Effect of the temperature gradient between a substrate and its ambient on the growth of vertically-aligned GaN nanorods

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 53, Issue 2, 2008, Pages 908-911

  Sohn, Yuri ^a   Lee, Sanghwa ^a   Choe, Hyeokmin ^a   Kim, Chinkyo ^a  

^a Kyung Hee University   (South Korea)

Author keywords

GaN; Hydride vapor phase epitaxy; Nanorods; X ray diffraction

Indexed keywords

EID: 50949088135     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.53.908     Document Type: Article

References (13)

1. M. S. Gudiksen, L. J. Lauhon, J. Wang, D. Smith and C. M. Lieber, Nature 415, 617 (2002).
2. J. Wang, M. S. Gudiksen, X. Duan, Y. Cui and C. M. Lieber, Science 293, 1455 (2001).
3. Y. Cui, Q. Wei, H. Park and C. M. Lieber, Science 293, 1289 (2001).
4. W. I. Park, J. S. Kim, G. C. Yi and H. J. Lee, Adv. Mater. 17, 1393 (2005).
5. W. I. Park, J. S. Kim, G. C. Yi, M. H. Bae and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 85, 5052 (2004).
6. C. Kim, S. Lee, H. Lee and M. Cho, J. Korean Phys. Soc. 48, 1321 (2006).
7. J. S. Kwak, J. Cho and C. Sone, J. Korean Phys. Soc. 48, 1259 (2006).
8. G. T. Wang, A. A. Talin, D. J. Werder, J. R. Creighton, E. Lai, R. J. Anderson and I. Arslan, Nanotechnology 17, 5773 (2007).
9. K. Kusakabe, A. Kikuchi and K. Kishino, J. Cryst. Growth 237, 988 (2002).
10. B. W. Jacobs, V. M. Ayres, M. P. Petkov, J. B. Halpern, M. He, A. D. Baczewski, K. McElroy, M. A. Crimp, J. Zhang and H. C. Shaw, Nano Letters 7, 1435 (2007).
11. C. Y. Nam, D. Tham and J. E. Fischer, Appl. Phys. Lett. 85, 5676 (2004).
12. H. M. Kim, Y. H. Cho, H. Lee, S. I. Kim, S. R. Ryu, D. Y. Kim, T. W. Kang and K. S. Chung, Nano. Lett. 4, 1059 (2004).
13. B. Shin, S. Lee, H. Choe, T. Oh, J. W. Jean, Y. Sohn and C. Kim, J. Korean Phys. Soc. 51, S212 (2007).