Annealing effect on GaAs droplet templates in formation of self-assembled InAs quantum dots

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 21, 2006, Pages

  Liang, B L ^a   Wang, Zh M ^a   Lee, J H ^a   Sablon, K A ^a   Mazur, Yu I ^a   Salamo, G J ^a  

^a UNIVERSITY OF ARKANSAS   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; EPITAXIAL GROWTH; MORPHOLOGY; SELF ASSEMBLY; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

DROPLET TEMPLATES; INAS QUANTUM DOTS; ISLAND SIDEWALLS;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 33845398134     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2396928     Document Type: Article

References (23)

1. D. Bimberg, M. Grundmann, and N. N. Ledentsov, Quantum Dot Heterostructures (Wiley, New York, 1998), p. 4.
2. G. Fasching, F. F. Schrey, T. Roch, A. M. Andrews, W. Brezna, J. Smoliner, G. Strasser, and K. Unterrainer, Physica E (Amsterdam) 32, 183 (2006).
3. K. G. Eyink, D. H. Tomich, J. J. Pitz, L. Grazulis, K. Mahalingam, and J. M. Shank, Appl. Phys. Lett. 88, 163113 (2006).
4. A. Muller, C. K. Shih, J. Ahn, D. Y. Lu, and D. G. Deppe, Opt. Lett. 31, 528 (2006).
5. Y. D. Jang, H. Lee, D. Lee, J. S. Kim, J. Y. Leem, and S. K. Noh, J. Appl. Phys. 99, 096101 (2006).
6. X. Q. Li, Y. W. Wu, D. Steel, D. Gammon, T. H. Stievater, D. S. Katzer, D. Park, C. Piermarocchi, and L. J. Sham, Science 301, 809 (2003).
7. J. R. Petta, A. C. Johnson, J. M. Taylor, E. A. Laird, A. Yacoby, M. D. Lukin, C. M. Marcus, M. P. Hanson, and A. C. Gossard, Science 309, 2180 (2005).
8. P. Bhattacharya, S. Ghosh, and A. D. Stiff-Roberts, Annu. Rev. Mater. Res. 34, 1 (2004).
9. A. Y. Cho, D. L. Sivco, H. M. Ng, C. Gmachl, A. Tredicucci, A. L. Hutchinson, S. N. G. Chu, and F. Capasso, J. Cryst. Growth 227-228, 1 (2001).
10. S. S. Li, J. B. Xia, J. L. Liu, F. H. Yang, Z. C. Niu, S. L. Feng, and H. Z. Zheng, J. Appl. Phys. 90, 6151 (2001); S. Kiravittaya, R. Songmuang, A. Rastelli, H. Heidemeyer, and O. G. Schmidt, Nanoscale Res. Lett., DOI: 10.1007/s11671-006-9014-8 (2006).
11. S. S. Li, J. B. Xia, J. L. Liu, F. H. Yang, Z. C. Niu, S. L. Feng, and H. Z. Zheng, J. Appl. Phys. 90, 6151 (2001); S. Kiravittaya, R. Songmuang, A. Rastelli, H. Heidemeyer, and O. G. Schmidt, Nanoscale Res. Lett., DOI: 10.1007/s11671-006-9014-8 (2006).
12. L. Leonard, M. Krishnamurthy, C. M. Reaves, S. P. Denbaars, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 63, 3203 (1993).
13. C. T. Foxon, J. Cryst. Growth 251, 1 (2003).
14. N. Koguchi and K. Ishige, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 2052 (1993).
15. V. Mantovani, S. Sanguinetti, M. Guzzi, E. Grilli, M. Gurioli, K. Watanabe, and N. Koguchi, J. Appl. Phys. 96, 4416 (2004).
16. Z. Gong, Z. C. Niu, S. S. Huang, Z. D. Fang, B. Q. Sun, and J. B. Xia, Appl. Phys. Lett. 87, 093116 (2005).
17. T. Mano, T. Kuroda, S. Sanguinetti, T. Ochiai, T. Tateno, J. Kim, T. Noda, M. Kawabe, K. Sakoda, G. Kido, and N. Koguchi, Nano Lett. 5, 425 (2005).
18. Z. M. Wang, K. Holmes, Yu. I. Mazur, K. A. Ramsey, and G. J. Salamo, Nanoscale Res. Lett., DOI: 10.1007/s11671-006-9002-z (2006).
19. B. L. Liang, Zh. M. Wang, J. H. Lee, K. A. Sablon, Yu. I. Mazur, and G. J. Salamo, Appl. Phys. Lett. 89, 043113 (2006).
20. M. Hata, T. Isu, A. Watanabe, and K. Katayama, Appl. Phys. Lett. 56, 2542 (1990).
21. Zh. M. Wang, J. H. Lee, B. L. Liang, W. T. Black, V. P. Kunets, Yu. I. Mazur, and G. J. Salamo, Appl. Phys. Lett. 88, 233102 (2006).
22. T. Ishikawa, T. Nishimura, S. Kohmoto, and K. Asakawa, Appl. Phys. Lett. 76, 167 (2000).
23. S. Sanguinetti, G. Chiantoni, E. Grilli, M. Guzzi, M. Henini, A. Polimemi, A. Patane, L. Eaves, and P. C. Main, Mater. Sci. Eng., B 74, 239 (2000).