Growth and electronic structures of thin manganese suicide on a Si substrate studied by photoemission spectroscopy

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 48, Issue 5, 2006, Pages 931-938

  Kim, K H ^a   Han, S W ^a,d   Lee, J D ^a   Lee, J J ^a   Kim, K J ^b   Kim, B S ^b   Wi, S C ^c   Lee, S S ^c   Kim, G ^c   Kang, J S ^c  

^a Gyeongsang National University   (South Korea)

^b Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

^c The Catholic University of Korea   (South Korea)

^d Korea Research Institute of Standards and Science   (South Korea)

Author keywords

Electronic structure; Manganese suicide; Mn Si(111) interface; SRPES; XAS

Indexed keywords

EID: 33745009996     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (31)

1. I. Zutic, J. Fabian and S.D. Sarma, Rev. Mod. Phys. 76,323 (2004).
2. G. A. Prinz, Science 282, 1660 (1998).
3. S. A. Wolf, D. D. Awschalom. R. A. Buhrman, J. M. Daughton, S. von Molnar, M. L. Roukes, A. Y. Chtchelkanova and D. M. Treger, Science 294, 1488 (2001).
4. J. E. Mahan, Thin Solid Films 461, 152 (2004).
5. H. W. Knott, M. H. Mueller and L. Heaton, Acta Cryst.23, 549 (1967).
6. Ch Krontiras. K. Pomoni and M. Roilos, J. Phys. D :Appl. Phys. 21, 509 (1988).
7. M. C. Bost and J. E. Mahan, J. Electron. Mater. 16, 389 (1987).
8. M. Tanaka, Q. Zhang, M. Takaguchi and K. Furuya, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 704, 245 (2002).
9. I. Kawasumi, M. Sakada, I. Nishida and K. Masumoto,J. Mater. Sci. 16, 355 (1981).
10. Y. Ishikawa, G. Shirane, J. A. Tarvin and M. Kohgi,Phys. Rev. B 16, 4956 (1977).
11. Y. C. Lian and L. J. Chen. Appl. Phys. Lett. 48, 359 (1986).
12. J. Wang, M. Hirai, M. Kusaka and M. Iwami, Appl. Surf. Sci. 113/112, 53 (1977).
13. M. M. R. Evans, J. C. Glueckstein and J. Nonami, Phys.Rev. B 53, 4000 (1996).
14. K. H. Kim, J. D. Lee and J.-S. Kang, Jpn. J. Appl. Phys.37, 4949 (1998).
15. R. I. G. Uhrberg, G. V. Hansson, U. O. Karlsson, J. M. Nicholls. P. E. S. Persson, S. A. Foldström, R. Engelhardt, and E. E. Koch, Phys. Rev. B 31, 3795 (1985).
16. A. Kumar, M. Tallarida, M. Hansmann. U. Starke and K. Horn, J. Phys. D: Appl. Phys. 37, 1083 (2001).
17. S. Hüfner, Photoelectron Spectroscopy. 3rd ed. (Springer-Verlag, Berlin, 2003), p. 12.
18. T. Nagano, S. Ohuchi, Y. Matsuoka and S. Hasegawa,Surf. Sci, 419, 134 (1999).
19. S. Doniach and M. Sunjic, J. Phys. C 3, 285 (1970).
20. R. J. Hammers, R. M. Tromp and J. E. Demuth, Phys.Rev. Lett. 56, 1972 (1986).
21. K. H. Kim, T. G. Im, J. J. Lee, J. D. Lee, S. W. Han, J.I. Chung and J.-S. Kang, SAEMULLI 47, 327 (2003).
22. H. Sugawara, A. Kakizaki, I. Nakamura and T. Ishii, J.Phys. F: Met. Phys. 12, 2929 (1982).
23. W. Speier. E. V. Leuken, J. C. Fuggle, D. D. Sharma, L.Kumar, B. Dauth and K. H. J. Buschow, Phys. Rev. B39, 6008 (1989).
24. A. Irizawa, A. Yamasaki, M. Okazaki, S. Kasai, A. Sekiyama, S. Imada, S. Suga, E. Kulatov, H. Ohta and T. Namba, Solid State Commun. 124, l (2002).
25. J-Y. Son, K. Okazaki, T. Mizokawa, A. Fujimiri, T.Kanomata and R. Note, J. Phys. Soc. Japan 71, 1728(2002).
26. Y. Yonamoto, T. Yokoyama, K. Amemiya, D. Matsumura and T. Ohta, Phys. Rev. B 63, 214406 (2001).
27. C. K. Choi, S. J. Yang, J. Y. Ryu, J. Y. Lee, Y. P. Lee, H. H. Park, E. W. Lee and K. H. Kim, J. Korean Phys.Soc. 26, 148 (1993).
28. V. Kinkel, L. Sorba, H. Haak and K. Horn, Appl. Phys.Lett. 50, 1257 (1987).
29. A. Seubert, J. Schardt, W. Weiß, U. Starke, K. Heinz and Th. Fauster, Appl. Phys. Lett. 76, 727 (2000).
30. L. R. Doolittle, Nucl. Inst. Meth. B 9, 344 (1985).
31. W. K. Chu, J. W. Mayer and M.-A. Nicolet, Backseattering Spectrometry (Academic Press, New York, 1978),p. 354.