-
1
-
-
0000388426
-
-
JAPNDE 0021-4922 10.1143/JJAP.37.3396.
-
J. -H. Joo, J. -M. Seon, Y. -C. Jeon, K. -Y. Oh, J. -S. Roh, J. -J. Kim, and J. -T. Choi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 JAPNDE 0021-4922 10.1143/JJAP.37.3396, 37, 3396 (1998).
-
(1998)
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
, vol.37
, pp. 3396
-
-
Joo, J.-H.1
Seon, J.-M.2
Jeon, Y.-C.3
Oh, K.-Y.4
Roh, J.-S.5
Kim, J.-J.6
Choi, J.-T.7
-
2
-
-
33646386918
-
-
JESOAN 0013-4651 10.1149/1.2188328.
-
M. Damayanti, T. Sritharan, Z. H. Gan, S. G. Mhaisalkar, N. Jiang, and L. Chan, J. Electrochem. Soc. JESOAN 0013-4651 10.1149/1.2188328, 153, J41 (2006).
-
(2006)
J. Electrochem. Soc.
, vol.153
, pp. 41
-
-
Damayanti, M.1
Sritharan, T.2
Gan, Z.H.3
Mhaisalkar, S.G.4
Jiang, N.5
Chan, L.6
-
3
-
-
9544231698
-
-
MSSPFQ 1369-8001 10.1016/j.mss2004.09.011.
-
M. apajna, P. Písečny, R. Lupták, K. Hušeková, K. Fröhlich, L. Harmatha, J. C. Hooker, F. Roozeboom, and J. Jergel, Mater. Sci. Semicond. Process. MSSPFQ 1369-8001 10.1016/j.mssp.2004.09.011, 7, 271 (2004).
-
(2004)
Mater. Sci. Semicond. Process.
, vol.7
, pp. 271
-
-
Apajna, M.1
Písečny, P.2
Lupták, R.3
Huš eková, K.4
Fröhlich, K.5
Harmatha, L.6
Hooker, J.C.7
Roozeboom, F.8
Jergel, J.9
-
4
-
-
0038718815
-
-
0935-9648
-
Y. -S. Min, E. J. Bae, K. S. Jeong, Y. J. Cho, J. -H. Lee, W. B. Choi, and G. -S. Park, Adv. Mater., 15, 1019 (2003). 0935-9648
-
(2003)
Adv. Mater.
, vol.15
, pp. 1019
-
-
Min, Y.-S.1
Bae, E.J.2
Jeong, K.S.3
Cho, Y.J.4
Lee, J.-H.5
Choi, W.B.6
Park, G.-S.7
-
5
-
-
33947543555
-
-
NNOTER 0957-4484 10.1088/0957-4484/18/5/055303.
-
J. Biener, T. F. Baumann, Y. Wang, E. J. Nelson, S. O. Kucheyev, A. V. Hamza, M. Kemell, M. Ritala, and M. Leskelä, Nanotechnology NNOTER 0957-4484 10.1088/0957-4484/18/5/055303, 18, 055303 (2007).
-
(2007)
Nanotechnology
, vol.18
, pp. 055303
-
-
Biener, J.1
Baumann, T.F.2
Wang, Y.3
Nelson, E.J.4
Kucheyev, S.O.5
Hamza, A.V.6
Kemell, M.7
Ritala, M.8
Leskelä, M.9
-
6
-
-
33846389385
-
-
1530-6984
-
C. -C. Hu, K. -H. Chang, M. -C. Lin, and Y. -T. Wu, Nano Lett., 6, 2690 (2006). 1530-6984
-
(2006)
Nano Lett.
, vol.6
, pp. 2690
-
-
Hu, C.-C.1
Chang, K.-H.2
Lin, M.-C.3
Wu, Y.-T.4
-
7
-
-
0037943019
-
-
CVDEFX 0948-1907 10.1002/cvde.200290007.
-
T. Aaltonen, P. Aĺn, M. Ritala, and M. Leskelä, Chem. Vap. Deposition CVDEFX 0948-1907 10.1002/cvde.200290007, 9, 45 (2003).
-
(2003)
Chem. Vap. Deposition
, vol.9
, pp. 45
-
-
Aaltonen, T.1
Aĺn, P.2
Ritala, M.3
Leskelä, M.4
-
8
-
-
0041916147
-
-
ESLEF6 1099-0062 10.1149/1.1595312.
-
T. Aaltonen, A. Rahtu, M. Ritala, and M. Leskelä, Electrochem. Solid-State Lett. ESLEF6 1099-0062 10.1149/1.1595312, 6, C130 (2003).
-
(2003)
Electrochem. Solid-State Lett.
, vol.6
, pp. 130
-
-
Aaltonen, T.1
Rahtu, A.2
Ritala, M.3
Leskelä, M.4
-
9
-
-
10844260791
-
-
JESOAN 0013-4651 10.1149/1.1809576.
-
O. -K. Kwon, S. -H. Kwon, H. -S. Park, and S. -W. Kang, J. Electrochem. Soc. JESOAN 0013-4651 10.1149/1.1809576, 151, C753 (2004).
-
(2004)
J. Electrochem. Soc.
, vol.151
, pp. 753
-
-
Kwon, O.-K.1
Kwon, S.-H.2
Park, H.-S.3
Kang, S.-W.4
-
10
-
-
18644382518
-
-
APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1852079.
-
K. J. Park, J. M. Doub, T. Gougousi, and G. N. Parsons, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1852079, 86, 051903 (2005).
-
(2005)
Appl. Phys. Lett.
, vol.86
, pp. 051903
-
-
Park, K.J.1
Doub, J.M.2
Gougousi, T.3
Parsons, G.N.4
-
11
-
-
42349104230
-
-
S. -S. Yim, D. -J. Lee, K. -S. Kim, K. -B. Kim, S. -H. Kim, and T. -S. Yoon, To be submitted
-
S. -S. Yim, D. -J. Lee, K. -S. Kim, K. -B. Kim, S. -H. Kim, and T. -S. Yoon, To be submitted.
-
-
-
-
12
-
-
0000848295
-
-
JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.368911.
-
A. P. Li, F. Müller, A. Birner, K. Nielsch, and U. Gösele, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.368911, 84, 6023 (1998).
-
(1998)
J. Appl. Phys.
, vol.84
, pp. 6023
-
-
Li, A.P.1
Müller, F.2
Birner, A.3
Nielsch, K.4
Gösele, U.5
-
13
-
-
33748280650
-
-
APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2338793.
-
S. -S. Yim, M. -S. Lee, K. -S. Kim, and K. -B. Kim, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2338793, 89, 093115 (2006).
-
(2006)
Appl. Phys. Lett.
, vol.89
, pp. 093115
-
-
Yim, S.-S.1
Lee, M.-S.2
Kim, K.-S.3
Kim, K.-B.4
-
14
-
-
33750445251
-
-
ESLEF6 1099-0062 10.1149/1.2360018.
-
S. -H. Park, Y. Lee, J. -K. Lee, and K. -B. Kim, Electrochem. Solid-State Lett. ESLEF6 1099-0062 10.1149/1.2360018, 9, D31 (2006).
-
(2006)
Electrochem. Solid-State Lett.
, vol.9
, pp. 31
-
-
Park, S.-H.1
Lee, Y.2
Lee, J.-K.3
Kim, K.-B.4
-
16
-
-
33751385818
-
-
JPCHAX 0022-3654 10.1021/j100121a040.
-
S. Haukka, E. -L. Lakomaa, and A. Root, J. Phys. Chem. JPCHAX 0022-3654 10.1021/j100121a040, 97, 5085 (1993).
-
(1993)
J. Phys. Chem.
, vol.97
, pp. 5085
-
-
Haukka, S.1
Lakomaa, E.-L.2
Root, A.3
-
17
-
-
2442501582
-
-
JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1689732.
-
R. L. Puurunen, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1689732, 95, 4777 (2004).
-
(2004)
J. Appl. Phys.
, vol.95
, pp. 4777
-
-
Puurunen, R.L.1
-
18
-
-
0141567439
-
-
CMATEX 0897-4756 10.1021/cm0303080.
-
J. W. Elam, D. Routkevitch, P. P. Mardilovich, and S. M. George, Chem. Mater. CMATEX 0897-4756 10.1021/cm0303080, 15, 3507 (2003).
-
(2003)
Chem. Mater.
, vol.15
, pp. 3507
-
-
Elam, J.W.1
Routkevitch, D.2
Mardilovich, P.P.3
George, S.M.4
-
19
-
-
0141610893
-
-
CVDEFX 0948-1907 10.1002/cvde.200390005.
-
R. G. Gordon, D. Hausmann, E. Kim, and J. Shepard, Chem. Vap. Deposition CVDEFX 0948-1907 10.1002/cvde.200390005, 9, 73 (2003).
-
(2003)
Chem. Vap. Deposition
, vol.9
, pp. 73
-
-
Gordon, R.G.1
Hausmann, D.2
Kim, E.3
Shepard, J.4
|