Electrical characterization of InAs/InP self-assembled quantum dots with InGaAs strain-relief layers

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 45, Issue 1, 2004, Pages 170-174

  Kim, J S ^a   Kim, E K ^a   Hwang, H ^b   Park, K ^b   Yoon, E ^b   Park, I W ^c   Park, Y J ^d  

^a Hanyang University   (South Korea)

^b Seoul National University   (South Korea)

^c Korea Basic Science Institute (KBSI)   (South Korea)

^d Korea Institute of Science and Technology   (South Korea)

Author keywords

Deep level transient spectroscopy; Emission and capture processes; Energy level; InAs InGaAs; InAs InP; Quantum dots

Indexed keywords

EID: 4043049504     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (18)

1. H. Hwang, K. Park, J. H. Kang, S. Yoon and E. Yoon, Current Appl. Phys. 3, 465 (2003).
2. S. H. Pyun, H. J. Lee, Weon G. Jeong, J. W. Jang, K. H. Park, Y. D. Jang, D. Lee and N. J. Kim, J. Korean Phys. Soc. 43, 561 (2003).
3. Y. D. Jang, J. S. Yim, N. J. Kim, D. Lee, J. W. Jang, K. H. Park, W. G. Jeong and D. K. Oh, J. Korean Phys. Soc. 42, S393 (2003).
4. S. S Kim, M. Erdtmann and M. Razeghi, J. Korean Phys. Soc. 35, S303 (1999).
5. P. N. Brunkov, S. G. Konnikov, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, M. V. Maksimov, N. N. Ledentsov and P. S. Kop'ev, Semiconductors 30, 492 (1996).
6. P. N. Brunkov, A. A. Suvorova, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul'-nikov,A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, S. G. Konnikov, T. Ihn, S. T. Stoddart, L. Eaves and P. C. Main, Physica B 249-251, 267 (1988).
7. S. K. Zhang, H. J. Zhu, F. Lu and X. Wang, Phys. Rev. Lett. 80, 3340 (1998).
8. P. N. Brunkov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, Yu. G. Musikhin, N. N. Ledentsov, S. G. Konnikov, A. Polimeni, A. Patane, P. C. Main, L. Eaves and C. M. A. Kapteyn, J. Electron, Mater. 28, 486 (1999).
9. R. Magno, Brian R. Bennett and E. R. Glaser, J. Appl. Phys. 88, 5843 (2000).
10. S. Anand, N. Carlsson, M. E. Pistol, L. Samuelson and W. Seifert, J. Appl. Phys. 84, 3747 (1988).
11. J. S. Wang, J. F. Chen, J. L. Huang and P. Y. Wang, Appl. Phys. Lett. 77, 3027 (2000).
12. S. Ghosh, B. Kochman, J. Sing and P. Bhattacharya, Appl. Phys. Lett. 76, 2571(2000).
13. C. Walther, J. Bollmann, H. Kissel, H. Kirmse, W. Neumann and W. T. Masselink, Physica B 273-274, 971 (1999).
14. E. K. Kim, J. S. Kim, H. Hwang, K. Park, E. Yoon, J. H. Kim, I.-W. Park and Y. J. Park, Digest of Papers on 2003 Inter. Microprocesses and Nanotechnology Conf. (Tokyo, 2003), p. 236.
15. K. M. Prak, H. Hwang, H. S. Lee, Y. S. Lee, B. J. Kim and E. Yoon, Abstracts of 25th Ann. Conf. Kor. Vac. Soc. (2003), p. 107.
16. E. Gombia, R. Mosca, P. Frigeri, S. Franchi, S. Amighetti and C. Ghezzi, Mat. Sci. and Eng. B 91, 393 (2002).
17. V. V. Ilchenko, S. D. Lin and C. P. Lee, J. Appl. Phys. 89, 1172 (2001).
18. H. L. Wang, F. H. Yang, S. L. Feng, H. J. Zhu, D. Ning, H. Wang and X. D. Wang, Phys. Rev. B 61, 5530 (2000).