Stress-induced band gap tuning in 〈112〉 silicon nanowires

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 26, 2007, Pages

  Lu, A J ^a   Zhang, R Q ^a   Lee, S T ^a  

^a CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRON TRANSITIONS; ENERGY GAP; HYDROGENATION; NANOCRYSTALLINE SILICON; OPTOELECTRONIC DEVICES; STRESS ANALYSIS;

BAND GAP TRANSITION; BAND GAP TUNING; OPTOELECTRONIC APPLICATIONS; SILICON NANOWIRES (SINW);

NANOWIRES;

EID: 37549018872     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2826267     Document Type: Article

References (24)

1. A. H. Mahan, R. Biswas, L. M. Gedvilas, D. L. Williamson, and B. C. Pan, J. Appl. Phys. 96, 3818 (2004).
2. C. G. Van de Walle and R. A. Street, Phys. Rev. B 51, 10615 (1995).
3. Y. Cui and C. M. Lieber, Science 291, 851 (2001).
4. L. T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).
5. D. D. D. Ma, C. S. Lee, F. C. K. Au, S. Y. Tong, and S. T. Lee, Science 299, 1874 (2003).
6. Y. F. Zhao and B. I. Yakobson, Phys. Rev. Lett. 91, 035501 (2003).
7. T. Dumitrica, M. Hua, and B. I. Yakobson, Phys. Rev. B 70, 241303 (R) (2004).
8. R. Q. Zhang, Y. Lifshitz, and S. T. Lee, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 15, 635 (2003).
9. N. R. B. Colemann, M. A. Morris, T. R. Spalding, and J. D. Holmes, J. Am. Chem. Soc. 123, 187 (2001).
10. J. D. Holmes, K. P. Johnston, R. C. Doty, and B. A. Korgel, Science 287, 1471 (2000).
11. Y. Wu, Y. Cui, L. Huynh, C. J. Barrelet, D. C. Bell, and C. M. Lieber, Nano Lett. 4, 433 (2004).
12. X. Y. Zhao, C. M. Wei, L. Yang, and M. Y. Chou, Phys. Rev. Lett. 92, 236805 (2004).
13. R. Rurali and N. Lorente, Phys. Rev. Lett. 94, 026805 (2005).
14. S. Piscanec, M. Cantoro, A. C. Ferrari, J. A. Zapien, Y. Lifdhitz, S. T. Lee, S. Hofmann, and J. Robertson, Phys. Rev. B 68, 241312 (2003).
15. M. P. Persson and H. Q. Xu, Nano Lett. 4, 2409 (2004).
16. D. P. Yu, Q. L. Hang, Y. Ding, H. Z. Zhang, Z. G. Bai, J. J. Wang, Y. H. Zou, W. Qian, G. C. Xiong, and S. Q. Feng, Appl. Phys. Lett. 73, 3076 (1998).
17. M. Menon and E. Richter, Phys. Rev. Lett. 83, 792 (1999).
18. B.-X. Li, P.-L. Cao, R. Q. Zhang, and S. T. Lee, Phys. Rev. B 65, 125305 (2002).
19. A. J. Read, R. J. Needs, K. J. Nash, L. T. Canham, P. D. J. Calcott, and A. Qteish, Phys. Rev. Lett. 69, 1232 (1992).
20. H. Scheel, S. Reich, and C. Thomsen, Phys. Status Solidi B 242, 2374 (2005).
21. J. M. Soler, E. Artacho, J. D. Gale, A. García, J. Junquera, P. Ordejón, and D. Sánchez-Portal, J. Phys.: Condens. Matter 14, 2745 (2002).
22. J. Huo, R. Solanki, J. L. Freeouf, and J. R. Carruthers, Nanotechnology 15, 1848 (2004).
23. Y. F. Tsay and B. Bendow, Phys. Rev. B 16, 2663 (1977).
24. C. P. Li, C. S. Lee, X. L. Ma, N. Wang, R. Q. Zhang, and S. T. Lee, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 15, 607 (2003).