Molecule-based chemical vapor growth of aligned SnO2 nanowires and branched SnO2/V2O5 heterostructures

Small

Volumn 3, Issue 12, 2007, Pages 2070-2075

  Mathur, Sanjay ^a,b   Barth, Sven ^a,b  

^a INM LEIBNIZ INSTITUTE FOR NEW MATERIALS   (Germany)

^b UNIVERSITY OF WÜRZBURG   (Germany)

Author keywords

Chemical vapor deposition; Nanowires; Oxides; Tin; Vanadium

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; HETEROJUNCTIONS; MOLECULAR STRUCTURE; NUCLEATION; TIN DIOXIDE; VANADIUM;

ALKOXIDE PRECURSORS; CHEMICAL VAPOR GROWTH; SOLID-LIQUID INTERFACE;

NANOWIRES;

GOLD; NANOWIRE; TIN DERIVATIVE; TIN DIOXIDE; UNCLASSIFIED DRUG; VANADIUM DERIVATIVE; VANADIUM PENTOXIDE;

ARTICLE; CHEMISTRY; COLLOID; GAS; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; ULTRASTRUCTURE;

COLLOIDS; GASES; GOLD; MICROSCOPY, ELECTRON, SCANNING; MICROSCOPY, ELECTRON, TRANSMISSION; NANOWIRES; TIN COMPOUNDS; VANADIUM COMPOUNDS;

EID: 37249008090     PISSN: 16136810     EISSN: 16136829     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/smll.200700213     Document Type: Article

References (50)

1. a) Y. Cul, Q. Q. Wel, H. K. Park, C. M. Lieber, Science 2001, 293, 1289;
2. b) M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, P. Yang, Science 2001, 292, 1897;
3. c) J. B. Baxter, A. M. Walker, K. van Ommerlng, E. S. Aydil, Nanotechnology 2006, 17, S304.
4. a) R. E. Presley, C. M. Munsee, C. H. Park, D. Hong, J. F. Wagner, D. F. Keszler, J. Phys. D 2004, 37, 1624;
5. b) B. G. Lewis, D. C. Paine, MRS Bull. 2000, 25, 22.
6. a) Z. R. R. Tlan, J. A. Voigt, J. Liu, B. McKenzie, M. J. McDermott, M. A. Rodriguez, H. Konishi, H. F. Xu, Nat. Mater. 2003, 2, 821;
7. b) J. H. Woodruff, J. B. Ratchford, I. A. Goldthorpe, B. C. McIntire, C. E. D. Chidsey, Nano Lett. 2007, 7, 1637.
8. a) S. J. Laverty, P. D. Magulre, J. Vac Sci. Technol. A 2001, 29, 1;
9. b) Y. J. Chen, C. L. Zhu, T. H. Wang, Nanotechnology 2006, 17, 3012;
10. c) F. Hernandez-Ramirez, A. Taracon, O. Casals, E. Pellider, J. Rodriguez, A. Romano-Rodriguez, J. R. Morante, S. Barth, S. Mathur, Phys. Rev. B 2007, 76, 085429;
11. d) L. Vayssieres, M. Graetzel, Angew. Chem. 2004, 116, 3752;
12. Angew. Chem. Int. Ed. 2004, 43, 3666;
13. e) F. Hernandez-Ramirez, S. Barth, A. Taracon, O. Casals, E. Pellicier, J. Rodriguez, A. Romano-Rodriguez, J. R. Morante, S. Mathur, Nanotechnology 2007, 18, 424016;
14. f) F. Hernandez-Ramirez, A. Taracon, O. Casals, J. Rodriguez, A. Romano-Rodriguez, J. R. Morante, S. Barth, S. Mathur, T. Y. Choi, D. Pouliakos, P. M. Nellen, Nanotechnology 2006, 17, 5577;
15. g) F. Yang, S. R. Forrest, Adv. Mater. 2006, 18, 2018.
16. Z. R. Dai, J. L. Gole, J. D. Stout, Z. L. Wang, Adv. Funct. Mater. 2003, 13, 9.
17. a) J. X. Wang, D. F. Liu, X. Q. Yan; H. J. Yuan, L. J. Ci, Z. P. Zhou, Y. Gao, L. Song, L. F. Liu, W. Y. Zhou, G. Wang, S. S. Xie, Solid State Commun. 2004, 130, 89;
18. b) S. Budak, G. X. Miao, M. Ozdemir, K. B. Chetry, A. Gupta, J. Cryst. Growth 2006, 291, 405.
19. S. Mathur, S. Barth, H. Shen, J. C. Pyun, U. Werner, Small 2005, 1, 713.
20. Z. Liu, D. Zhang, S. Han, C. Li, T. Tang, W. Jin, X. Liu, C. Zhou, Adv. Mater. 2003, 15, 1754.
21. a) M. J. Zheng, G. H. Li, X. Y. Zhang, S. Y. Huang, Y. Lei, L. D. Zhang, Chem. Mater. 2001, 13, 3859;
22. b) A. Kolmakov, Y. Zhang, G. Cheng, M. Moskovits, Adv. Mater. 2003, 15, 997.
23. Y. J. Ma, F. Zhou, L. Lu, Z. Zhang, Solid State Commun. 2004, 230, 317.
24. X. Jiang, Y. Wang, T. Herricks, Y. Xia, J. Mater. Chem. 2004, 14, 695.
25. D. Li, Y. Wang, Y. Xia, Adv. Mater. 2004, 16, 361.
26. a) Z. L. Wang, Z. W. Pa, Adv. Mater. 2002, 14, 1029;
27. b) Q. Wan, M. Wie, D. Zhi, J. L. MacManus-Driscoll, M. G. Blamire, Adv. Mater. 2006, 18, 234;
28. c) P. Gao, Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B 2002, 106, 12653;
29. d) D. Wang, G. Qiang, C. Yang, Z. Zhong, C. M. Lieber, Nano Lett. 2004, 4, 871;
30. e) D. F. Zhang, L. D. Sun, C. J. Jia, Z. G. Yan, L. P. You, C. H. Yan, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 13492;
31. f) R. Ostermann, D. Li, Y. D. Yin, J. T. McCann, Y. Xia, Nano Lett. 2006, 6, 1297;
32. g) Y. Jung, D. K. Ko, R. Agarwal, Nano Lett. 2007, 7, 264.
33. a) V. Schmidt, S. Senz, U. Goesele, Nano Lett. 2005, 5, 931;
34. b) Y. Wu, Y. Cui, L. Huyns, C. J. Barrelet, D. C. Bell C. M. Lieber, Nano Lett. 2004, 4, 433;
35. c) S. Mathur, H. Shen, V. Sivakov, U. Werner, Chem. Mater. 2004, 16, 2449.
36. a) S. G. Ihn, J. I. Song, T. W. Kim, D. S. Leem, T. Lee, S. G. Lee, E. K. Koh, K. Song, Nano Lett. 2007, 7, 39;
37. b) H. Jagannathan, M. Deal, Y. Nishi, J. Woodruff, C. Chidsey, P. C. McIntyre, J. Appl. Phys. 2006, 100, 024318.
38. A. Beltran, J. Andres, E. Longo, E. R. Leite, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 635.
39. Y. Cai, S. K. Chan, I. K. Sou, Y. F. Chan, D. S. Su, N. Wang, Small 2007, 3, 111.
40. H. Wakabayashi, T. Suzuki, Y. Iwazaki, M. Fujimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 2001, 40, 6081.
41. J. S. Lee, S. K. Sim, B. Min, K. Cho, S. W. Kim, S. Kim, J. Cryst. Growth 2004, 267, 145.
42. a) A. I. Persson, M. W. Larsson, S. Stenström, B. J. Ohlsson, L. Samuelson, L. R. Wallenberg, Nat. Mater. 2004, 3, 677;
43. b) J. C. Harmand, G. Patriarche, N. Pere-Laperne, M. N. Merat-Combes, L. Travers, F. Glas, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 203101;
44. c) J. B. Hannon, S. Kodambaka, F. M. Ross, R. M. Tromp, Nature 2006, 440, 67;
45. d) H. D. Park, A. C. Gaillot, S. M. Prokes, R. C. Cammarata, J. Cryst. Growth 2006, 296, 159.
46. S. Mathur, T. Ruegamer, I. Grobelsek, Chem. Vap. Deposition 2007, 13, 42.
47. K. S. Leschkies, R. Divakar, J. Basu, E. Enache-Pommer, J. E. Boerker, C. B. Carter, U. R. Kortshagen, D. J. Norris, E. S. Eydil, Nano Lett. 2007, 7, 1793.
48. a) J. E. Evans, K. W. Springer, J. Z. Zhang, J. Chem. Phys. 1994, 101, 6222;
49. b) J. L. Blackburn, D. C. Selmarten, A. J. Nozik, J. Phys. Chem. B 2003, 107, 14154.
50. J. Liu, R. Yang, S. Li, Rare Met. 2006, 25, 636.