Chabal J. Chem. Phys. 1991 95 2897.
15. G. J. Pietsch Y. J. Chabal G. S. Higashi Surf. Sci. 1995 333 395.
16. J. Rappich H. J. Lewerenz H. Gerischer J. Electrochem. Soc. 1993 140 L187.
17. D. B. Mawhinney J. A. Glass J. T. Yates J. Phys. Chem. B 1997 101 1202.
18. F. Ozanam A. Djebri J. N. Chazalviel Electrochim. Acta 1996 41 687.
19. E. P. Boonekamp J. J. Kelly J. Vandeven A. H. M. Sondag J. Appl. Phys. 1994 75 8121.
20. P. M. M. C. Bressers J. J. Kelly J. G. E. Gardeniers M. Elwenspoek J. Electrochem. Soc. 1996 143 1744.
21. We are grateful to J. N. Chazalviel for providing advice on prism preparation.
22. A. Bewick M. Kalaji G. Larramona J. Electroanal. Chem. 1991 318 207.
23. P. Raisch W. Haiss R. J. Nichols D. J. Schiffrin Electrochim. Acta 2000 45 4635.
24. J. W. Faust E. D. Palik J. Electrochem. Soc. 1983 130 1413.
25. P. Dumas Y. J. Chabal P. Jakob Surf. Sci. 1992 270 867.
26. Y. J. Chabal G. S. Higashi K. Raghavachari V. A. Burrows J. Vac. Sci. Technol. A 1989 7 2104.
27. D. K. Lambert Electrochim. Acta 1996 41 623.
28. V. A. Burrows Y. J. Chabal G. S. Higashi K. Raghavachari S. B. Christman Appl. Phys. Lett. 1988 53 998.
29. E. D. Palik O. J. Glembocki I. Heard J. Electrochem. Soc. 1987 134 404.
30. P. M. M. C. Bressers S. A. S. P. Pagano J. J. Kelly J. Electroanal. Chem. 1995 391 159.
31. Y. J. Chabal S. B. Christman Phys. Rev. B 1984 29 6974.
32. H. Ibach H. Wagner D. Bruchmann Solid State Commun. 1982 42 457.
33. P. Allongue C. H. de Villeneuve S. Morin R. Boukherroub D. D. M. Wayner Electrochim. Acta 2000 45 4591.
34. A. Borghesi G. Guizzetti A. Sassella O. Bisi L. Pavesi Solid State Commun. 1994 89 615.
35. F. Ozanam J. N. Chazalviel J. Electroanal. Chem. 1989 269 251.