CF4-based neutral-beam etch characteristics of Si and SiO 2 using a low-angle forward-reflected neutral-beam etching system

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 49, Issue 6, 2006, Pages 2307-2310

  Lee, D H ^a   Park, B J ^a   Min, K S ^a   Yeom, G Y ^a  

^a Sungkyunkwan University   (South Korea)

Author keywords

Etch selectivity; Nanoscale etch; Neutral beam etching

Indexed keywords

EID: 33846468808     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (15)

1. T. Yunogami, T. Mizutani, K. Suzuki and S. Nishimatsu, Jpn. J. Appl. Phys. 28, 2172 (1989).
2. A. Szabo and T. Engel, J. Vac. Sci. & Technol. A 12, 648 (1994).
3. M. J. Goeckner, T. K. Bennett, J. Y. Park, Z. Wang and S. A. Cohen, Int. Sym. Plasma Process- Induced Damage (Monterey, CA, 1997), p. 175.
4. K. P. Giapis, T. A. Moore and T. K. Minton, J. Vac. Sci. & Technol. A 13, 959 (1995).
5. T. Yunogami, K. Yokogawa and T. Mizutani, J. Vac. Sci. & Technol. A 13, 952 (1995).
6. K. Yokogawa, T. Yunogami and T. Mizutani, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 1902 (1996).
7. S. R. Leone, J. Appl. Phys. 34, 2073 (1995).
8. J. Yamamoto, T. Kawasaki, H. Sakaue, S. Shingubara and Y. Horiike, Thin Solid Films 225, 124 (1993).
9. H. Sakaue, K. Asami, T. Ichihara, S. Ishizuka, K. Kawamura and Y. Horiike, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 222, 195 (1991).
10. D. H. Lee, J. W. Bae, S. D. Park and G. Y. Yeom, Thin Solid Films 398, 647 (2001).
11. D. H. Lee, M. J. Chung, S. D. Park and G. Y. Yeom, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 1412 (2002).
12. D. H. Lee, B. J. Park, S. J. Kim, J. K. Lee, K. H. Baek, C. J. Kang and G. Y. Yeom, J. Korean Phys. Soc. 46, 867 (2005).
13. D. H. Lee, S. J. Jung, S. D. Park and G. Y. Yeom, Surf. Coat. Technol. 178, 420 (2004).
14. S. D. Park, D. H. Lee and G. Y. Yeom, J. Korean Phys. Soc. 47, 469 (2005).
15. H. Y. Song, C. W. Kim, S. G. Park, B. H. O, S. G. Lee and E. H. Lee, J. Korean Phys. Soc. 43, 738 (2003).