Diffusion thermopower of a p-type Si/Si1-xGex heterostructure at zero magnetic field

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 244, Issue 6, 2007, Pages 2100-2108

  Huan, Tran Doan ^a   Hai, Nguyen Phuc ^a,b  

^a HANOI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Viet Nam)

^b UNIVERSITY OF LEUVEN   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 34250305168     PISSN: 03701972     EISSN: 15213951     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssb.200642144     Document Type: Article

References (26)

1. C. Possanzini, R. Fletcher, M. Tsaousidou, P. T. Coleridge, R. L. Williams, Y. Feng, and J. C. Maan, Phys. Rev. B 69, 195306 (2004).
2. V. K. Karavolas, M. J. Smith, T. M. Fromhold, P. N. Butcher, B. G. Mulimani, B. L. Gallagher and J. P. Oxley, J. Phys.: Condens. Matter 2, 10401 (1990).
3. V. C. Karavolas and P. N. Butcher, J. Phys.: Condens. Matter 3, 2597 (1991).
4. D. N. Quang, V. N. Tuoc, T. D. Huan, and P. N. Phong, Phys. Rev. B 70, 195336 (2004).
5. M. A. Sadeghzadeh, A. I. Horrell, O. A. Mironov, E. H. C. Parker, T. E. Whall, and M. J. Kearney, Appl. Phys. Lett. 76, 2568 (2000), and references therein.
6. S. S. Kubakaddi and K. R. Usharani, Physica E 25, 497 (2005).
7. R. Fletcher, V. M. Pudalov, Y. Feng, M. Tsaousidou, and P. N. Butcher, Phys. Rev. B 56, 12422 (1997).
8. R. Fletcher, M. Tsaousidou, P. T. Coleridge, Y. Feng, and Z. R. Wasilewski, Physica E 12, 478 (2002).
9. T. Ando, A. B. Fowler, and F. Stern, Rev. Mod. Phys. 54, 437 (1982).
10. Y. Okuyama and N. Tokuda, Phys. Rev. B 40, 9744 (1989).
11. P. T. Coleridge, R. L. Williams, Y. Feng, and P. Zawadzki, Phys. Rev. B 56, 12764 (1997).
12. T. Ando, J. Phys. Soc. Jpn. 51, 3893, 3900 (1982).
13. D. N. Quang, V. N. Tuoc, N. H. Tung, N. V. Minh, and P. N. Phong, Phys. Rev. B 72, 245303 (2005).
14. E. F. Schubert, J, M. Kuo, R. F. Kopf, H. S. Luftman, L. C. Hopkins, and N. J. Sauer, J. Appl. Phys. 67, 1969 (1990).
15. A. L. Efros, F. G. Pikus, and G. G. Samsonidze, Phys. Rev. B 41, 8295 (1990).
16. D. N. Quang and N. H. Tung, phys. stat. sol. (b) 207, 111 (1998).
17. R. M. Feenstra and M. A. Lutz, J. Appl. Phys. 78, 6091 (1995).
18. H. Yin, R. Huang, K. D. Hobart, J. Liang, Z. Suo, S. R. Shieh, T. S. Duffy, F. J. Kub, and J. C. Sturm, J. Appl. Phys. 94, 6875 (2003).
19. G. L. Bir and G. E. Pikus, Symmetry and Strain Induced Effects in Semiconductors (Wiley, New York, 1974).
20. G. Braithwaite, N. L. Mattey, E. H. C. Parker, T. E. Whall, G. Brunthaler, and G. Bauer, J. Appl. Phys. 81, 6853 (1997).
21. R. People and J. C. Bean, Appl. Phys. Lett. 48, 538 (1986).
22. B. Laikhtman and R. A. Kiehl, Phys. Rev. B 47, 10515 (1993).
23. S. M. Goodnick, D. K. Ferry, C. W. Wilmsen, Z. Liliental, D. Fathy, and O. L. Krivanek, Phys. Rev. B 32, 8171 (1985).
24. S. Yamakawa, H. Ueno, K. Taniguchi, C. Hamaguchi, K. Miyatsuji, K. Masaki, and U. Ravaioli, J. Appl. Phys. 79, 911 (1996).
25. R. People and J. C. Bean, Appl. Phys. Lett. 47, 322 (1985);
26. Appl. Phys. Lett. 49, 229 (1986).