Geometrie and electronic structures of hydrogen-stabilized silicon nitride nanosheets and nanotubes

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 111, Issue 45, 2007, Pages 16840-16845

  He, Tao ^a   Zhao, Mingwen ^a   Li, Weifeng ^a   Song, Chen ^a   Lin, Xiaohang ^a   Liu, Xiangdong ^a   Xia, Yueyuan ^a   Mei, Liangmo ^a  

^a SHANDONG UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND STRUCTURE; ELECTRONIC STRUCTURE; HYDROGENATION; MOLECULAR GRAPHICS; NANOSHEETS; NANOTUBES;

FIRST-PRINCIPLES CALCULATIONS; HEXAGONAL CHARACTERS; HYDROGEN-STABILIZED SILICON NITRIDE (H-SIN);

SILICON NITRIDE;

EID: 36749063979     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp074731y     Document Type: Article

References (47)

1. de Brito Mota. F.; Justo, J. F.; Fazzio, A. Phys. Rev. B 1998, 58, 8323.
2. Vogelgesang, R.; Grimsditch, M.; Wallace, J. S. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 982.
3. Katz, R. N. Science 1980, 208, 841.
4. Choi, S.; Yang, H.; Chang, M.; Baek. S.; Hwanga, H.; Jeon, S.; Kim, J.; Kim, C. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 251901.
5. Powell. M. J.; Easton, B. C.: Hill, O. F. Appl. Phys. Lett. 1981, 38, 794.
6. Marchand, R.; Laurent, Y.; Lang, J.; Le Bihan, M. T. Acta Crystallogr., B 1969, 25, 2157.
7. Kohatsu, I.; McCauley, J. W. Mater. Res. Bull. 1974, 9, 917.
8. Liu, A. Y.; Cohen, M. L. Phys. Rev. B 1990, 41, 10727.
9. Zerr, A.; Miehe, G.; Serghiou, G.; Schwarz, M.; Kroke, E.; Riedel. R.; Fue, H.; Kroll, P.; Boehler, R. Nature (London) 1999, 400, 340.
10. Jiang, J. Z.; Stahl, K.; Berg, R. W. D.; Frost, J.; Zhou T. J.; Shi, P. X. Europhys. Lett. 2000, 51, 62.
11. Ching, W. Y.; Ouyang, L.; Gale, J. D. Phys. Rev. B 2000, 61, 8696.
12. Xu, Y. N.; Ching, W. Y. Phys. Rev. B 1995, 51, 17379.
13. Mo, S. D.; Ouyang, L.; Ching, W. Y.; Tanaka, I.; Koyama, Y.; Riedel, R. Phys. Rev. Lett. 1999, 83, 5046.
14. Goodman, A. M. Appl. Phys. Lett. 1968, 13, 275.
15. DiMaria, D. J.; Arnett, P. C Appl. Phys. Lett. 1975, 26, 711.
16. Gundiah, G.; Madhav, G. V.; Govindaraj, A.; Seikh, M. M.; Rao, C. N. R J. Mater. Chem. 2002, 12, 1606.
17. Zou, G.; Hu, B.; Xiong, K.; Li. H.; Dong, C.: Liang, J.; Qian, Y. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 181901.
18. Farjas, J.; Rath, C.; Pinyol, A.; Roura, P.; Bertran, E. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 192114.
19. Wang, F.; Jin, G. Q.; Guo, X. Y. J. Phys. Chem. B 2006, 110. 14546.
20. Motojima, S.; Ueno, S.; Hattori, T.; Goto, K. Appl. Phys. Lett. 1989, 54, 1001.
21. Yin, L. W.; Bando, Y.; Zhu, Y. C.; Li, Y. B. Appl. Phxs. Lett. 2003, 83, 3584.
22. Xu, Y.; Cao, C.; Chen, Z.; Li, J.; Wang, F.; Cai, H. J. Phxs. Chem. B 2006, 110, 3088.
23. Han, W.; Fan, S.; Li, Q.; Gu, B. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 2271.
24. Wei, Q.; Xue, C.; Sun, Z.; Zhuang, H.; Cao, W.; Wang, S.; Dong, Z. Appl. Surf. Sci. 2004, 229, 9.
25. Wang, F.; Jin, G. Q.; Guo, X. Y. Mater. Lett. 2006, 60, 330.
26. Lin, F. H.; Hsu, C. K.: Tang, T. P.; Lee, J. S.; Lin, J. Y.; Kang, P. L. Mater. Chem. Phys. 2005, 93, 10.
27. Bahari, A.; Robenhagen, U.; Morgen, P. Phys. Rev. B 2005, 72, 205323.
28. Goto, H.; Shibahara, K.; Yokoyama, S. Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 3257.
29. Weissenrieder, J.; Kaya, S.; Lu, J.-L.; Gao, H.-J.; Shaikhutdinov, S.; Freund, H.-J.; Sierka, M.; Todorova, T. K.; Sauer, J. Phys. Rev. Lett. 2005, 95, 076103.
30. Guraya, M. M.; Ascolani, H.; Zampieri. G. Phys. Rev. B 1990, 42, 5677.
31. de Brito Mota, F.; Justo, J. F.; Fazzio, A. J. Appl. Phys. 1999, 86, 1843.
32. Ordejón, P.; Artacho, E.; Soler, J. M. Phys. Rev. B 1996, 53, R10441.
33. Sánchez-Portal, D.; Ordejón, P.; Artacho, E.; Soler, J. M. Int. J. Quantum Chem. 1997, 65, 453.
34. Soler, J. M.; Artacho, E.; Gale, J. D.; García, A.; Junquera, J.; Ordejón, P.; Sánchez-Portal, D. J. Phys.: Condens. Matter 2002, 14, 2745 and references therein.
35. Troullier, N.; Martins, J. L. Phys. Rev. B 1991, 43, 1993.
36. Kleinman, L.; Bylander, D. M. Phys. Rev. Lett. 1982, 48, 1425.
37. Bylander, D. M.; Kleinman, L. Phys. Rev. B 1990, 41, 907.
38. Perdew, J. P.; Burke, K.; Ernzerhof, M. Phys. Rev. Lett. 1996, 77, 3865;
39. 1997, 78. 1396.
40. Monkhorst, H. J.; Pack, J. D. Phys. Rev. B 1976, 13, 5188.
41. Zhao, M. W.; Xia. Y. Y.; Zhang, R. Q.; Lee, S.-T. J. Chem. Phys. 2005, 122, 214707.
42. He, T.; Zhao, M. W.; Xia, Y. Y.; Li, W. F.; Song, C.; Lin, X. H.: Liu, X. D.; Mei, L. M. J. Chem. Phys. 2006, 125, 194710.
43. Rubio, A.; Corkill, J. L.; Cohen, M. L. Phys. Rev. B 1994, 49, 5081.
44. Chopra, N. G.; Luyken, R. J.; Cherrey, K.; Crespi, V. H.; Louie, S. G.; Zett, A. Science 1995, 269, 966.
45. Miyamoto, Y.; Rubio, A.; Cohn, M. L.; Louie, S. G. Phys. Rev. B 1994, 50, 4976.
46. Kim, S. Y.; Park, J.; Choi, H. C.; Ahn, J. P.; Hou, J. Q.; Kang, H. S. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 1705.
47. 4 crystal are different. The formation energy difference depends on the definition of formation energy itself. Additionally, we heated the H-SiN nanosheets at 1000 K for 2 ps using a NVT dynamics with a Nosé thermostat and found that they are stable at this time scale even without support from a substrate.