Effects of substrate on the dielectric and tunable properties of epitaxial SrTiO3 thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 11, 2006, Pages

  Hao, J H ^a,b   Luo, Zhi ^b   Gao, J ^b  

^a HONG KONG POLYTECHNIC UNIVERSITY   (Hong Kong)

^b UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPRESSIVE STRENGTH; DIELECTRIC PROPERTIES; DOPING (ADDITIVES); EPITAXIAL GROWTH; STRONTIUM COMPOUNDS; SUBSTRATES;

DIELECTRIC THIN FILMS; TEMPERATURE DEPENDENCE; TUNABILITY;

THIN FILMS;

EID: 33845767967     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2392746     Document Type: Article

References (21)

1. J. Hao, W. Si, X. X. Xi, R. Guo, A. S. Bhalla, and L. E. Cross, Appl. Phys. Lett. 76, 3100 (2000).
2. H. C. Li, W. Si, A. D. West, and X. X. Xi, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.121751 73, 190 (1998); H. C. Li, W. Si, A. D. West, and X. X. Xi, Appl. Phys. Lett. 73, 464 (1998).
3. H. C. Li, W. Si, A. D. West, and X. X. Xi, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.121751 73, 190 (1998); H. C. Li, W. Si, A. D. West, and X. X. Xi, Appl. Phys. Lett. 73, 464 (1998).
4. M. Lippmaa, N. Nakagawa, M. Kawasaki, S. Ohashi, Y. Inaguma, M. Itoh, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 74, 3543 (1999).
5. H. Takashima, R. Wang, N. Kasai, A. Shoji, and M. Itoh, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1616196 83, 2883 (2003); H. Takashima, R. Wang, M. Okano, A. Shoji, and M. Itoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 43, L170 (2004).
6. H. Takashima, R. Wang, N. Kasai, A. Shoji, and M. Itoh, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1616196 83, 2883 (2003); H. Takashima, R. Wang, M. Okano, A. Shoji, and M. Itoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 43, L170 (2004).
7. P. K. Petrov and N. M. Alford, Appl. Phys. Lett. 87, 222902 (2005).
8. S. Hyun and K. Char, Appl. Phys. Lett. 79, 254 (2001).
9. A. Antons, J. B. Neaton, K. M. Rabe, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 71, 024102 (2005).
10. X. X. Xi, H. C. Li, W. D. Si, A. A. Sirenko, I. A. Akimov, J. R. Fox, A. M. Clark, and J. H. Hao, J. Electroceram. 1385-3449 10.1023/A:1009903802688 4, 393 (2000); A. M. Clark, J. H. Hao, W. D. Si, and X. X. Xi, Integr. Ferroelectr. 29, A53 (2000).
11. X. X. Xi, H. C. Li, W. D. Si, A. A. Sirenko, I. A. Akimov, J. R. Fox, A. M. Clark, and J. H. Hao, J. Electroceram. 1385-3449 10.1023/A:1009903802688 4, 393 (2000); A. M. Clark, J. H. Hao, W. D. Si, and X. X. Xi, Integr. Ferroelectr. 29, A53 (2000).
12. B. H. Moeckly, L. S. J. Peng, and G. M. Fischer, IEEE Trans. Appl. Supercond. 13, 712 (2003).
13. G. Subramanyam, F. W. V. Keuls, F. A. Miranda, R. R. Romanofsky, and J. D. Warner, Mater. Chem. Phys. 79, 147 (2003).
14. J. H. Hao, J. Gao, Z. Wang, and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2061859 87, 131908 (2005); J. H. Hao, J. Gao, and H. K. Wong, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 81, 1233 (2005).
15. J. H. Hao, J. Gao, Z. Wang, and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2061859 87, 131908 (2005); J. H. Hao, J. Gao, and H. K. Wong, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 81, 1233 (2005).
16. W. Ramadan, S. B. Ogale, S. Dhar, S. X. Zhang, D. C. Kundaliya, I. Satoh, and T. Venkatesan, Appl. Phys. Lett. 88, 142903 (2006).
17. A. Leitner, C. T. Rogers, J. C. Price, D. A. Rudman, and D. R. Herman, Appl. Phys. Lett. 72, 3065 (1998).
18. A. A. Sirenko, C. Bernhard, A. Golnik, A. M. Clark, J. Hao, W. Si, and X. X. Xi, Nature (London) 0028-0836 10.1038/35006023 404, 373 (2000); A. Akimov, A. A. Sirenko, A. M. Clark, J. H. Hao, and X. X. Xi, Phys. Rev. Lett. 84, 4625 (2000).
19. A. A. Sirenko, C. Bernhard, A. Golnik, A. M. Clark, J. Hao, W. Si, and X. X. Xi, Nature (London) 0028-0836 10.1038/35006023 404, 373 (2000); A. Akimov, A. A. Sirenko, A. M. Clark, J. H. Hao, and X. X. Xi, Phys. Rev. Lett. 84, 4625 (2000).
20. H.-M. Christen, J. Mannhart, E. J. Williams, and Ch. Gerber, Phys. Rev. B 49, 12095 (1994).
21. J. S. Wu, C. L. Jia, K. Urban, J. H. Hao, and X. X. Xi, J. Mater. Res. 16, 3443 (2001).