Self-organization of nanostructures on planar and patterned high-index semiconductor surfaces

Microelectronics Journal

Volumn 28, Issue 8-10, 1997, Pages 875-885

  Nötzel, Richard ^a  

^a PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 4244117319     PISSN: 00262692     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/s0026-2692(96)00127-9     Document Type: Article

References (27)

1. Nötzel, R., Ledentsov, N., Däweritz, L., Hohenstein, M. and Ploog, K., Phys. Rev. Lett., 67 (1991) 3812.
2. Nötzel, R., Temmyo, J. and Tamamura, T., Nature, 369 (1994) 131.
3. Nötzel, R., Ledentsov, N., Däweritz, L., Hohenstein, M. and Ploog, K., Phys. Rev. B, 45 (1992) 3507.
4. Nötzel, R., Eissler, D., Hohenstein, M. and Ploog, K., J. Appl. Phys., 74 (1993) 431.
5. Nötzel, R., Temmyo, J. and Tamamura, T., Appl. Phys. Lett., 64 (1994) 3557.
6. Nötzel, R., Temmyo, J. and Tamamura, T., Jpn. J. Appl. Phys., 33 (1994) L275.
7. Nötzel, R., Temmyo, J., Tamamura, T., Fukui, T. and Hasegawa, H., Jpn. J. Appl. Phys., 34 (1995) L872.
8. Nötzel, R., Fukui, T., Hasegawa, H., Temmyo, J. and Tamamura, T., Appl. Phys. Lett., 65 (1994) 2854.
9. Nötzel, R., Temmyo, J., Kamada, H., Furuta, T. and Tamamura, T., Appl Phys. Lett., 65 (1994) 457.
10. Nötzel, R., Temmyo, J., Kozen, A. and Tamamura, T., Appl. Phys. Lett., 66 (1995) 2525.
11. Kapon, E., Hwang, D. and Bhat, R., Phys. Rev. Lett., 63 (1989) 430.
12. Lopez, M., Ishikawa, T. and Nomura, Y., Jpn. J. Appl. Phys., 3 (1993) L1051.
13. Walther, M., Röhr, T., Böhm, G., Tränkle, G. and Weimann, G. J. Crystal Growth, 127 (1993) 1045.
14. Koshiba, S., Noge, H., Akiyama, H., Inoshita, T., Nakamura, Y., Shimizu, A., Nagamune, Y., Tsuchiya, M., Kano, H., Sakaki, H. and Wada, K., Appl. Phys. Lett., 64 (1994) 363.
15. Rajkumar, K.C., Madhukar, A., Chen, P., Konkar, A., Chen, L., Rammohan, K. and Rich, D.H., J. Vac. Sci. Technol. B, 12 (1994) 1071.
16. Tsang, W.T. and Cho, A.Y., Appl. Phys. Lett., 30 (1977) 293.
17. Nötzel, R., Menniger, J., Ramsteiner, M., Ruiz, A., Schönherr, H.P. and Ploog, K.H., Appl. Phys. Lett., 68 (1996) 1132.
18. Nötzel, R., Menniger, J., Ramsteiner, M., Trampert, A., Schönherr, H.P., Däweritz, L. and Ploog, K.H., J. Crystal Growth (in press).
19. Nötzel, R. Ramsteiner, M., Menniger, J., Trampert, A., Schönherr, H.P., Däweritz, L. and Ploog, K.H.J. Appl. Phys. 80 (1996) 4108.
20. Nötzel, R., Ramsteiner, M., Menniger, J., Trampert, A., Schönherr, H.P., Däweritz, L. and Ploog, K.H., Jpn. J. Appl. Phys., 35 (1996) L297.
21. Nötzel, R., Semi. Sci. Technol. 11 (1996) 1365.
22. Jones, S.H., Seidel, L.K., Lau, K.M. and Harold, M., J. Crystal Growth, 108 (1991) 73.
23. Nomura, Y., Morishita, Y., Goto, S., Katayama, Y. and Isu, T., Jpn. J. Appl. Phys., 30 (1991) 3771.
24. Takebe, T., Fujii, M., Yamamoto, T., Fujita, K. and Kobayashi, K.J. Crystal Growth, 127 (1993) 937.
25. Nomura, Y., Morishita, Y., Goto, S., Katayama, Y. and Isu, T., Appl. Phys. Lett., 64 (1994) 1123.
26. Nash, K.J., Skolnick, M.S., Claxton, P.A. and Roberts, J.S., Phys. Rev. B, 39 (1989) 10943.
27. Bayer, M., Ils, P., Michel, M., Forchel, A., Reinecke, T.L. and Knipp, P.A., Phys. Rev. B, 53 (1996) 4668.