Orders-of-magnitude reduction of the contact resistance in short-channel hot embossed organic thin film transistors by oxidative treatment of Au-electrodes

Advanced Functional Materials

Volumn 17, Issue 15, 2007, Pages 2687-2692

  Stadlober, Barbara ^a   Haas, Ursula ^a   Gold, Herbert ^a   Haase, Anja ^a   Jakopic, Georg ^a   Leising, Günther ^a   Koch, Norbert ^b   Rentenberger, Stefan ^c   Zojer, Egbert ^c  

^a JOANNEUM RESEARCH   (Austria)

^b HUMBOLDT UNIVERSITY   (Germany)

^c GRAZ UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Austria)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHARGE CARRIERS; CONTACT RESISTANCE; CRYSTALLITES; GATE DIELECTRICS; OXIDATION; SURFACE TREATMENT;

GATE VOLTAGES; HOLE-INJECTION BARRIER; PENTACENE;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 35548957439     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.200700294     Document Type: Article

References (29)

1. P. Mach, S. J. Rodriguez, R. Nortrup, P. Wiltzius, J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 3592.
2. C. D. Sheraw, L. Zhou, J. R. Huang, D. J. Gundlach, T. N. Jackson, M. G. Kane, I. G. Hill, M. S. Hammond, J. Campi, B. K. Greening, J. Francl, J. West, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 1088.
3. P. F. Baude, D. A. Ender, M. A. Haase, T. W. Kelley, D. V. Muyres, S. D. Theiss, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 3964.
4. H. Klauk, M. Halik, U. Zschieschang, F. Eder, G. Schmid, C. Dehm, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 4175.
5. S. Steudel, S. D. Vusser, K. Myny, M. Lenes, J. Genoe, P. Heremans, J. Appl. Phys. 2002, 99, 114519.
6. M. Böhm, A. Ullmann, D. Zipperer, A. Knobloch, W. H. Glauert, W. Fix, in ISSCC 2006-Digest of Technical Papers, (Ed.: L. C. Fujino), Lisbon Falls 2006, 270.
7. E. Cantatore, T. C. T. Geuns, G. H. Gelinck, E. van Veenendaal, A. F. A. Gruijthuijsen, L. Schrijnemakers, S. Drews, D. M. de Leeuw, IEEE J. Solid State Circ. 2007, 42, 84.
8. W. Fix, A. Ullmann, J. Ficker, W. Clemens, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 1735.
9. S. M. Sze, in Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed., Wiley, New York 1981.
10. C. D. Dimitrakopoulos, P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. 2002, 14, 99.
11. J. N. Haddock, X. Zhang, S. Zheng, Q. Zhang, S. R. Marder, B. Kippelen, Org. Electron. 2006, 7, 45.
12. G. S. Tulevski, C. Nuckolls, A. Afzali, T. O. Graham, C. R. Kagan, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 183 101.
13. S. Luan, G. W. Neudeck, J. Appl. Phys. 1992, 72, 766.
14. S. H. Jin, K. D. Jung, H. Shin, B.-G. Park, J. D. Lee, Synth. Met. 2006, 156, 196.
15. H. Klauk, G. Schmid, W. Radlik, W. Weber, L. Zhou, C. D. Sheraw, J. A. Nichols, T. N. Jackson, Solid-State Electron. 2003, 47, 297.
16. K. P. Puntambekar, P. V. Pesavento, C. D. Frisbie, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 5539.
17. P. V. Pesavento, K. P. Puntambekar, C. D. Frisbie, J. C. McKeen, P. P. Ruden, J. Appl. Phys. 2006, 99, 094504.
18. D. J. Gundlach, L. L. Jia, T. N. Jackson, IEEE Electron Device Lett. 2001, 22, 571.
19. I. Kymissis, C. D. Dimitrakopoulos, S. Purushothaman, IEEE Trans. Electron Devices 2001, 48, 1060.
20. C. Bock, D. V. Pham, U. Kunze, D. Käfer, G. Witte, C. Wöll, J. Appl. Phys. 2006, 100, 114 517.
21. K. Ihm, B. Kim, T.-H. Kang, K.-J. Kim, M. H. Joo, T. H. Kim, S. S. Yoon, S. Chung, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 033 504.
22. W.-K. Kim, J.-L. Lee, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 26102.
23. S. Rentenberger, A. Vollmer, E. Zojer, R. Schennach, N. Koch, J. Appl. Phys. 2006, 100, 053 701.
24. U. Haas, A. Haase, V. Satzinger, H. Pichler, G. Jacopic, G. Leising, B. Stadlober, R. Houbertz, G. Domann, A. Schmidt, Phys. Rev. B 2006, 73, 235 339.
25. N. Koch, A.Elschner, J. Schwartz, A. Kahn, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 2281.
26. N. Koch, B. Nickel, J. Ghijsen, A. Elschner, J. Schwartz, J.-J. Pireaux, A. Kahn, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2003, 711, L 3.6.
27. J. Zaumseil, K. W. Baldwin, J. A. Rogers, J. Appl. Phys. 2003, 93, 6117.
28. A. di Carlo, F. Piacenza, A. Bolognesi, B. Stadlober, H. Maresch, Appl. Phys. Lett. 2006, 86, 263 501.
29. B. Stadlober, M. Zirkl, M. Beutl, G. Leising, S. Bauer-Gogonea, S. Bauer, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 242 902.