Epitaxial germanium nanowires on GaAs grown by chemical vapor deposition

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 51, Issue 1, 2007, Pages 120-124

  Kim, Yong ^a   Song, Man Suk ^a   Kim, Young Dae ^a   Jung, Jae Hun ^a   Gao, Q ^b   Tan, H H ^b   Jagadish, C ^b  

^a Dong A University   (South Korea)

^b AUSTRALIAN NATIONAL UNIVERSITY   (Australia)

Author keywords

Chemical vapor deposition; GaAs; Germanium; Nanowire

Indexed keywords

EID: 34547653987     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.51.120     Document Type: Article

References (26)

1. S. K. Ghandhi, VLSI Fabrication Principles (Wiley, New York, 1994).
2. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
3. B. Salazar-Hernandez, M. A. Vidal, H. Navarro-Contreras and C Vazquez-Lopez, Thin Solid Films 352, 269 (1999) and references therein.
4. M. Dubey, K. A. Jones, D. W. Eckart, L. M. Casas and R. L. Pfeffer, Appl. Phys. Lett. 64, 2697 (1994).
5. R. S. Wagner and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
6. C. M. Lieber, MRS Bull. 28, 486 (2003).
7. X. Duan, Y. Huang, R. Agawal and C M. Lieber, Nature 421, 241 (2003).
8. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
9. M. T. Bjork, B. J. Ohlsson, C. Thelander, A. I. Persson, K. Deppert, L. R. Wallenberg and L. Samuelson, Appl. Phys. Lett. 81, 4458 (2002).
10. C. Thelander, H. A. Nilsson, L. E. Jensen and L. Samuelson, Nano Lett. 4, 1987 (2005).
11. O. Hayden, R. Agarwal and C. M. Lieber, Nat. Mater. 5, 352 (2006).
12. L. J. Lauhon, M. S. Gudiksen and C. M. Lieber, Phil. Trans. R. Soc. London A 362, 1247 (2004).
13. Y. S. Park, J. C. Lee and T. W. Kang, J. Korean Phys. Soc. 49, 2010 (2006).
14. J. Y. Kim, H. W. Shim, E. K. Suh, T. Y. Kim, S. H. Lee, Y. H. Mo and K. S. Nahm, J. Korean Phys. Soc. 44, 137 (2004).
15. H. W. Kim, S. H. Shim and C. Lee, J. Korean Phys. Soc. 49, 628 (2006).
16. J. S. Kim, W. I. Park, C.-H. Lee and G.-C. Yi, J. Korean Phys. Soc. 49, 1635 (2006).
17. Y. Kim, Q. Gao, H. J. Joyce, H. H. Tan, C. Jagadish, M. Paladugu and J. Zou, Proc. of SPIE 6352, 635226 (2006) and references therein.
18. D. Wang and H. Dai, Angew. Chem. 114, 4977 (2002).
19. T. I. Kamins, X. Li, R. S. Williams and X. Liu, Nano Lett. 4, 503 (2004).
20. P. Nguyen, H. T. Ng and M. Meyyappan, Adv. Mater. 17, 549 (2005).
21. J. W. Dailey, J. Taraci, T. Clement, D. J. Smith, J. Drucker and S. T. Picraux, J. Appl. Phys. 96, 7556 (2004).
22. H. Adhikari, A. F. Marshall, C. E. D. Chidsey and P. C. McIntyre, Nano Lett. 6, 318 (2006).
23. H. Jagannathan, M. Deal, Y. Nishi, J. Woodruff, C. Chidsey and P. C. McIntyre, J. Appl. Phys. 100, 024318 (2006).
24. E. Tutuc, S. Guah and J. O. Chu, Appl. Phys. Lett. 88, 043113 (2006).
25. Y. Kim, H. J. Joyce, Q. Gao, H. H. Tan, C. Jagadish, M. Paladugu, J. Zou and A. A. Suvorova, Nano Lett. 6, 599 (2006).
26. A. B. Greytak, L. J. Lauhon, M. S. Gudikson and C. M. Lieber, Appl. Phys. Lett. 84, 4176 (2004).