2.5λ microcavity InGaN light-emitting diodes fabricated by a selective dry-etch thinning process

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 6, 2007, Pages

  Choi, Yong Seok ^a,b   Iza, Michael ^a   Matioli, Elison ^a   Koblmüller, Gregor ^a   Speck, James S ^a   Weisbuch, Claude ^a   Hu, Evelyn L ^a,b,c  

^a University of California

^b CALIFORNIA NANOSYSTEMS INSTITUTE   (United States)

^c UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DRY ETCHING; MICROCAVITIES; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; THICKNESS MEASUREMENT;

ANGULAR MEASUREMENTS; FLIPPED MATERIALS; MICROCAVITY EFFECTS; THEORETICAL CAVITY MODE DISPERSION CHARACTERISTICS;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 34547842664     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2769397     Document Type: Article

References (19)

1. H. Benisty, H. De Neve, and C. Weisbuch, Int. J. Quantum Chem. 34, 1612 (1998).
2. E. F. Schubert, N. E. J. Hunt, M. Micovic, R. J. Malik, D. L. Sivco, A. Y. Cho, and G. J. Zydzik, Science 265, 943 (1994).
3. H. De Neve, J. Blondelle, P. Van Daele, P. Demeester, R. Baets, and G. Borghs, Appl. Phys. Lett. 70, 799 (1997).
4. C. Dill, R. P. Stanley, U. Oesterle, D. Ochoa, and M. Ilegems, Appl. Phys. Lett. 73, 3812 (1998).
5. A. David, C. Meier, R. Sharma, F. S. Diana, S. P. DenBaars, E. Hu, S. Nakamura, C. Weisbuch, and H. Benisty, Appl. Phys. Lett. 87, 101107 (2005).
6. A. David, T. Fujii, B. Moran, S. Nakamura, S. P. DenBaars, and C. Weisbuch, Appl. Phys. Lett. 88, 133514 (2006).
7. T. Fujii, A. David, C. Shwach, P. M. Pattison, R. Sharma, K. Fujito, T. Margalith, S. P. DenBaars, C. Weisbuch, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 43, L411 (2004).
8. W. S. Wong, T. Sands, and N. W. Cheung, Appl. Phys. Lett. 72, 599 (1998).
9. Y. C. Shen, J. J. Wierer, M. R. Krames, M. J. Ludowise, M. S. Misra, F. Ahmed, A. Y. Kim, G. O. Mueller, J. C. Bhat, S. A. Stockman, and P. S. Martin, Appl. Phys. Lett. 82, 2221 (2003).
10. J. J. Wierer, D. A. Steigerwald, M. R. Krames, J. J. O'Shea, M. J. Ludowise, G. Christenson, Y.-C. Shen, C. Lowery, P. S. Martin, S. Subramanya, W. Götz, N. F. Gardner, R. S. Kern, and S. A. Stockman, Appl. Phys. Lett. 78, 3379 (2001).
11. Y. J. Lee, P. C. Lin, T. C. Lu, H. C. Kuo, and S. C. Wang, Appl. Phys. Lett. 90, 161115 (2007).
12. T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E. L. Hu, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 84, 855 (2004).
13. O. B. Shchekin, J. E. Epler, T. A. Trottier, T. Margalith, D. A. Steigerwald, M. O. Holcomb, P. S. Martin, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 89, 071109 (2006).
14. S. A. Smith, C. A. Wolden, M. D. Bremser, A. D. Hanser, R. F. Davis, and W. V. Lampert, Appl. Phys. Lett. 71, 3631 (1997).
15. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
16. D. Buttari, A. Chini, A. Chakraborty, L. McCarthy, H. Xing, T. Palacios, L. Shen, S. Keller, and U. K. Mishra, Int. J. High Speed Electron. Syst. 14, 132 (2004).
17. G. Koblmüller, J. Brown, R. Averbeck, H. Riechert, P. Pongratz, and J. S. Speck, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 44, L906 (2005).
18. B. Heying, E. J. Tarsa, C. R. Elsass, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 85, 6470 (1999).
19. Y.-L. Chang, I.-H. Tan, Y.-H. Zhang, D. Bimberg, J. Merz, and E. Hu, J. Appl. Phys. 74, 5144 (1993).