Quantum chemical study of the initial surface reactions of atomic layer deposition GaAs for photonic crystal fabrication

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 11, 2008, Pages

  Dong, Lin ^a   Sun, Qing Qing ^a   Shi, Yu ^a   Liu, Han ^a   Wang, Chen ^a   Ding, Shi Jin ^a   Zhang, David Wei ^a  

^a FUDAN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; ATOMIC LAYER DEPOSITION; DENSITY FUNCTIONAL THEORY; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTONIC CRYSTALS;

ACTIVATION ENERGY BARRIER; MODIFIABLE INTRINSIC OPTOELECTRONIC PROPERTIES;

QUANTUM CHEMISTRY;

EID: 41049096736     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2901880     Document Type: Article

References (18)

1. E. Yablonovitch, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 10.1103/PhysRevLett. 58.2059 58, 2059 (1987).
2. S. John, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.58.2486 58, 2486 (1987).
3. S. L. Kuai, X. F. Hu, and V. V. Truong, J. Cryst. Growth JCRGAE 0022-0248 10.1016/j.jcrysgro.2003.07.029 259, 404 (2003).
4. J. E. G. J. Wijnhoven, L. Bechger, and W. L. Vos, Chem. Mater. CMATEX 0897-4756 10.1021/cm0111581 13, 4486 (2001).
5. T. Sumida, Y. Wada, T. Kitamura, and S. Yanagida, Chem. Lett. CMLTAG 0366-7022 10.1246/cl.2001.38 30, 38 (2001).
6. F. Meseguer, A. Blanco, H. Miguez, F. Garcia-Santamaria, M. Ibisate, and C. Lopez, Colloids Surf., A CPEAEH 0927-7757 10.1016/S0927-7757(01)01084-6 202, 281 (2002).
7. M. Scharrer, X. Wu, A. Yamilov, H. Cao, and R. P. H. Chang, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1900957 86, 151113 (2005).
8. J. H. Lee, W. Leung, J. Ahn, T. Lee, I. S. Park, K. Constant, and K. M. Ho, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2720752 90, 151101 (2007).
9. A. Rugge, J. S. Becker, R. G. Gordon, and S. H. Tolbert, Nano Lett. NALEFD 1530-6984 10.1021/nl034362r 3, 1293 (2003).
10. J. S. King, D. Heineman, E. Graugnard, and C. J. Summers, Appl. Surf. Sci. ASUSEE 0169-4332 10.1016/j.apsusc.2004.10.110 244, 511 (2005).
11. H. B. Park, M. J. Cho, J. Park, S. W. Lee, C. S. Hwang, J. P. Kim, J. H. Lee, N. I. Lee, H. K. Kang, J. C. Lee, and S. Oh, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1599980 94, 3641 (2003).
12. W. Chen, Q. Q. Sun, M. Xu, S. J. Ding, D. W. Zhang, and L. K. Wang, J. Phys. Chem. C JPCCCK 1932-7447 10.1021/jp070362u 111, 6495 (2007).
13. D. P. Gaillot, E. Graugnard, J. Blair, and C. J. Summers, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2793188 91, 181123 (2007).
14. E. Graugnard, V. Chawla, D. Lorang, and C. J. Summers, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2387874 89, 211102 (2006).
15. H. M. Yates, M. E. Pemble, E. Palacios-Lidón, F. García-Santamaría, I. Rodriguez, F. Meseguer, and C. López, Adv. Funct. Mater. AFMDC6 1616-301X 10.1002/adfm.200400248 15, 411 (2005).
16. I. M. Povey, D. Whitehead, K. Thomas, M. E. Pemble, M. Bardosova, and J. Renard, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2345359 89, 104103 (2006).
17. M. J. Frisch, G. W. Trucks, H. B. Schlegel, G. E. Scuseria, M. A. Robb, J. R. Cheeseman, J. A. Montgomery, Jr., T. Vreven, K. N. Kudin, J. C. Burant, J. M. Millam, S. S. Iyengar, J. Tomasi, V. Barone, B. Mennucci, M. Cossi, G. Scalmani, N. Rega, G. A. Petersson, H. Nakatsuji, M. Hada, M. Ehara, K. Toyota, R. Fukuda, J. Hasegawa, M. Ishida, T. Nakajima, Y. Honda, O. Kitao, H. Nakai, M. Klene, X. Li, J. E. Knox, H. P. Hratchian, J. B. Cross, C. Adamo, J. Jaramillo, R. Gomperts, R. E. Stratmann, O. Yazyev, A. J. Austin, R. Cammi, C. Pomelli, J. W. Ochterski, P. Y. Ayala, K. Morokuma, G. A. Voth, P. Salvador, J. J. Dannenberg, V. G. Zakrzewski, S. Dapprich, A. D. Daniels, M. C. Strain, O. Farkas, D. K. Malick, A. D. Rabuck, K. Raghavachari, J. B. Foresman, J. V. Ortiz, Q. Cui, A. G. Baboul, S. Clifford, J. Cioslowski, B. B. Stefanov, G. Liu, A. Liashenko, P. Piskorz, I. Komaromi, R. L. Martin, D. J. Fox, T. Keith, M. A. Al-Laham, C. Y. Peng, A. Nanayakkara, M. Challacombe, P. M. W. Gill, B. Johnson, W. Chen, M. W. Wong, C. Gonzalez, and J. A. Pople, GAUSSIAN 03, Revision B.05, Gaussian, Inc., Pittsburgh, PA, 2003.
18. A. D. Becke, J. Chem. Phys. JCPSA6 0021-9606 10.1063/1.464304 98, 1372 (1993).