Ruthenium oxide nanotube arrays fabricated by atomic layer deposition using a carbon nanotube template

Advanced Materials

Volumn 15, Issue 12, 2003, Pages 1019-1022

  Min, Yo Sep ^a   Bae, Eun Ju ^a   Jeong, Kwang Seok ^a   Cho, Young Jin ^a   Lee, Jung Hyun ^a   Choi, Won Bong ^a   Park, Gyeong Su ^a  

^a Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ADSORPTION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; OXIDATION; RUTHENIUM COMPOUNDS; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; THIN FILMS;

ATOMIC LAYER DEPOSITION;

CARBON NANOTUBES;

EID: 0038718815     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200304452     Document Type: Article

References (28)

1. S. Iijima, Nature 1991, 354, 56.
2. a) P. Poncharal, Z. L. Wang, D. Ugarte, W. A. de Heer, Science 1999, 283, 1513.
3. b) R. H. Baughman, C. Cui, A. A. Zakhidov, Z. Iqbal, J. N. Barisci, G. M. Spinks, G. G. Wallace, A. Mazzoldi, D. D. Rossi, A. G. Rinzler, O. Jaschinski, S. Roth, M. Kertesz, Science 1999, 284, 1340.
4. a) S. J. Tans, A. R. M. Verschueren, C. Dekker, Nature 1998, 393, 49.
5. b) W. B. Choi, J. U. Chu, K. S. Jeong, E. J. Bae, J. W. Lee, J. J. Kim, J. O. Lee, Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 3696.
6. a) O. H. Wang, A. A. Setlur, J. M. Lauerhaas, J. Y. Dai, E. W. Seelig, R. P. H. Chang, Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 2912.
7. b) S. Fan, M. G. Chapline, N. R. Franklin, T. W. Tombler, A. M. Cassell, H. Dai, Science 1999, 283, 512.
8. a) J. Kong, N. R. Franklin, C. Zhou, M. G. Chapline, S. Peng, K. Cho, H. Dai, Science 2000, 287, 622.
9. b) P. G. Collins, K. Bradley, M. Ishigami, A. Zettl, Science 2000, 287, 1801.
10. a) R. Tenne, L. Margulis, M. Genut, G. Hodes, Nature 1992, 360, 444.
11. b) Y. Feldman, E. Wasserman, D. J. Srolovitz, R. Tenne, Science 1995, 267, 222.
12. c) E. J. M. Hamilton, S. E. Dolan, C. E. Mann, H. O. Colijin, C. A. McDonald, S. G. Shore, Science 1993, 260, 659.
13. a) P. Hoyer, Langmuir 1996, 12, 1411.
14. b) B. C. Satishkumar, A. Govindaraj, E. M. Vogl, L. Basumallick, C. N. R. Rao, J. Mater. Res. 1997, 12, 604.
15. c) C. N. R. Rao, B. C. Satishkumar, A. Govindaraj, Chem. Commun. 1997, 1581.
16. d) M. E. Spahr, P. Bitterli, R. Nesper, M. Müller, F. Krumeich, H. U. Nissen, Angew. Chem. Int. Ed. 1998, 37, 1263.
17. e) P. Hoyer, Adv. Mater. 1996, 8, 857.
18. a) P. M. Ajayan, O. Stephan, P. Redlich, C. Colliex, Nature 1995, 375, 564.
19. b) W. Han, S. Fan, O. Li, Y. Hu, Science 1997, 277, 1287.
20. c) W. Han, Y. Bando, K. Kurashima, T. Sato, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 3085.
21. d) J. Sloan, J. Hammer, M. Zwiefka-Sibley, M. L. H. Green, Chem. Commun. 1998, 347.
22. e) C. J. Brumlik, C. R. Martin, J. Am. Chem. Soc. 1991, 113, 3174.
23. f) B. C. Satishkumar, A. Govindaraj, M. Nath, C. N. R. Rao, J. Mater. Chem. 2000, 2115.
24. T. Suntola, Handbook of Crystal Growth, Vol. 3 (Ed: D. T. J. Hurle), Elsevier, Amsterdam 1994, p. 601.
25. E. J. Bae, W. B. Choi, K. S. Jeong, J. U. Chu, G. S. Park, S. S. Song, I. K. Yoo, Adv. Mater. 2002, 14, 277.
26. a) K. Onozawa, A. Masuko, US Patent 6316064 B1, 2001.
27. b) J. H. Lee, J. Y. Kim, S. W. Rhee, D. Y. Yang, D. H. Kim, C. H. Yang, Y. K. Han, C. J. Hwang, J. Vac. Sci. Technol. A 2000, 18, 2400.
28. I. K. Igumenov, A. E. Turgambaeva, P. P. Semyannikov, J. Phys. IV 2001, 11, Pr3-505.