ZnO tetrapod Schottky photodiodes

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 7, 2006, Pages

  Newton, Marcus C ^a   Firth, Steven ^a   Warburton, Paul A ^a  

^a UNIVERSITY COLLEGE LONDON   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRIC SPACE CHARGE; ELECTRODES; ENERGY GAP; NANOSTRUCTURED MATERIALS; OHMIC CONTACTS; SCHOTTKY BARRIER DIODES;

BAND GAP ILLUMINATION; METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACE; RECTIFYING BEHAVIOR; SCHOTTKY CONTACTS; ULTRAVIOLET PHOTODIODE;

ZINC OXIDE;

EID: 33747500662     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2335949     Document Type: Article

References (22)

1. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater. 4, 42 (2005).
2. U. Ozgur, Ya Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005).
3. Z. L. Wang, X. Y. Kong, Y. Ding, P. Gao, W. L. Hughes, R. Yang, and Y. Zhang, Adv. Funct. Mater. 14, 943 (2004).
4. O. Schmidt, P. Kiesel, C. G. Van de Walle, N. M. Johnson, J. Nause, and G. H. Dohler, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 44, 7271 (2005).
5. S. H. Kim, H. K. Kim, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 86, 112101 (2005).
6. H. L. Mosbacker, Y. M. Strzhemechny, B. D. White, P. E. Smith, D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, and L. J. Brillson, Appl. Phys. Lett. 87 012101 (2005).
7. Olga Dulub, Ulrike Diebold, and G. Kresse, Phys. Rev. Lett. 90, 016102 (2003).
8. W. Monch, Appl. Phys. Lett. 86, 162101 (2005).
9. K. Keem, H. Kim, G. T. Kim, J. S. Lee, B. Min, K. Cho, M. Y. Sung, and S. Kim, Appl. Phys. Lett. 84, 4376 (2004).
10. Y. W. Heo, L. C. Tien, D. P. Norton, S. J. Pearton, B. S. Kang, F. Ren, and J. R. LaRoche, Appl. Phys. Lett. 85, 3107 (2004).
11. M. C. Newton, S. Firth, T. Matsuura, and P. A. Warburton, J. Phys.: Conf. Ser. 26, 251 (2006).
12. W. D. Yu, X. M. Li, and X. D. Gao, Chem. Phys. Lett. 390, 296 (2004).
13. Z. Chen, Z. W. Shan, M. S. Cao, L. Lu, and S. X. Mao, Nanotechnology 15, 365 (2004).
14. K. Ip, B. P. Gila, A. H. Onstine, E. S. Lambers, Y. W. Heo, K. H. Baik, D. P. Norton, S. J. Pearton, S. Kim, J. R. LaRoche, and F. Ren, Appl. Surf. Sci. 236, 387 (2004).
15. A. B. McLean, I. M. Dharmadasa, and R. H. Williams, Semicond. Sci. Technol. 1, 137 (1986).
16. C. G. B. Garrett and W. H. Brattain, Phys. Rev. 99, 376 (1955).
17. W. Monch, Semiconductor Surfaces and Interfaces (Springer, Berlin, 2001), p. 67.
18. D. R. Frankl, Surf. Sci. 3, 101 (1965).
19. J. A. Aranovich, D Golmayo, A. L. Fahrenbruch, and R. H. Bube, J. Appl. Phys. 51, 4260 (1980).
20. J. F. Muth, R. M. Kolbas, A. K. Sharma, S. Oktyabrsky, and J. Narayan, J. Appl. Phys. 85, 7884 (1999).
21. A. Teke, U. Ozgur, S. Dogan, X. Gu, H. Morkoc, B. Nemeth, J. Nause, and H. O. Everitt, Phys. Rev. B 70, 195207 (2004).
22. C. K. Sun, S. Z. Sun, K. H. Lin, K. Y. Zhang, H. L. Liu, S. C. Liu, and J. J. Wu, Appl. Phys. Lett. 87, 023106 (2005).