Transport properties of n-polyaniline/p-porous silicon heterojunctions

International Journal of Modern Physics B

Volumn 21, Issue 30, 2007, Pages 5099-5111

  Farag, A A M ^a   Ashery, A ^b   Yahia Abed, M ^c   Shenashen, M A ^c   Hindia, T A ^b  

^a Ain Shams University   (Egypt)

^b NATIONAL RESEARCH CENTRE   (Egypt)

^c EGYPTIAN PETROLEUM RESEARCH INSTITUTE   (Egypt)

Author keywords

Heterojunction; Polyaniline; Transport properties

Indexed keywords

EID: 37349113206     PISSN: 02179792     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1142/S0217979207038150     Document Type: Article

References (31)

1. S. Antoh, N. Tomozeiu and S. Gogonea, Phys. Stat. Sol. (a) 125, 397 (1991).
2. S. Angappane, N. R. Kini, T. S. Natarajan, G. Rangaajan and B. Wessling, Thin Solid Films 417, 202 (2002).
3. Y. Long, Z. Chen, J. L. Duvail, Z. Zhang and M. Wan, Physica B: Condensed Matter 370, 121 (2005).
4. R. K. Gupta and R. A. Singh, Composites Science and Technology 65, 677 (2005).
5. S. Kkaratas, C. Temirci, M. Cakar and A. Turut, Appl. Surf. Sci. 252, 2209 (2006).
6. K. Li, D. C. Diaz, Y. He, J. C. Campbell and C. Tsai, Appl. Phys. Lett. 64, 2394 (1994).
7. A. Bsiesy, N. F. Nicolau, A. Ermole , F. Nmuller and F. Gaspard, Thin Solid Films 255, 43 (1995).
8. F. Guan, M. Chen, W. Yang, J. Wang, R. Zhang, S. Tang and Q. Xue, Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 257, 117 (2005).
9. E. Matveeva, V. P. Parkhutik, R. D. Calleja and J. M. Martinez-Duart, J. Lumines-cence 57, 175 (1993).
10. D. P. Halliday, J. M. Egglestone, P. N. Adams, I. A. Pentland and A. P. Mnkman, Syn Met. 85, 1245 (1997).
11. J. C. Chiang and A. G. MacDiarmid, Synth. Met. 13, 193 (1986).
12. M. M. Ayad, N. Salahuddin and M. A. Shenashin, Synth. Met. 132, 185 (2003).
13. G. Li, C. Martinez, J. Janata, J. A. Smith, M. Josowicz and S. Semancik, Electrochem. & Solid-State Lett. 7, H44 (2004).
14. A. A. M. Farag, F. S. Terra, G. M. Mahmoud and M. Mm. Saad E-Din, Phys. Low-Dim. Struct. 718, 45 (2004).
15. Z. F. Li, M. T. Swihart and E. Ruckenstein, Langmuir 20, 1963 (2004).
16. M. Saglam, M. Biber, M. Cakar and A. Turut, Appl. Surf. Sci. 230, 404 (2004).
17. J. M. G. Laranjeira, H. J. Khoury, W. M. de Azevedo, E. F. de Silva Jr and E. A. de Vasconcelos, Appl. Surf. Sci. 190, 390 (2002).
18. M. M. El-Nahass, H. M. Zeyada and A. A. Hendi, Eur. Phys. J. Appl. Phys. 25, 8 (2004).
19. M. M. El-Nahaa, K. F. Abdell-Rahman, A. A. M. Farag and A. A. A. Darwish, Organic Electron. 6, 129 (2005).
20. M. M. El-Nahass, H. M. Zeyada, M. S. Aziz and N. A. El-Ghamaz, Solid State Electronics 49, 1314 (2005).
21. S. Aydogan, M. Saglam and A. Turut, Appl. Surf. Sci. 250, 43 (2005).
22. T. D. Anthopoulos and T. S. Shafai, Phys. Stat. Sol. (a) 186, 89 (2001).
23. R. K. Gupta and R. A. Singh, Composites Sci. & Technol. 65, 677 (2005).
24. G. B. Blancket, C. R. Fincher, M. Lefenfeld and J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett. 84, 296 (2004).
25. L. J. Buckley and K. E. Dudeck, Synth. Met. 52, 353 (1992).
26. A. S. Riad, Thin Solid Films 370, 253 (2000).
27. P. S. Abthagir and R. Saraswathi, J. Mater. Sci., Mater. Electron. 15, 81 (2004).
28. M. M. A. Jafar, Semicond. Sci. Technol. 18, 7 (2003).
29. A. S. Riad, Physica B 270, 148 (1999).
30. A. Tatarouglu and S. Altindal, Microelectron. Engineering 83, 582 (2006).
31. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd edn. (Wiley, New York, 1981).