Onset of stacking faults in InP nanowires grown by gas source molecular beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 1, 2007, Pages

  Cornet, D M ^a   Mazzetti, V G M ^a   Lapierre, R R ^a  

^a MCMASTER UNIVERSITY   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CATALYSTS; SEMICONDUCTING INDIUM PHOSPHIDE; SEMICONDUCTOR GROWTH; STACKING FAULTS;

CRYSTAL PLANES; GROWTH CATALYSTS; NANOWIRES; SIDEWALL GROWTH;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 33846086069     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2429955     Document Type: Article

References (20)

1. M. T. Björk, B. J. Ohlsson, C. Thelander, A. I. Persson, K. Deppert, L. R. Wallenberg, and L. Samuelson, Appl. Phys. Lett. 81, 4458 (2002).
2. K. Haraguchi, T. Katsuyama, K. Hiruma, and K. Ogawa, Appl. Phys. Lett. 60, 745 (1992).
3. C. Thelander, T. Martensson, M. T. Björk, B. J. Ohlsson, M. W. Larsson, L. R. Wallenberg, and L. Samuelson, Appl. Phys. Lett. 83, 2052 (2003).
4. M. S. Gudiksen, L. J. Lauhon, J. Wang, D. C. Smith, and C. M. Lieber, Nature (London) 415, 617 (2002).
5. S. Bhunia, T. Kawamura, S. Fujikawa, H. Nakashima, K. Furukawa, K. Torimitsu, and Y. Watanabe, Thin Solid Films 464-465, 244 (2004).
6. U. Krishnamachari, M. Borgstrom, B. J. Ohlsson, N. Panev, L. Samuelson, W. Seifert, M. W. Larsson, and L. R. Wallenberg, Appl. Phys. Lett. 85, 2077 (2004).
7. M. Mattila, T. Hakkarainen, M. Mulot, and H. Lipsanen, Nanotechnology 17, 1580 (2006).
8. W. Seifert, M. Borgstrom, K. Deppert, K. A. Dick, J. Johansson, M. W. Larsson, T. Martensson, N. Skold, C. P. T. Svensson, B. A. Wacaser, L. R. Wallenberg, and L. Samuelson, J. Cryst. Growth 272, 211 (2004).
9. Y. Watanabe, S. Bhunia, S. Fujikawa, T. Kawamura, H. Nakashima, K. Furukawa, and K. Torimitsu, Thin Solid Films 464-65, 248 (2004).
10. T. Akiyama, K. Sano, K. Nakamura, and T. Ito, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 45, L275 (2006).
11. M. C. Plante and R. R. LaPierre, J. Cryst. Growth 286, 394 (2006).
12. Y. Kim, H. J. Joyce, O. Gao, H. H. Tan, C. Jagadish, M. Paladugu, J. Zou, and A. A. Suvorova, Nano Lett. 6, 599 (2006).
13. C. A. Verschuren, M. R. Leys, H. Vonk, and J. H. Wolter, Appl. Phys. Lett. 74, 2197 (1999).
14. J. Johansson, L. S. Karlsson, C. P. T. Svensson, T. Martensson, B. A. Wacaser, K. Deppert, L. Samuelson, and W. Seifert, Nat. Mater. 5, 574 (2006).
15. T. Akiyama, K. Sano, K. Nakamura, and T. Ito, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 45, L275 (2006).
16. I. P. Soshnikov, G. E. Cirlin, A. A. Tonkikh, Y. B. Samsonenko, V. G. Dubovskii, V. M. Ustinov, O. M. Gorbenko, D. Litvinov, and D. Gerthsen, Phys. Solid State 47, 2213 (2005).
17. K. Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, M. Koguchi, and H. Kakibayash, J. Appl. Phys. 77, 447 (1995).
18. D. J. Milliron, S. M. Hughes, Y. Cui, L. Manna, J. Li, L.-W. Wang, and P. Alivisatos, Nature 430, 190 (2004).
19. C. Chen, M. C. Plante, C. Fradin, and R. R. LaPierre, J. Mater. Res. 21, 2801 (2006).
20. M. A. Verheijen, G. Immik, T. deSmet, M. T. Börgstrom, and E. Bakkers, J. Am. Chem. Soc. 128, 1353 (2006).