Electrical characteristics of temperature-difference liquid phase deposited SiO 2 on GaN with (NH 4) 2S x treatment

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 205, Issue 11, 2008, Pages 2679-2682

  Lee, Ming Kwei ^a   Ho, Chen Lin ^a   Zeng, Jia Yi ^a  

^a NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

A STABLES; BORIC ACIDS; DEPOSITION SOLUTIONS; EFFECTIVE OXIDE CHARGES; ELECTRICAL CHARACTERISTICS; LIQUID PHASE; MOS DIODES; NATIVE OXIDES; SIO2 FILMS; TERMINATED SURFACES;

ACIDS; ELECTRIC FIELDS; GALLIUM NITRIDE; INORGANIC ACIDS; LEAKAGE CURRENTS; PHASE INTERFACES; SEMICONDUCTING GALLIUM; SILICON COMPOUNDS; SURFACE TREATMENT;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 55849100031     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200723627     Document Type: Article

References (24)

1. C. H. Lin, C. F. Lai, T. S. Ko, H. W. Huang, H. C. Kuo, Y. Y. Hung, K. M. Leung, C. C. Yu, R. J. Tsai, C. K. Lee, T. C. Lu, and S. C. Wang, Photon, Technol. Lett. 18, 2050 (2006).
2. D. You, Y. W. Tang, J. T. Xu, X. Li, X. Y. Li, and H. M. Gong, Appl. Phys. Lett. 89, 062107 (2006).
3. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and Y. Sano, Appl. Phys. Lett. 84, 613 (2004).
4. M. A. Khan, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys, Lett. 77, 1339 (2000).
5. M. C. Hsu, Y. M. Sun, I. C. Leu, and M. H. Hona, J. Electrochem. Soc. 153, F260 (2006).
6. D. G. Tauste, S. Domenech, M. A. Hernandez, and J. A. Ayllon, J. Mater. Chem. 16, 2249 (2006).
7. M. K. Lee, C. L. Ho, and J. Y. Zeng, phys. stat. sol. (a) 205, 231 (2008).
8. C. B. Vartuli, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, F. Ren, J. C. Zolper, and R. J. Shul, Solid-State Electron. 41, 1947 (1997).
9. X. A. Cao, S. J. Pearton, G. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett. 75, 4130 (1999).
10. K. N. Lee, S. M. Donovan, B. Gila, M. Overberg, J. D. Mackenzie, C. R. Abernathy, and R. G. Wilson, J. Electrochem. Soc. 147, 3087 (2000).
11. R. Lyer, R. R. Chang, A. Dubey, and D. L. Lile, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1174 (1988).
12. T. Maruyama, K. Yorozu, T. Noguchi, Y. Seki, Y. Saito, T. Araki, and Y. Nanishi, phys. stat. sol, (c) 0, 2031 (2003).
13. R. W. M. Kwok, L. J. Huang, W. M. Lau, M. Kasrai, X. Feng, K. Tan, S. Ingrey, and D. Landheer, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 2701 (1994).
14. P. Moriarty, B. Murphy, L. Roberts, and A. A. Cafolla, Appl. Phys. Lett. 67, 383 (1995).
15. A. C. Ferraz and G. P. Srivastava, Appl. Surf. Sci. 142, 23 (1999).
16. S. D. Wolter, B. P. Luther, D. L. Waltemyer, C. Onneby, S. E. Mohney, and R. J. Molar, Appl. Phys. Lett. 70, 2156 (1997).
17. J. K. Kim, C. C. Kim, T. S. Cho, J. H. Je, J. S. Kwak, Y. J. Park, and J. L. Lee, J. Electron. Mater. 30, 170 (2001).
18. T. Homma, T. Katoh, Y. Yamada, and Y. Murao, J. Electrochem. Soc. 140, 2410 (1993).
19. R. Klauser, M. Kubota, Y. Murata, M. Oshima, Y. Y. Maruo, T. Kawamura, and T. Miyahara, Phys. Rev. B 40, 3301 (1989).
20. M. K. Lee, C. M. Shih, S. M. Chang, H. C. Wang, and J. J. Huang, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L220 (2005).
21. E. H. Nicollian and J. R. Brews, MOS (Metal Oxide Semi-conductor) Physics and Technology (Wiley, New York, 2003).
22. J. S. McCalmont, H. C. Casey, Jr., T. Y. Wang, and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. 71, 15 (1992).
23. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981).
24. K. L. Yeh, M. J. Jeng, and J. G. Hwu, Solid-State Electron. 43, 671 (1999).