A silicon radio-frequency single electron transistor

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 11, 2008, Pages

  Angus, S J ^a   Ferguson, A J ^a,b   Dzurak, A S ^a   Clark, R G ^a  

^a UNIVERSITY OF NEW SOUTH WALES   (Australia)

^b UNIVERSITY OF CAMBRIDGE   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BANDWIDTH; ELECTROMETERS; ENERGY BARRIERS; SILICON;

CHARGE SENSITIVITIES; SINGLE ELECTRON TRANSISTOR; TUNABLE TUNNEL BARRIERS;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 41049106884     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2831664     Document Type: Article

References (18)

1. J. M. Elzerman, R. Hanson, L. H. W. van Beveren, B. Witkamp, L. M. K. Vandersypen, and L. P. Kouwenhoven, Nature (London) NATUAS 0028-0836 10.1038/nature02693 430, 431 (2004).
2. F. H. L. Koppens, C. Buizert, K. J. Tielrooij, I. T. Vink, K. C. Nowack, T. Meunier, L. P. Kouwenhoven, and L. M. K. Vandersypen, Nature (London) NATUAS 0028-0836 10.1038/nature05065 442, 766 (2006).
3. J. R. Petta, A. C. Johnson, J. M. Taylor, E. A. Laird, A. Yacoby, M. D. Lukin, C. M. Marcus, M. P. Hanson, and A. C. Gossard, Science SCIEAS 0036-8075 10.1126/science.1116955 309, 2180 (2005).
4. R. J. Schoelkopf, P. Wahlgren, A. A. Kozhevnikov, P. Delsing, and D. E. Prober, Science SCIEAS 0036-8075 10.1126/science.280.5367.1238 280, 1238 (1998).
5. A. Aassime, G. Johansson, G. Wendin, R. J. Schoelkopf, and P. Delsing, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.86.3376 86, 3376 (2001).
6. W. Lu, Z. Q. Ji, L. Pfeiffer, K. W. West, and A. J. Rimberg, Nature (London) NATUAS 0028-0836 10.1038/nature01642 423, 422 (2003).
7. T. Fujisawa, T. Hayashi, Y. Hirayama, H. D. Cheong, and Y. H. Jeong, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1691491 84, 2343 (2004).
8. M. J. Biercuk, D. J. Reilly, T. M. Buehler, V. C. Chan, J. M. Chow, R. G. Clark, and C. M. Marcus, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.73. 201402 73, 201402 (2006).
9. T. M. Buehler, V. Chan, A. J. Ferguson, A. S. Dzurak, F. E. Hudson, D. J. Reilly, A. R. Hamilton, R. G. Clark, D. N. Jamieson, C. Yang, C. I. Pakes, and S. Prawer, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2203740 88, 192101 (2006).
10. H. W. Liu, T. Fujisawa, Y. Ono, H. Inokawa, A. Fujiwara, K. Takashina, and Y. Hirayama, e-print arXiv:0707.3513v1 (2007).
11. L. J. Klein, D. E. Savage, and M. A. Eriksson, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2431760 90, 033103 (2007).
12. S. J. Angus, A. J. Ferguson, A. S. Dzurak, and R. G. Clark, Nano Lett. NALEFD 1530-6984 10.1021/nl070949k 7, 2051 (2007).
13. Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, H. Inokawa, and Y. Takahashi, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1843271 97, 031101 (2005).
14. A. Fujiwara, H. Inokawa, K. Yamazaki, H. Namatsu, Y. Takahashi, N. M. Zimmerman, and S. B. Martin, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2168496 88, 053121 (2006).
15. A. T. Tilke, F. C. Simmel, H. Lorenz, R. H. Blick, and J. P. Kotthaus, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.68.075311 68, 075311 (2003).
16. A. Gold, S. J. Allen, B. A. Wilson, and D. C. Tsui, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.25.3519 25, 3519 (1982).
17. L. Roschier, P. Hakonen, K. Bladh, P. Delsing, K. W. Lehnert, L. Spietz, and R. J. Schoelkopf, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1635972 95, 1274 (2004).
18. A. N. Korotkov and M. A. Paalanen, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.123258 74, 4052 (1999).