Investigation on photoluminescence blue shift of InGaN/GaN quantum wells induced by surface band bending

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 46, Issue 7 A, 2007, Pages 4079-4084

  Wang, Yang ^a   Pei, Xiaojiang ^a   Xing, Zhigang ^a   Guo, Liwei ^a   Jia, Haiqiang ^a   Chen, Hong ^a   Zhou, Junming ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

Blue shift; GaN; InGaN; MOCVD; Photoluminescence; Polarization; Surface band bending; Surface state

Indexed keywords

BAND STRUCTURE; GALLIUM NITRIDE; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

BLUE SHIFT; SURFACE BAND BENDING; SURFACE STATE;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 34547850360     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.46.4079     Document Type: Article

References (22)

1. B. Monemar and G. Pozina: Prog. Quantum Electron. 24 (2000) 239.
2. V. Fiorentini, F. Bernadini, F. Della Sala, A. Di Carlo, and P. Lugli: Phys. Rev. B 60 (1999) 8849.
3. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Scha, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck: J. Appl. Phys. 85 (1999) 3222.
4. O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, A. J. Sierakowski, W. J. Sha, L. F. Eastman, R. Dimitrov, A. Mitchell, and M. Stutzmann: J. Appl. Phys. 87 (2000) 334.
5. E. Berkowicz, D. Gershoni, G. Bahir, A. C. Abare, S. P. DenBaars, and L. A. Coldren: Phys. Status Solidi B 216 (1999) 291.
6. T. Deguchi, A. Shikanai, K. Torii, T. Sota, S. Chichibu, and S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 3329.
7. Y. H. Cho, J. J. Song, S. Keller, M. S. Minsky, E. Hu, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 1128.
8. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt: Phys. Rev. B 56 (1997) R10024.
9. E. Kim, B. Lee, A. Nahhas, and H. K. Kim: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 1747.
10. O. Mayrock, H.-J. Wünsche, and F. Henneberger: Phys. Rev. B 62 (2000) R16870.
11. S. J. Cho, S. Dogan, S. Sabuktagin, M. A. Reshchikov, D. K. Johnstone, and H. Morkoc: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 3070.
12. S. Sabuktagin, M. A. Reshchikov, D. K. Johnstone, and H. Morkoç: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 798 (2004) Y5.39.1.
13. H. W. Jang, K. W. Ihm, T. H. Kang, J. H. Lee, and J. L. Lee: Phys. Status Solidi B 240 (2003) 451.
14. J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 250.
15. S. Heikman, S. Keller, Y. Wu, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra: J. Appl. Phys. 93 (2003) 10114.
16. T. Sasaki and T. Matsuoka: J. Appl. Phys. 77 (1995) 192.
17. L. J. van der Pauw: Philips Tech. Rev. 20 (1958-1959) 220.
18. 2 at the InGaN/GaN interface. Thereby, the screening effect is negligible.
19. V. Fiorentini, F. Bernardini, F. D. Sala, A. D. Carlo, and P. Lugli: Phys. Rev. B 60 (1999) 8849.
20. S. M. Sze: Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981) 2nd ed., Chap. 7.2.2, p. 372f.
21. M. Grundmann: BandEng; http://my.ece.ucsb.edu/mgrundmann/bandeng.htm.
22. D. A. B. Miller, D. S. Chemla, T. C. Damen, A. C. Gossard, W. Wiegmann, T. H. Wood, and C. A. Burrus: Phys. Rev. B 32 (1985) 1043.