Ab initio study of ferromagnetism in Ga1-xCrxN thin films

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 72, Issue 4, 2005, Pages

  Wang, Q ^a   Sun, Q ^a   Jena, P ^a   Yu, J Z ^b   Note, R ^b   Kawazoe, Y ^b  

^a VIRGINIA COMMONWEALTH UNIVERSITY   (United States)

^b TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 33749233662     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.72.045435     Document Type: Article

References (35)

1. H. Ohno, Science SCIEAS 0036-8075 10.1126/science.281.5379.951 281, 951 (1998).
2. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrant, Science SCIEAS 0036-8075 10.1126/science.287.5455.1019 287, 1019 (2000).
3. M. L. Reed, M. K. Ritums, H. H. Stadelmaier, M. J. Reed, C. A. Parker, S. M. Bedai, and N. A. El-Masry, Mater. Lett. MLETDJ 0167-577X 10.1016/S0167-577X(01)00342-1 51, 500 (2001).
4. M. L. Reed, N. A. El-Masry, H. H. Stadelmaier, M. K. Ritums, M. J. Reed, C. A. Parker, J. C. Roberts, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1419231 79, 3473 (2001).
5. S. Sonoda, S. Shimizu, T. Sasaki, Y. Yamamoto, and H. Hori, J. Cryst. Growth JCRGAE 0022-0248 237-239, 1358 (2002).
6. T. Sasaki, S. Sonoda, Y. Yamamoto, K. Suga, S. Shimizu, K. Kindo, and H. Hori, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1451879 91, 7911 (2002).
7. G. T. Thaler, M. E. Overberg, B. Gila, R. Frazier, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. S. Lee, S. Y. Lee, Y. D. Park, Z. G. Khim, J. Kim, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1481533 80, 3964 (2002).
8. J. M. Lee, K. I. Lee, J. Y. Chang, M. H. Ham, K. S. Huh, J. M. Myoung, W. J. Hwang, M. W. Shin, S. H. Han, H. J. Kim, and W. Y. Lee, Microelectron. Eng. MIENEF 0167-9317 10.1016/S0167-9317(03)00311-3 69, 283 (2003).
9. P. P. Chen, H. Makino, J. J. Kim and T. Yao, J. Cryst. Growth JCRGAE 0022-0248 10.1016/S0022-0248(02)02204-2 251, 331 (2003).
10. S. S. A. Seo, M. W. Kim, Y. S. Lee, T. W. Noh, Y. D. Park, G. T. Thaler, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1588741 82, 4749 (2003).
11. Y. Shon, Y. H. Kwon, Sh. U. Yuldashev, Y. S. Park, D. J. Fu, D. Y. Kim, H. S. Kim, and T. W. Kang, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1536735 93, 1546 (2003).
12. T. Kondo, S. Kuwabara, H. Owa, and H. Munekata, J. Cryst. Growth JCRGAE 0022-0248 237-239, 1353 (2002).
13. S. Dhar, O. Brandt, A. Trampert, L. Däweritz, K. J. Friedland, K. H. Ploog, J. Keller, B. Beschoten, and G. Güntherodt, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1564292 82, 2077 (2003).
14. S. Dhar, O. Brandt, A. Trampert, K. J. Friedland, Y. J. Sun, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.67.165205 67, 165205 (2003).
15. K. H. Ploog, S. Dhar, and A. Trampert, J. Vac. Sci. Technol. B JVTBD9 0734-211X 10.1116/1.1588649 21, 1756 (2003).
16. M. Zajac, J. Gosk, M. Kamiska, A. Twardowski, T. Szyszko, and S. Podsiado, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1406558 79, 2432 (2001).
17. K. Ando, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1534618 82, 100 (2003).
18. Q. Wang, Q. Sun, P. Jena, and Y. Kawazoe, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.93.155501 93, 155501 (2004).
19. S. E. Park, H.-J. Lee, Y. C. Cho, S.-Y. Jeong, C. R. Cho, and S. Cho, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1483115 80, 4187 (2002).
20. M. Hashimoto, Y.-K. Zhou, M. Kanamura, and H. Asahi, Solid State Commun. SSCOA4 0038-1098 10.1016/S0038-1098(02)00073-X 122, 37 (2002).
21. J. S. Lee, J. D. Lim, Z. G. Khim, Y. D. Park, S. J. Pearton, and S. N. G. Chu, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1561587 93, 4512 (2003).
22. H. X. Liu, Stephen Y. Wu, R. K. Singh, Lin Gu, David J. Smith, N. Newman, N. R. Dilley, L. Montes, and M. B. Simmonds, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1812581 85, 4076 (2004).
23. K. Sato and H. K. Yoshida, Semicond. Sci. Technol. SSTEET 0268-1242 10.1088/0268-1242/17/4/309 17, 367 (2002).
24. Y. Wang and J. P. Perdew, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.44.13298 44, 13298 (1991).
25. P. E. Bloechl, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.50.17953 50, 17953 (1994).
26. G. Kresse and J. Heffner, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.54.11169 54, 11169 (1996).
27. H. J. Monkhorst and J. D. Pack, Phys. Rev. B PLRBAQ 0556-2805 10.1103/PhysRevB.13.5188 13, 5188 (1976).
28. I. Galanakis and P. Mavropoulos, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.67.104417 67, 104417 (2003).
29. Q. Wang, Q. Sun, B. K. Rao, P. Jena, and Y. Kawazoe, J. Chem. Phys. JCPSA6 0021-9606 10.1063/1.1607958 119, 7124 (2003).
30. K. Tono, A. Terasaki, T. Ohta, and T. Kondow, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.90.133402 90, 133402 (2003).
31. K. Tono, A. Terasaki, T. Ohta, and T. Kondow, J. Chem. Phys. JCPSA6 0021-9606 10.1063/1.1622385 119, 11221 (2003).
32. T. Takeuchi, Y. Harada, T. Tokushima, M. Taguchi, Y. Takata, A. Chainani, J. J. Kim, H. Makino, T. Yao, T. Yamamoto, T. Tsukamoto, S. Shin, and K. Kobayashi, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.70.245323 70, 245323 (2004).
33. K. Sata, P. H. Dederichs, H. Katayama-Yoshida, and J. Kudrnovsky, Physica B PHYBE3 0921-4526 340-342, 863 (2003).
34. K. Sato, P. H. Dederics, and H. Katayama-Yoshida, Europhys. Lett. EULEEJ 0295-5075 10.1209/epl/i2003-00191-8 61, 403 (2003).
35. H. Akai, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.81.3002 81, 3002 (1998).