Production of Bi 2O 3 nanorods via a catalyst-free approach

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 49, Issue 2, 2006, Pages 632-636

  Kim, Hyoun Woo ^a   Lee, Jong Woo ^a   Lee, Chongmu ^a  

^a Inha University   (South Korea)

Author keywords

Bi 2O 3; MOCVD; Nanostructures

Indexed keywords

EID: 33748205008     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (28)

1. H. A. Harwing and A. G. Gerards, J. Solid State Chem. 26, 265 (1978).
2. H. Gobrecht, S. Seeck, H. E. Bergt, A. Martens and K. Kossmann, Phys. Stat. Sol. 33, 599 (1969).
3. V. Dolocan and F. Iova, Phys. Status Solidi A 64, 755 (1981).
4. L. Leonite, M. Caraman and G. I. Rusu, J. Optoelectron. Adv. Mater. 2, 385 (2000).
5. L. Leonite, M. Caraman, M. Alexe and C. Harnagea, Surf. Sci. 507-510, 480 (2002).
6. M. Schuisky and A. Härsta, Chem. Vap. Deposition 2, 235 (1996).
7. T. Hyodo, E. Kanazawa, Y. Takao, Y. Shimizu and M. Egashira, Electrochemistry 68, 24 (2000).
8. G. Bandoli, D. Barecca, E. Brescacin, A. Rizzi and E. Tondello, Chem. Vap. Deposition 2, 238 (1996).
9. A. Pan and A. Ghosh, J. Non-Cryst. Solids 271, 157 (2000).
10. S. Iijima, Nature 354, 56 (1991).
11. Z. Zhong, D. Wang, Y. Cui, M. Bockrath and C. Lieber, Science 302, 1377 (2003).
12. X. Duan, C. Niu, V. Sahi, J. Chen, J. W. Parce, S. Empedocles and J. L. Goldman, Nature 425, 274 (2003).
13. Z. W. Pan, Z. R. Dai and Z. L. Wang, Science 291, 1947 (2001).
14. J. Hu, T. W. Odom and C. M. Lieber, Ace. Chem. Res. 32, 435 (1999).
15. H. W. Kim and S. H. Shim, J. Korean Phys. Soc. 47, 516 (2005).
16. H. W. Kim, N. H. Kim and C. Lee, J. Korean Phys. Soc. 47, S539 (2005).
17. J. Kim, B. S. Hwang, J. H. Jeong and M. H. Kwon, J. Korean Phys. Soc. 47, S204 (2005).
18. B. Yang, M. Mo, H. Hu, C. Li, X. Yang, Q. Li and Y. Qian, Eur. J. Inorg. Chem. 2004, 1785 (2004).
19. T. Takeyama, N. Takahashi, T. Nakamura and S. Itoh, Solid State Commun. 133, 771 (2005).
20. K. Michalke, J. Meyer, A. V. Hirner and R. Hensel, Appl. Organometal. Chem. 16, 221 (2002).
21. H. W. Kim and N. H. Kim, Appl. Phys. A 81, 763 (2005).
22. C. Bedoya, G. G. Condorelli, G. Anastasi, A. Baeri, F. Scerra, I. L. Fragala, J. G. Lisoni and D. Wouters, Chem. Mater. 16, 3176 (2004).
23. R. S. Wagner and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
24. G. W. Sears, Acta Metall. 3, 268 (1956).
25. C. M. Drum and J. W. Mitchell, Appl. Phys. Lett. 4, 164 (1964).
26. J. Guojian, Z. Hanrui, Z. Jiang, R. Meiling, L. Wenlan, W. Fengying and Z. Baolin, J. Mater. Sci. 35, 63 (2000).
27. J.-S. Lee, K. Park, S. Nahm, S.-W. Kim and S. Kim, J. Cryst. Growth 244, 287 (2002).
28. W. Dong and C. Zhu, J. Phys. Chem. Solids 64, 265 (2003).