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Volumn 92, Issue 2, 2008, Pages

A Sn-based metal substrate technology for the fabrication of vertical-structured GaN-based light-emitting diodes

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GALLIUM NITRIDE; LIGHT EMISSION; SAPPHIRE;

EID: 38349186182     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2834373     Document Type: Article
Times cited : (18)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.