Implant damage and strain relaxation of embedded epitaxial silicon germanium layer on silicon

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 26, 2007, Pages

  Liu, J P ^a,b   Li, J ^c   See, A ^a   Zhou, M S ^a   Hsia, L C ^a  

^a CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD   (Singapore)

^b NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^c IBM   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DISLOCATIONS (CRYSTALS); ION IMPLANTATION; SEMICONDUCTING GERMANIUM; SEMICONDUCTING SILICON; STRAIN RELAXATION; TRANSISTORS;

EMBEDDED EPITAXIAL SILICON GERMANIUM LAYERS; EMBEDDED SILICON GERMANIUM (SIGE); IMPLANT DAMAGE;

EPITAXIAL LAYERS;

EID: 34547266332     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2749868     Document Type: Article

References (14)

1. S. E. Thompson, G. Sun, K. Wu, J. Kim, and T. Nishida, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2004, 221.
2. Z. Luo, Y. F. Chong, J. Kim, N. Rovedo, B. Greene, S. Panda, T. Sato, J. Holt, D. Chidambarrao, J. Li, R. Davis, A. Madan, A. Turansky, O. Gluschenkov, R. Lindsay, A. Ajmera, J. Lee, S. Mishra, R. Amos, D. Schepis, H. Ng, and K. Rim, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2005, 468.
3. M. Horstmann, A. Wei, T. Kammler, J. Höntschel, H. Bierstedt, T. Feudel, K. Frohberg, M. Gerhardt, A. Hellmich, K. Hempel, J. Hohage, P. Javorka, J. Klais, G. Koerner, M. Lenski, A. Neu, R. Otterbach, P. Press, C. Reichel, M. Trentsch, B. Trui, H. Salz, M. Schaller, H.-J. Engelmann, O. Herzog, H. Ruelke, P. Hübler, R. Stephan, D. Greenlaw, M. Raab, N. Kepler, H. Chen, D. Chidambarrao, D. Fried, J. Holt, W. Lee, H. Nii, S. Panda, T. Sato, A. Waite, S. Luning, K. Rim, D. Schepis, M. Khare, S. F. Huang, J. Pellerin, and L. T. Su, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2005, 756.
4. H. Trinkaus, B. Holländer, St. Rongen, S. Mantl, H.-J. Herzog, J. Kuchenbecker, and T. Hackbarth, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.126704 76, 3552 (2000); B. Holländer, D. Buca, M. Mörschbächer, St. Lenk, S. Mantl, H.-J. Herzog, Th. Hackbarth, R. Loo, M. Caymax, and P. F. P. Fichtner, J. Appl. Phys. 96, 1745 (2004).
5. H. Trinkaus, B. Holländer, St. Rongen, S. Mantl, H.-J. Herzog, J. Kuchenbecker, and T. Hackbarth, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.126704 76, 3552 (2000); B. Holländer, D. Buca, M. Mörschbächer, St. Lenk, S. Mantl, H.-J. Herzog, Th. Hackbarth, R. Loo, M. Caymax, and P. F. P. Fichtner, J. Appl. Phys. 96, 1745 (2004).
6. J. P. Liu, A. Domenicucci, A. Madan, J. Li, J. Holt, and John Sudijono, Appl. Phys. Lett. 88, 151916 (2006).
7. Y. S. Kim, Y. Shimamune, M. Fukuda, A. Katakami, A. Hatada, K. Kawamura, H. Ohta, T. Sakuma, Y. Hayami, H. Morioka, J. Ogura, T. Minami, N. Tamura, T. Mori, M. Kojima, K. Sukegawa, K. Hashimoto, M. Miyajima, S. Satoh, and T. Sugii, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2006, 756.
8. Ming H. Yu, J. H. Li, H. H. Lin, C. H. Chen, K. C. Ku, C. F. Nieh, H. Hisa, Y. M. Sheu, C. W. Tsai, Y. L. Wang, H. Y. Chu, H. C. Cheng, T. L. Lee, S. C. Chen, and M. S. Liang, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2006, 756.
9. J. W. Mathews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 188 (1974).
10. S. M. Cea, M. Armstrong, C. Auth, T. Ghani, M. D. Giles, T. Hoffmann, R. Kotlyar, P. Matagne, K. Mistry, R. Nagisetty, B. Obradovic, R. Shaheed, L. Shifren, M. Stettler, S. Tyagi, X. Wang, C. Weber, and K. Zawadzki, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2004, 963.
11. F. Nouri, P. Verheyen, L. Washington, V. Moroz, I. De Wolf, M. Kawaguchi, S. Biesemans, R. Schreutelkamp, Y. Kim, M. Shen, X. Xu, R. Rooyackers, M. Jurczak, G. Eneman, K. De Meyer, L. Smith, D. Pramanik, H. Forstner, S. Thirupapuliyur, and G. S. Higashi, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2004, 1055.
12. S. C. Jain, H. E. Maes, K. Pinardi, and I. De Wolf, J. Appl. Phys. 79, 8145 (1996).
13. Haizhou Yin, T. L. Peterson, K. D. Hobart, S. R. Shich, T. S. Duffy, and J. C. Sturm, Appl. Phys. Lett. 87, 061922 (2005).
14. D. Buca, B. Holländer, S. Feste, St. Lenk, H. Trinkaus, S. Mantl, R. Loo, and M. Caymax, Appl. Phys. Lett. 90, 032108 (2007).