Low density InAs quantum dots grown on GaAs nanoholes

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 4, 2006, Pages

  Liang, B L ^a   Wang, Zh M ^a   Lee, J H ^a   Sablon, K ^a   Mazur, Yu I ^a   Salamo, G J ^a  

^a UNIVERSITY OF ARKANSAS   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DROPLET EPITAXY; INAS QUANTUM DOTS; QD QUALITY;

MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 33746617385     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2244043     Document Type: Article

References (25)

1. M. Bayer, P. Hawrylak, K. Hinzer, S. Fafard, M. Korkusinski, Z. R. Wasilewski, O. Stern, and A. Forchel, Science 291, 451 (2001).
2. P. Bhattacharya, S. Ghosh, and A. D. Stiff-Roberts, Annu. Rev. Mater. Res. 34, 1 (2004).
3. M. Bayer, O. Stern, P. Hawrylak, S. Fafard, and A. Forchel, Nature (London) 405, 923 (2000).
4. Z. Yuan, B. E. Kardynal, R. M. Stevenson, A. J. Shields, C. J. Lobo, K. Cooper, N. S. Beattie, D. A. Ritchie, and M. Pepper, Science 295, 102 (2000).
5. T. Guenther, C. Lienau, T. Elsaesser, M. Glanemann, V. M. Axt, T. Kuhn, S. Eshlaghi, and A. D. Wieck, Phys. Rev. Lett. 89, 057401 (2002).
6. R. Schmidt, U. Scholz, M. Vitzethum, R. Fix, C. Metzner, P. Kailuweit, D. Reuter, A. Wieck, M. C. Hubner, S. Stufler, A. Zrenner, S. Malzer, and G. H. Dohler, Appl. Phys. Lett. 88, 121115 (2006).
7. A. Muller, C. K. Shih, J. Ahn, D. Y. Lu, and D. G. Deppe, Opt. Lett. 31, 528 (2006).
8. S. S. Li, J. B. Xia, J. L. Liu, F. H. Yang, Z. Ch. Niu, S. L. Feng, and H. Zh. Zheng, J. Appl. Phys. 90, 6151 (2001).
9. C. Schulhauser, R. J. Warburton, A. Högele, A. O. Govorov, K. Karrai, J. M. Garcia, B. D. Gerardot, and P. M. Petroff, Physica E (Amsterdam) 21, 184 (2004).
10. T. Ishikawa, T. Nishimura, S. Kohmoto, and K. Asakawa, Appl. Phys. Lett. 76, 167 (2000).
11. M. Vitzethum, R. Schmidt, P. Kiesel, P. Schafmeister, D. Reuter, A. D. Wieck, and G. H. Dohler, Physica E (Amsterdam) 13, 143 (2002).
12. J. Sun, X. L. Ye, and Z. G. Wang, Nanotechnology 16, 2775 (2005).
13. E. S. Moskalenko, F. K. Karlsson, V. T. Donchev, P. O. Holtz, B. Monemar, W. V. Schoenfeld, and P. M. Petroff, Nano Lett. 5, 2117 (2005).
14. J. Sun, P. Jin, and Z. G. Wang, Nanotechnology 15, 1763 (2004).
15. V. Mantovani, S. Sanguinetti, M. Guzzi, E. Grilli, M. Gurioli, K. Watanabe, and N. Koguchi, J. Appl. Phys. 96, 4416 (2004).
16. Z. M. Wang, K. Holmes, J. L. Shultz, and G. J. Salamo, Phys. Status Solidi A 202, R85 (2005).
17. T. Mano, T. Kuroda, S. Sanguinetti, T. Ochiai, T. Tateno, J. Kim, T. Noda, M. Kawabe, K. Sakoda, G. Kido, and N. Koguchi, Nano Lett. 5, 425 (2005).
18. Z. Gong, Z. C. Niu, S. S. Huang, Z. D. Fang, B. Q. Sun, and J. B. Xia, Appl. Phys. Lett. 87, 093116 (2005).
19. A. Rastelli, S. Stufler, A. Schliwa, R. Songmuang, C. Manzano, G. Costantini, K. Kern, A. Zrenner, D. Bimberg, and O. G. Schmidt, Phys. Rev. Lett. 92, 166104 (2004).
20. S. Suraprapapich, S. Thainoi, S. Kanjanachuchai, and S. Panyakeow, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 1217 (2005).
21. M. Schmidbauer, Sh. Seydmohamadi, D. Grigoriev, Zh. M. Wang, Yu. V. Mazur, P. Schafer, M. Hanke, R. Kohler, and G. J. Salamo, Phys. Rev. Lett. 96, 066108 (2006).
22. I. Kamiya, I. Tanaka, K. Tanaka, F. Yamada, Y. Shinozuka, and H. Sakaki, Physica E (Amsterdam) 13, 131 (2002).
23. R. Songmuang, S. Kiravittaya, and O. G. Schmidt, Appl. Phys. Lett. 82, 2892 (2003).
24. S. Kohmoto, H. Nakamura, T. Ishikawa, and K. Asakawa, Appl. Phys. Lett. 75, 3488 (1999).
25. J. M. Sanchez, Y. Gonzalez, L. Gonzalez, M. Tello, R. Garcia, D. Granados, J. M. Garcia, and F. Briones, J. Cryst. Growth 284, 313 (2005).