DC conduction mechanisms in amorphous thin films of mixed oxides In 2O3-SnO2 system deposited by co-evaporation

International Journal of Modern Physics B

Volumn 20, Issue 15, 2006, Pages 2159-2174

  Anwar, M ^a   Siddiqi, S A ^b   Ghauri, I M ^a  

^a GC UNIVERSITY   (Pakistan)

^b UNIVERSITY OF THE PUNJAB   (Pakistan)

Author keywords

Conduction mechanisms; Electron donors; Indium interstitials; Indium species of lower oxidation state; Molar percent; Oxygen vacancies; Tin substitution

Indexed keywords

EID: 33745028433     PISSN: 02179792     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1142/S021797920603456X     Document Type: Article

References (25)

1. A. Klein, Appl. Phys. Letts. 77, 2009 (2000).
2. S. K. Chol and J. I. Lee, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 2043 (2001).
3. G. Kiriakidis, H. Ouacha and N. Katsarakis, Rev. Adv. Mater. Sci. 4, 32 (2003).
4. H. Kim, C. M. Gilmore, A. Pique, J. S. Horwitz, H. Mattoussi, H. Murata, Z. H. Kafafi and D. B. Chrisey, J. Appl. Phys., 86, 6451 (1999).
5. E. L. Peltzery Blanca, A. Svane, N. E. Christensen, C. O. Rodriguez et al., Phys. Rev. B 48, 15712 (1993).
6. R. B. H. Tahar, T. Ban, Y. Ohya and Y. Takahashi, J. Appl. Phys. 83, 2631 (1998).
7. F. O. Adurodija, H. Izumi, T. Ishihara, H. Yoshioka, M. Motoyama and K. Murai, J. Vac. Sci. Tehnol. A 18(3) 814 (2000).
8. S. B. Qadri, H. Kim, H. R. Khan, A. Pique, J. S. Horwitz, D. Chrisey, W. J. Kim and E. F. Skelton, Thin Solid Films 377-378, 750 (2000).
9. A. El Hichou, A. Kachouane, J. L. Bubendorff, M. Addou, J. Ebothe, M. Troyon and A. Bougrine, Thin Solid Films 458, 263 (2004).
10. K. Utsumi, H. Iigusa, R. Tokumaru, P. K. Song and Y. Shigesato, Thin Solid Films 445, 229 (2003).
11. M. Anwar, I. M. Ghauri and S. A. Siddiqi, Czech. J. Phys. 55(8), 1013 (2005).
12. M. Anwar, I. M. Ghauri and S. A. Siddiqi, J. Mater. Sci. 41 2859 (2006).
13. K. S. Ramaiah, V. S. Raja, A. K. Bhatnagar, R. D. Tomlinson, R. D. Pilkington, A. E. Hill, S. J. Chang, Y. K. Su and F. S. Juang, Semicond. Sci. Technol. 15, 676 (2000).
14. E. A. Morais, L. V. A. Scalvi, V. Geraldo, R. M. F. Scalvi, S. J. L. Ribeiro, C. V. Santilli and S. H. Pulcinelli, J. Euro. Ceram. Soc. 24, 1857 (2004).
15. S. Mihaiu, O. Scarlat, G. Aldica and M. Zaharescu, J. Euro. Ceram. Soc. 21, 1801 (2001).
16. S. A. Bashar, H. Sheng and A. A. Rezazadeh, Proc. IEEE Int. Workshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (EDMO, London, UK, 1994), p. 1.
17. M. Anwar, I. M. Ghauri and S. A. Siddiqi, Czech. J. Phys. 55(10), 1261 (2005).
18. A. K. Jonscher, J. Vacuum Sci. Technol. 8, 135 (1971).
19. M. H. Cohen, J. Non-cryst. Solids 4, 391 (1970).
20. N. F. Mott and E. A. Davis, Electronic Processes in Non Crystalline Materials (Clarendon Press, Oxford, 1979).
21. J. E. A. M. van den Meerakker, E. A. Meulenkamp and M. Scholten, J. Appl. Phys. 74, 3282 (1993).
22. T. Nagatomo, Y. Maruta and O. Omoto, Thin Solid Films 192, 17 (1990).
23. C. H. L. Weijtens and P. A. C. van Loon, Thin Solid Films 196, 1 (1991).
24. Y. Shigesato and D. C. Paine, Thin Solid Films 238, 44 (1994).
25. A. Ambrosini, G. B. Palmer, A. Maignan, K. R. Poeppelmeier, M. A. Lane, P. Brazis, C. R. Kunnewurf, T. Hogan and T. O. Mason, Chem. Mater. 14, 52 (2002).