Optical characterization of niobium-doped rhenium disulphide single crystals

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 8, 2007, Pages

  Dumcenco, D O ^a   Huang, Y S ^a   Liang, C H ^b   Tiong, K K ^b  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Taiwan)

^b NATIONAL TAIWAN OCEAN UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DOPING (ADDITIVES); ENERGY GAP; NIOBIUM; PHOTOLUMINESCENCE; POLARIZATION; RHENIUM;

BROADENING PARAMETER; EXCITONIC TRANSITION ENERGIES; OPTICAL CHARACTERIZATION; PROMINENT FEATURES;

SINGLE CRYSTALS;

EID: 35648931434     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2798923     Document Type: Article

References (38)

1. J. A. Wilson, F. J. DiSalvo, and S. Mahajan, Adv. Phys. 24, 117 (1975).
2. J. C. Wildervanck and F. Jellinek, J. Less-Common Met. 24, 73 (1971).
3. J. A. Wilson and A. D. Yoffe, Adv. Phys. 18, 193 (1969).
4. G. Leicht, H. Berger, and F. Levy, Solid State Commun. 61, 531 (1987).
5. K. Friemelt, O. Kulikova, L. Kulyuk, A. Siminel, E. Arushanov, Ch. Kloc, and E. Bucher, J. Appl. Phys. 79, 9268 (1996).
6. H. S. Broadbent, L. H. Slaugh, and N. L. Jarvis, J. Am. Chem. Soc. 76, 1519 (1954).
7. S. Harris and R. R. Chianelli, J. Catal. 86, 400 (1984).
8. F. P. Koffyberg, K. Dwight, and A. Wold, Solid State Commun. 30, 433 (1979).
9. B. L. Wheeler, J. K. Leland, and A. J. Bard, J. Electrochem. Soc. 133, 358 (1986).
10. J. V. Marzik, R. Kershaw, K. Dwight, and A. Wold, J. Solid State Chem. 51, 170 (1984).
11. B. Schubert and H. Tributsch, J. Appl. Electrochem. 20, 786 (1990).
12. C. H. Ho, P. C. Liao, Y. S. Huang, and K. K. Tiong, Phys. Rev. B 55, 15608 (1997).
13. K. K. Tiong, C. H. Ho, and Y. S. Huang, Solid State Commun. 111, 635 (1999).
14. C. H. Ho, Y. S. Huang, P. C. Liao, and K. K. Tiong, J. Phys. Chem. Solids 60, 1797 (1999).
15. C. H. Ho, Y. S. Huang, K. K. Tiong, and P. C. Liao, Phys. Rev. B 58, 16130 (1998).
16. C. H. Ho, Y. S. Huang, J. L. Chen, T. E. Dann, and K. K. Tiong, Phys. Rev. B 60, 15766 (1999).
17. C. H. Ho, Y. S. Huang, K. K. Tiong, and P. C. Liao, J. Phys.: Condens. Matter 11, 5367 (1999).
18. C. H. Ho, P. C. Yen, Y. S. Huang, and K. K. Tiong, J. Phys.: Condens. Matter 13, 8145 (2001).
19. C. H. Ho, H. W. Lee, and C. C. Wu, J. Phys.: Condens. Matter 16, 5937 (2004).
20. C. H. Ho, Opt. Express 13, 8 (2004).
21. K. Friemelt, M.-Ch. Lux-Steiner, and E. Bucher, J. Appl. Phys. 74, 5266 (1993).
22. C. H. Ho, P. C. Yen, Y. S. Huang, and K. K. Tiong, Phys. Rev. B 66, 245207 (2002).
23. P. C. Yen, M. J. Chen, Y. S. Huang, C. H. Ho, and K. K. Tiong, J. Phys.: Condens. Matter 14, 4737 (2002).
24. S. Y. Hu, S. C. Lin, K. K. Tiong, P. C. Yen, Y. S. Huang, C. H. Ho, and P. C. Liao, J. Alloys Compd. 383, 63 (2004).
25. S. Y. Hu, C. H. Liang, K. K. Tiong, Y. S. Huang, and Y. C. Lee, J. Electrochem. Soc. 153, J100 (2006).
26. Y. S. Huang, Chin. J. Phys. (Taipei) 22, 43 (1984).
27. F. H. Pollak and H. Shen, Mater. Sci. Eng., R. 10, 275 (1993).
28. H. Mathieu, J. Allegre, and B. Gil, Phys. Rev. B 43, 2218 (1991).
29. J. I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors (Dover, New York, 1975).
30. K. K. Kam, C. L. Chang, and D. W. Lynch, J. Phys. C 17, 4031 (1984).
31. C. H. Ho, P. C. Liao, Y. S. Huang, and K. K. Tiong, Solid State Commun. 103, 19 (1997).
32. D. E. Aspnes, in Handbook on Semiconductors, edited by, M. Balkanski, (North-Holland, Amsterdam, 1980), p. 109.
33. Y. P. Varshni, Physica (Amsterdam) 34, 149 (1967).
34. P. Lantenschlager, M. Garriga, S. Logothetidis, and M. Cardona, Phys. Rev. B 35, 9174 (1987).
35. P. Lantenschlager, M. Garriga, L. Vina, and M. Cardona, Phys. Rev. B 36, 4821 (1987).
36. A. M. Goldberg, A. R. Beal, F. A. Levy, and E. A. Davis, Philos. Mag. 32, 367 (1975).
37. H. Qiang, F. H. Pollak, C. M. Sotomayer Torres, W. Leitch, A. H. Kean, M. Stroscio, G. J. Jafrate, and K. W. Kim, Appl. Phys. Lett. 61, 1411 (1992).
38. L. Malikova, W. Krystek, F. H. Pollak, N. Dai, A. Cavus, and M. C. Tamargo, Phys. Rev. B 54, 1819 (1996).