Simultaneous filling of InAs quantum dot states from the GaAs barrier under nonresonant excitation

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 11, 2007, Pages

  Raino G ^a   Visimberga, G ^a   Salhi, A ^a   De Vittorio, M ^a   Passaseo, A ^a   Cingolani, R ^a   De Giorgi, M ^a  

^a NATIONAL NANOTECHNOLOGY LABORATORY   (Italy)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

INDIUM ARSENIDE; PHOTOLUMINESCENCE; RELAXATION PROCESSES; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

CONTINUUM BACKGROUND RELAXATION; NONRESONANT EXCITATION; QUANTUM DOT TRANSITIONS; SEMICONDUCTING BARRIERS;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 33947309249     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2713347     Document Type: Article

References (18)

1. H. Y. Liu, D. T. Childs, T. J. Badcock, K. M. Groom, I. R. Sellers, M. Hopkinson, R. A. Hogg, D. J. Robbins, D. J. Mowbray, and M. S. Skolnick, IEEE Photonics Technol. Lett. 17, 1139 (2005).
2. A. Salhi, L. Martiradonna, G. Visimberga, V. Tasco, L. Fortunato, M. T. Todaro, R. Cingolani, A. Passaseo, and M. De Vittorio, IEEE Photonics Technol. Lett. 18, 1735 (2006).
3. S. S. Mikhrin, A. R. Kovsh, I. L. Krestnikov, A. V. Kozhukhov, D. A. Livshits, N. N. Ledentsov, Yu. M. Shernyakov, I. I. Novikov, M. V. Maximov, V. M. Ustinov, and Zh. I. Alferov, Semicond. Sci. Technol. 20, 340 (2005).
4. F. Adler, M. Geiger, A. Bauknecht, F. Scholz, H. Schweizer, M. H. Pilkuhn, B. Ohnesorge, and A. Forchel, J. Appl. Phys. 80, 4019 (1996).
5. B. Ohnesorge, M. Albrecht, J. Oshinowo, and A. Forchel, Phys. Rev. B 54, 11532 (1996).
6. R. Heitz, M. Veit, N. N. Ledentsov, A. Hoffmann, and D. Bimberg, Phys. Rev. B 56, 10435 (1997).
7. S. Raymond, S. Fafard, P. J. Poole, A. Wojs, P. Hawrylak, and S. Charbonneau, Phys. Rev. B 54, 11548 (1996).
8. R. Heitz, A. Kalburge, Q. Xie, M. Grundmann, P. Chen, A. Hoffmann, A. Madhukar, and D. Bimberg, Phys. Rev. B 57, 9050 (1998).
9. A. Fiore, P. Borri, W. Langbein, J. M. Hvam, U. Oesterle, R. Houdre, R. P. Stanley, and M. Ilegems, Appl. Phys. Lett. 76, 3430 (2000).
10. A. Salhi, L. Fortunato, L. Martiradonna, R. Cingolani, M. De Vittorio, and A. Passaseo, J. Appl. Phys. 100, 123111 (2006).
11. S. Sanguinetti, M. Henini, M. Grassi Alessi, M. Capizzi, P. Frigeri, and S. Franchi, Phys. Rev. B 60, 8276 (1999).
12. C. Lobo, N. Perret, D. Norris, J. Zou, D. J. H. Cockayne, M. B. Johnston, and M. Gal, Phys. Rev. B 62, 2737 (2000).
13. P. Dawson, O. Rubel, S. D. Baranovskii, K. Pierz, P. Thomas, and E. O. Göbel, Phys. Rev. B 72, 235301 (2005).
14. M. Xiaodong, Y. J. Ding, B. S. Ooi, and M. Hopkinson, Appl. Phys. Lett. 89, 181924 (2006).
15. A. Melliti, M. A. Maaref, F. Hassen, M. Hjiri, H. Maaref, J. Tignon, and B. Sermage, Solid State Commun. 128, 213 (2003).
16. Y. Toda, O. Moriwaki, M. Nishioka, and Y. Arakawa, Phys. Rev. Lett. 82, 4114 (1999).
17. A. Vasanelli, R. Ferriera, and G. Bastard, Phys. Rev. Lett. 89, 216804 (2002).
18. M. T. Todaro, A. Salhi, L. Fortunato, R. Cingolani, A. Passaseo, M. De Vittorio, P. Della Casa, F. Ghiglieno, and L. Bianco, IEEE Photonics Technol. Lett. 19, 191 (2007).