Unveiling the morphology of buried In(Ga)As nanostructures by selective wet chemical etching: From quantum dots to quantum rings

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 17, 2007, Pages

  Ding, Fei ^a,b   Wang, Lijuan ^a   Kiravittaya, Suwit ^a   Müller, Elisabeth ^c   Rastelli, Armando ^a,d   Schmidt, Oliver G ^a,d  

^a MAX PLANCK INSTITUT FÜR FESTKÖRPERFORSCHUNG   (Germany)

^b INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

^c ETH ZURICH   (Switzerland)

^d IFW DRESDEN   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; WAVE FUNCTIONS; WET ETCHING;

CAP LAYER; IN SITU ETCHING; QUANTUM RINGS;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 34248577553     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2731528     Document Type: Article

References (19)

1. J. M. García, T. Mankad, P. O. Holtz, P. J. Wellman, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 72, 3172 (1998).
2. A. Lorke, J. M. Garcia, R. Blossey, R. J. Luyken, and P. M. Petroff, Adv. Solid State Phys. 43, 125 (2003).
3. L. Wang, A. Rastelli, and O. G. Schmidt, J. Appl. Phys. 100, 064313 (2006).
4. P. B. Joyce, T. J. Krzyzewski, P. H. Steans, G. R. Bell, J. H. Neave, and T. S. Jones, Surf. Sci. 492, 345 (2001).
5. A. Rastelli, M. Kummer, and H. von Känel, Phys. Rev. Lett. 87, 256101 (2001).
6. G. Costantini, A. Rastelli, C. Manzano, P. Acosta-Diaz, R. Songmuang, G. Katsaros, O. G. Schmidt, and K. Kern, Phys. Rev. Lett. 96, 226106 (2006).
7. Q. Xie, P. Chen, and A. Madhukar, Appl. Phys. Lett. 65, 2051 (1994).
8. D. M. Bruls, J. W. A. M. Vugs, P. M. Koenraad, H. W. M. Salemink, J. H. Wolter, M. Hopkinson, M. S. Skolnick, F. Long, and S. P. A. Gill, Appl. Phys. Lett. 81, 1708 (2002).
9. P. Offermans, P. M. Koenraad, J. H. Wolter, D. Granados, J. M. García, V. M. Fomin, V. N. Gladilin, and J. T. Devreese, Appl. Phys. Lett. 87, 131902 (2005).
10. T. Kita, T. Inoue, O. Wada, M. Konno, T. Yaguchi, and T. Kamino, Appl. Phys. Lett. 90, 041911 (2007).
11. G. Katsaros, A. Rastelli, M. Stoffel, G. Costantini, O. G. Schmidt, K. Kern, J. Tersoff, E. Müller, and H. von Känel, Appl. Phys. Lett. 89, 253105 (2006).
12. Z. M. Wang, L. Zhang, K. Holmes, and G. J. Salamo, Appl. Phys. Lett. 86, 143106 (2005).
13. R. Songmuang, S. Kiravittaya, and O. G. Schmidt, Appl. Phys. Lett. 82, 2892 (2003).
14. S. Kiravittaya, R. Songmuang, N. Y. Jin-Phillipp, S. Panyakeow, and O. G. Schmidt, J. Cryst. Growth 251, 258 (2003).
15. D. G. Hill, K. L. Lear, and J. S. Harris, Jr., J. Electrochem. Soc. 137, 2912 (1990).
16. S.-J. Paik, J. Kim, S. Park, S. Kim, C. Koo, S.-K. Lee, and D. D. Cho, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 326 (2003).
17. R. Songmuang, S. Kiravittaya, and O. G. Schmidt, J. Cryst. Growth 249, 416 (2003).
18. Y. Aharonov and D. Bohm, Phys. Rev. 115, 485 (1959).
19. A. O. Govorov, S. E. Ulloa, K. Karrai, and R. J. Warburton, Phys. Rev. B 66, 081309 (2002).