The characteristics and interfacial electronic structures of organic thin film transistor devices with ultrathin (HfO2)x(SiO 2)1-x gate dielectrics

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 21, 2008, Pages

  Cho, S W ^a   Jeong, J G ^a   Park, S H ^a   Cho, M H ^a   Jeong, K ^a   Whang, C N ^a   Yi, Y ^b  

^a Yonsei University   (South Korea)

^b Korea Research Institute of Standards and Science   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DRAIN CURRENT; ELECTRONIC STRUCTURE; GATE DIELECTRICS; THRESHOLD VOLTAGE; ULTRATHIN FILMS; VOLTAGE MEASUREMENT;

GATE DIELECTRIC LAYERS; INTERFACIAL ELECTRONIC STRUCTURES; LOW-VOLTAGE OPERATION; ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR DEVICES;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 44449165087     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2931697     Document Type: Article

References (16)

1. H. E. A. Huitema, G. H. Gelinck, J. B. P. H. van der Putten, K. E. Kuijk, K. M. Hart, E. Cantatore, and D. M. de Leeuw, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 1201 (2002).
2. B. Comiskey, J. D. Albert, H. Yoshizawa, and J. Jacobson, Nature (London) 394, 253 (1998).
3. C. D. Dimitrakopoulos and P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 99 (2002).
4. C. D. Sheraw, L. Zhou, J. R. Huang, D. J. Gundlach, T. N. Jackson, M. G. Kane, I. G. Hill, M. S. Hammond, J. Campi, B. K. Greening, J. Francl, and J. West, Appl. Phys. Lett. 80, 1088 (2002).
5. F. Eder, H. Klauk, M. Halik, U. Zschieschang, G. Schmid, and C. Dehm, Appl. Phys. Lett. 84, 2673 (2004).
6. R. Wisnieff, Nature (London) 394, 225 (1998).
7. P. F. Baude, D. A. Ender, M. A. Haase, T. W. Kelley, D. V. Muyres, and S. D. Theiss, Appl. Phys. Lett. 82, 3964 (2003).
8. S. W. Cho, D. S. Park, W. C. Jang, M. H. Cho, K. H. Yoo, K. Jeong, C. N. Whang, Y. Yi, and K. B. Chung, J. Appl. Phys. 102, 064502 (2007).
9. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
10. M. H. Cho, K. B. Chung, and D. H. Ko, Appl. Phys. Lett. 89, 142908 (2006).
11. D. K. Hwang, K. Lee, J. H. Kim, S. Im, C. S. Kim, H. K. Baik, J. H. Park, and E. Kim, Appl. Phys. Lett. 88, 243513 (2006).
12. C. S. Kim, S. J. Jo, S. W. Lee, W. J. Kim, H. K. Baik, S. J. Lee, D. K. Hwang, and S. Im, Appl. Phys. Lett. 88, 243515 (2006).
13. Y. M. Sun, Y. Q. Liu, Y. Q. Ma, C. G. Di, Y. Wang, W. P. Wu, G. Yu, W. P. Hu, and D. B. Zhu, Appl. Phys. Lett. 88, 242113 (2006).
14. K. P. Pernstich, S. Haas, D. Oberhoff, C. Goldmann, D. J. Gundlach, B. Batlogg, A. N. Rashid, and G. Schitter, J. Appl. Phys. 96, 6431 (2004).
15. H. Peisert, M. Knupfer, and J. Fink, Appl. Phys. Lett. 81, 2400 (2002).
16. N. J. Watkins and Y. Gao, J. Appl. Phys. 94, 1289 (2003).